存储系统的基本概念
存储器的层次结构
存储器的分类
存储器的性能指标
主存储器的基本组成
基本的半导体元件和原理
芯片的基本原理-toc" style="margin-left:40px;">存储器芯片的基本原理
寻址
DRAM和SRAM
不同存储元件导致的特性差异
DRAM的刷新
DRAM地址线复用技术
只读存储器ROM
存储器与CPU的连接
单块存储芯片和CPU的连接
补充译码器知识
双端口RAM多模块存储器
双端口RAM
多体并行存储器
多模块存储器
Cache基本概念和原理
Cache以及主存的映射方式
Cache替换算法
Cache写策略
页式存储器
虚拟存储器
存储系统的基本概念
存储器的层次结构
我们平时玩的王者荣耀，抖音是放在辅存里的，但是如果运行的话，需要把辅存里的数据调到CPU，而辅存的速度又太慢,只能先将其调入到主存，然后再被CPU访问。
但是主存的速度还是不够快，我们介绍了Cache,将经常使用的视频功能存储在微信中，如：Cache一旦使用旦直接使用CPU加快访问速度.这就是Cache主要作用是缓解CPU与主存之间的速度矛盾
主存---辅存:实现虚拟存储系统,解决了主存容量不足的问题
Cache--辅存:解决了主存和CPU速度不匹配的问题
存储器的分类
存储器功能：存储二进制信息
1(主存,Cache):以存储信息
2.(磁盘，磁带):以存储信息
3.:以存储信息
:读写任何存储单元都需要相同的时间，与存储单元的物理位置无关.
:读写存储单元所需的时间取决于存储单元所在的物理位置
:既有随机存取特性，也有顺序存取特性。先直接选取信息所在区域,然后按顺序方式存取
:即可以按内容访问的存储器,可以按照内容检索到存储位置进行读写,"快表就是一种相联存储器
顺序,直接存取存储器,称为串行访问存储器,读写某个存储单元所需时间与存储单元的物理位置有关.
读写存储器:即可读,也可写(如:磁盘,内存,Cache)
只读存储器:只能读，不能写
断电后,存储信息消失的存储器--易失性存储器（主存,Cache)
断电后，存储信息依然保持的存储器--非易失性存储器(磁盘,光盘)
信息读出后,原存储信息被破坏--破坏性读出(如DRAM芯片)
信息读出后，原存储信息不被破坏--非破坏性读出(如SRAM芯片)
存储器的性能指标
1.存储容量;
2.单位成本:每位价格=总成本/总容量
3.存储速度:=数据的宽度/存储周期(数据的宽度:存储字长，存储周期=存取时间+恢复时间)
主存储器的基本组成
基本的半导体元件及原理
:WMOS管:可理解为一种电控开关,输入电压达到某个阈值时,MOS管就可以接通,MOS就是一个典型的半导体元件;电容的下面是接地的,当电容上下存在明显电压差，就会产生电浮，计算机中用二进制1表示,MOS管中电压达到某个阈值时,就会接通,将1传入到另一边
:再导线的右端加一个电压,用二进制1表示,然后MOS管接通,1进来,电容就会存在电压差,接下来断开MOS管，这样电容里的电荷就跑不出去了. 然后我们将多个存储元连在一起，我们就一次性可以读出或写入多个二进制数据；我们称为.将多个存储单元称为；
存储器芯片的基本原理
n位地址->2^n个存储单元;
总容量=存储单元个数*存储字长=2^3*8bit=2^3*1Byte=8B
译码器:根据地址寄存器给出的n位地址，转换成某一条选通线的高电平信号;
如图MAR：3位地址->2^3个存储单元；
接下来我们继续完善存储器的构成，我们需要增加控制电路
由于我们使用电信号传入,难免有不稳定的时候,当MAR里面的电信号稳定之前,控制电路是不会让其进入的，只有稳定时候才会打开译码器的开关，让译码器来翻译这个地址；当数据输出的时候，只有当MDR稳定的时候才会执行.
