关键词-区域合作协议，供应链1，供应链2QDR
摘要 在湿化学加工中，制造需要表面清洁度和表面光滑度[1]。有必要完美地控制所有的工艺参数，特别是对于常见的清洁技术RCA clean (SC-1和SC-2) [2]。本文讨论了表面处理参数的特点及其影响。硅技术中RCA湿化湿化学处理的特点SC-1和QDR处理时间、温度、浓度和兆频超声功率。通过增加湿法清洗化学过程的变量，提出了改进晶片表面制备的方法。
介绍 华林科纳对SC-1和QDR广泛研究了加工时间、温度、浓度和兆频超声功率的影响。这些研究表明，对颗粒去除效率影响最大的主要因素是兆频超声波功率，其次是温度和浓度，SC-2的影响较小.在湿式台式处理机中进行了统计设计实验。本文将提出晶片表面制备RCA基于合适配方的配方SC-1和QDR以及SC-兆频超声功率为1，具有最佳的粒子去除效率。 实验 晶片在氢氟酸浴和带旋转干燥器的耐腐蚀工具类型中处理，晶片被故意污染。HF晶圆表面会变得疏水，排水，容易吸引颗粒。典型的污染从100–2000颗粒子不等，粒子阈值为0.13和0.16 Pm。由于前处理很大程度上取决于初始计数和晶圆的初始条件(污染前的清洗)，晶圆是针对每个DOE随机选择条件。污染晶片的所有实验都是在同一批样品上进行的。
由于虚拟晶片含有可能转移到裸硅晶片的蚀刻副产物，三个晶片用于槽1、25和50，中间涂有虚拟氧化物和蚀刻晶片，以模拟实际生产条件，提供具有挑战性的污染水平。使用SP1.一种基于激光的粒子计数器来检测粒子水平，以获取前后扫描数据。SP1雾霾地图。雾是暗场检查过程中激光散射产生的低频信号，能反映晶圆加工引起的表面均匀性或粗糙度的微小变化。将使用JMP为了确定颗粒去除效率，软件通过可变性图进一步分析数据。 结果 结果表明，和SC-2工艺相比，0.06um以上颗粒具有较高的颗粒去除效率。对于0.13um及以上的颗粒，颗粒去除效率无显着差异。当溶液的pH减少[5]时，粒子与衬底之间zeta电势增加。因此，在SC-酸化学中颗粒的再沉积会降低颗粒的去除效率。SC-1清洗后的SC-清洗不是理想的工艺顺序。但是，SC-化学物质有助于去除金属污染。在不影响金属污染的过程中，需要跳过SC-2清洗。 
结论 以SC-以化学为主的兆频超声能量获得了优异的成绩PRE。兆频超声能量和化学稀释有助于去除颗粒而不增加表面粗糙度。可用于平衡声能SC-化学浓度低，处理时间短。在统计设计实验中观察到SC-1温度是使用SC-化学去除颗粒的第二个主要因素。浴温也有助于改变功率SC-去除颗粒稀释和短加工时间的影响.消除SC-2工艺也改善了PRE。这大大降低了化学