CS：芯片选择信号(上面有个线，不会打，可以看图中)
CE：芯片使能信号
这样就完成了一个完整构造的存储芯片;
n位地址->2^n个存储单元；
总容量=存储单元个数*存储字长=2^3*8bit=2^3*1Byte=8B
8*8的存储芯片
常见的描述:8K*8位,即2^13*8bit;8K*1位，即2^13*1bit;64K*16位,即2^16*16bit
寻址
现在计算机当中通常是按字节编制寻址的.每个小矩阵是8bit也就是1B;
这个存储矩阵总容量为1KB;
按字节寻址,1K个单元,每个单元1B；1K个单元，说明地址线有10根,2^10=1K
按字寻址:256个单元,每个单元4B；
按半字寻址:512个单元,每个单元2B;
按双字寻址:128个单元,每个单元8B;
DRAM和SRAM
存储元件不同导致的特性差异
Dynamic Random Access Memory 即动态RAM
Static Random Access Memory 即静态RAM
DRAM芯片:使用存储信息
SRAM芯片:使用存储信息
核心区别:存储元不一样
栅极电容
读出1:MOS管接通,电容放电,数据线上产生电流
读出电容后,也就是电容放电信息被破坏,是.读出后应有操作,也称"再生"
因此读写速度慢
读出0:MOS管接通后,数据线上无电流;
双稳态触发器
1:A高B低； 0:A低B高
读出数据,触发器状态保持稳定,是
触发器 电容 非 是 不用 需要 快 慢 低 高 大 小 高 低 易失 易失(断电后信息消失) 不需要 需要(分散,集中,异步)
"刷新"由存储器独立完成，不需要CPU控制
同时送 分两次送(地址线复用技术)
导致地址线,地址引脚减半
用作Cache 用作主存 栅极电容:电容内的电荷只能维持2ms.即便不断电,2ms后信息也会消失；也就是2ms之内必须刷新一次(给电容充电)
双稳态触发器:只要不断电,触发器的状态就不会发生改变
DRAM的刷新
1.多久需要刷新一次?刷新周期:一般为2ms
2.每次刷新多少存储单元?以行为单位，每次刷新一行存储单元
为什么要用行列地址?
减少选通线的数量;像2^8=256根选通线，可以排成2^4+2^4=32根选通线;
3.如何刷新:有硬件支持，读出一行的信息后重新写入,占用1个读/写周期
4.在什么时刻刷新?
DRAM的地址线复用技术
为了让地址线变的更少和更简单,我们采用DRAM的地址线复用技术,
只读存储器ROM
RAM芯片——易失性,断电之后数据消失
ROM芯片------非易失性，断电之后数据不会丢失
厂家按照客户需求,在芯片生产过程中直接写入信息,之后任何人不可重写(只能读出)，可靠性高，灵活性差，生产周期长，只适合批量定制.
用户可用专门的PROM写入器写入信息,写一次之后就不可更改
允许用户写入信息,之后用某种方法擦除数据,可进行多次重写。
UVEPROM--用紫外线照射8-20分钟,擦除所有信息
EEPROM--可用"电擦除"的方式,擦除特定的字
在EEPROM基础上发展而来,断电后能保存信息,且可进行多次快速擦除重写
由控制单元+存储单元(Flash芯片)构成,与闪速存储器的核心区别在于控制单元不一样,但存储介质都类似，.SSD速度快,功耗低，价格高。目前个人电脑上常用SSD取代传统的机械硬盘
CPU的任务:
RAM:断电后,RAM内的数据全部丢失;
例如计算机关机后,主存里数据会全部丢失,CPU需要读取开机等指令,但是RAM数据全部丢失，所以需要从主板上的BIOS芯片(ROM)读取开机所需要的指令（BIOS芯片(ROM)存储了"自举装入程序"负责引导装入操作系统(开机)).
注:我们常说"内存条"就是"主存"但事实上,主板上的ROM芯片也是"主存"的一部分
逻辑上,主存由RAM+ROM组成,且二者统一编址.
存储器与CPU的连接
单块存储芯片与CPU的连接
这个是8*8位的存储芯片；如果我们想要扩展主存字数怎么办?假如数据总线宽度>存储芯片字长怎么办?
虽然现在的MAR和MDR都画在存储器中,但现在的计算机MAR,MDR通常集成在CPU内部。存储芯片内只需一个普通的寄存器(暂存输入,输出数据)
现在的计算机
片选信号：低电平有效(CS或CE)上面上划线;高电平有效(CS或CE)
读/写控制线:低电平有效(WE或WR)上面有上划线,高电平有效(WE或WR)
8K就是2^13次方,所以我们要用13根地址线,A0-A12,WE代表write Enable不带上面的线,说明
当这个信号是高电平的时候，此时往里面写数据;CS上面没有画横线，直接给他接上高电平;
此时我们主存只有一块存储芯片,每一次只能读或写一位数据,所以此时主存的存储字长只有1bite,数据总线并没有被充分的利用;为了解决这个问题,我们给主存再加上相同型号的一个存储芯片;
接下来我们使用同样的方法，最终就可以得到:
按照上面的说法,连接后,发现A13,A14,A15这三根线会浪费掉,再仔细观察上面这个图给这两个芯片都是高电平1，他们都在工作,会导致数据总线D0-D7的冲突，那么如何解决这个问题囊?关键在于片选线的应用,当A13为1，A14为0时第一个芯片工作，第二个芯片不工作,反之则第二个工作,但是A13,A14不能同时为1,0;
这种方法称为线选法:A14,A133只能为01或10n条线->n个选片信号;
接下来对线选法进行优化,给A13接一个非门处理;
那么第一个芯片最低地址:100 0000 0000 0000；最高地址:11 1111 1111 1111；
第二芯片最低地址:00 0000 0000 0000;最高地址:01 1111 1111 1111
上面的我们称为1-2译码器；其实之前我们接触过更复杂的译码器，译码器片选法:n条线->2^n个片选信号；
我们接下来再看一个
按照同样的方法,把A15也接上，就是3-8译码器
既然有字扩展，位扩展,那么有没有两种结合
关于译码器知识的补充
这里我们给出3-8译码器，有三个输入端,八个输出端,译码器Y0-Y7只会有一条线是高电平,那么这个译码器就可以和高电平有效存储芯片配合使用；
那么我们来看译码器的另一种画法,译码器的右边画一个小圆,低电平有效；
那我们来看一种更复杂的情况
注:CPU可使用译码器的使能端控制片选信号的生效时间
双端口RAM和多模块存储器
注:DRAM芯片的恢复时间比较长，有可能是存取时间的几倍(SRAM的恢复时间较短)
如:存取时间为r,存取周期为T，T=4r;
多核CPU都要访存,怎么办?
CPU的读写速度比主存快很多主存恢复时间太长怎么办?
双端口RAM
需要有两组完全独立的数据线,地址线，控制线,CPU，RAM中也要有更复杂的控制电路
两个端口对同一主存操作有以下4种情况:
1.两个端口同时对不同的地址单元存取数据
2.两个端口同时对同一地址单元读出数据
3.两个端口同时对同一地址单元写入数据:写入错误
4.两个端口同时对同一地址单元,一个写入数据,另一个读出数据:读出错误
为了解决3和4这种情况,RAM向CPU发出"忙"的信号,置"忙"的信号为0，由决定暂时关闭一个端口(即被延时)，未被关闭的端口正常访问,被关闭的端口延长一个很短的时间段后再访问。
多体并行存储器
即便对于单核CPU,CPU的读取速度也比内存快得多，而内存读取后需要恢复时间后才能继续读取。这个问题的解决就可以使用多体并行存储器
可理解为"四根内存条":4*8=32=2^5；所以我们可以用5个bite作为主存的地址,高位的两个数表示体号,地址后面三位数表示体内地址.
低位的两个数表示体号，前三个数表示体内地址
每个存储体存取周期为T，存取时间为r,假设T=4r;
连续访问00000,00001,00010，00011,00100情况下:
下面的低位交叉编址的多体存储器耗时T+4r;而高位交叉编址的多体存储器耗时为4T;性能几乎提升了4倍
采用"流水线"的方式并行存取(宏观上并行,微观上串行)
宏观上,一个存储周期内,m体交叉存储器可以提供的数据量为单个模块的m倍。
存取周期为T，存取时间为r，为了使流水线不间断
每个模块都有相同的容量和存取速度。各模块都有独立的读写控制电路,地址寄存器和数据寄存器。他们既能并行工作,又能交叉工作.
每个存储单元存储m个字总线宽度也为m个字,一次并行读出m个字。
每次只能同时取m个字,不能单独取其中某个字,指令和数据在主存内必须时连续存放的
Cache的基本概念和原理
双端口RAM，多模块存储器提高存储器的工作速度，优化后速度与CPU差距依然很大
如何解决:我们可以设计更高速的存储单元,这就意味着我们存储价格就会更高；基于程序的局部性原理,我们增加一个"Cache-主存"层次
注:实际上,Cache被集成在CPU内部Cache用SRAM实现,速度快,成本高；
:在最近的未来要用到的信息(指令和数据),很可能与现在正在使用的信息在存储空间上是邻近的
:在最近的未来要用到的信息,很可能是现在正在使用的信息
基于局部性原理,不难想到,可以把CPU目前访问的地址"周围"的部分数据1放在Cache中
设tc为访问一次Cache所需时间,tm为访问一次主存所需时间‘
CPU欲访问的信息已在Cache中的比率
=1-H
Cache-主存 系统的平均访问时间t为
先访问Cache,若Cache未命中再访问主存
或:同时访问Cache和主存,若Cache命中则立即停止访问主存
例题:
基于局部性原理,不难想到，可以把CPU目前访问的地址'周围:的部分数据放到Cache中，如何界定"周围"?
将主存的
- 如何区分Cache与主存的数据块对应关系?-
- Cache很小,主存很大.如果Cache满了怎么办?--
- CPU修改了Cache中的数据副本,如何确保主存中数据母本的一致性?-
下面的章节我将跟大家一起学习:
Cache和主存的映射方式
不了解有效位和标记是啥的可以先往下看,最后面有讲解
采用这种方式，CPU如何访问一个主存地址囊?
假设CPU访问主存地址，1..1101001110:
1.主存地址的前22位对比Cache中所有块的标记：
2.若标记匹配且有效位=1，则Cache命中,访问块内地址为001110的单元.
3.若未命中或有效位=0,则正常访问主存
直接映射,主存在Cache中的位置=主存块号%Cache总块数
例如主存中块号为0的0%8=0存储在Cache0的位置,主存中块号8,8%8=0,也是存储在0的位置,
缺点:其他地方有空闲Cache块，但是8号主存块不能使用
这里Cache有8行,主存块号%2^3，相当于留下最后三位二进制数;那么就意味着计算机只要读取22位中的后三位;
若Cache总块数=2^n则主存块号末尾n位直接反映它在Cache中的位置,将主存块号的其余位作为标记即可，Cache中只需要标记前19位,末尾三位不需要标记;
如何访存？
CPU访问主存地址:0...01000 001110：
1.根据主存号的后3位确定Cache行。
2.若主存块号的前19位与Cache标记匹配且有效位=1，则Cache命中,访问块内地址位001110的单元
主存块号%2^2，相当于我们只保留了主存块号的末尾两位，因此只需要看末尾两位就可以确定在被分配到哪，因此Cache中的标记只需要采用前20位即可。
CPU访问主存地址:1...1101001110:
1.根据主存块号的后两位确定所属分组号
2.若主存块号的前20位与分组内的某个标记匹配且有效位=1,则Cache名中,访问块内地址为001110的单元.
给每个Cache块增加一个"标记",记录对应的主存块号?光有"标记"就行了嘛?
假设9，8，5代表的是主存中数字在Cache中存放的位置；0代表没有空闲的位置,那主存中也存在0这个位置,不就表达有歧义了嘛?所以还要增加"有效位:1代表存储,0代表空闲
Cache替换算法
Cache完全满了才需要替换需要在全局选择替换哪一块
如果对应位置非空,则毫无选择地直接替换
分组内满了才需要替换需要在分组内选择替换哪一块
设总共有4个Cache快,初始整个Cache为空.采用全相联映射,依次访问主存块{1,2,3,4,1,2,5,1,2,3,4,5}
随机算法--实现简单,但完全没考虑局部性原理，命中率低,实际效果很不稳定
设总共有4个Cache快,初始整个Cache为空,采用全相联映射,依次访问主存块
{1,2,3,4,1,2,5,1,2,3,4,5}
先进先出算法--实现简单,最开始按#0#1#2#3放入Cache,之后轮流替换#0#1#2#3FIFO依然没考虑局部性原理,最先被调入Cache的块也有可能是被频繁访问的
设总共有4个Cache快,初始整个Cache为空,采用全相联映射,依次访问主存块
{1,2,3,4,1,2,5,1,2,3,4,5}
1.命中时，所命中的行的计数器清零,比其低的计数器加1，其余不变
2.未命中且还有空闲行时,新装入的行的计数器置为0,其余非空闲行全加1
3.未命中且无空闲行时,计数值最大的行的信息块被淘汰,新装行的块的计数器置为0，其余全加1
上面演示了部分步骤,剩下大家可以试着算一下
LRU算法--基于"局部性原理,近期被访问过得主存块,在不久的将来也很可能被再次访问,因此淘汰最久没被访问过得快是合理的.LRU算法的实际运行效果优秀，Cache命中率高.
设总共有4个Cache快,初始整个Cache为空,采用全相联映射,依次访问主存块{1,2,3,4,1,2,5,1,2,3,4,5}
新调入的块计数器=0，之后每被访问一次计数器+1,需要替换时，选择计数器最小的一行
若有多个计数器最小的行,可按行号递增,或FIFO策略进行选择
LFU算法1--曾经被经常访问的主存块在未来不一定会用到(如；微信视频聊天相关的块)
并没有很好地遵循局部性原理,因此实际运行效果不如LRU
Cache写策略
增加一个脏位表示是否被修改过.
使用写缓冲,CPU写的速度很快,若写操作不频繁,则效果很好,若写操作很频繁,可能会因为写缓冲饱和而发生阻塞
页式存储器
假如一个微信有1GB大小，全部放入内存,并且需要连续存放,在很多时候会导致主存的利用率不高；为了让主存的利用率更高,就拿某个程序(4KB)来说,我们会把4KB的程序分为4个"页"，每个页面的大小相同
页面存储系统:一个程序在（进程)在逻辑上被分为若干个大小相等的"页面"，"页面"大小与"块"的大小相同,每个页面可以离散地放入不同的主存块中.
):程序员视角看到的地址
):实际在主存中的地址
虚拟存储器
思考:打游戏时候的"Loading"界面背后是在干嘛?
--将游戏地图相关数据调入内存
有效位：当有效位为0说明程序还在辅存中，还没有被调入到主存;反之亦然
外存块号:可以找到每个页面在外存中存放的位置
访问位:页面替换算法;解决主存和辅存之间的替换
脏位:这个页面是否被修改过
按照功能模块拆分如:#0段是自己写的代码,#1段是库函数代码,#2是变量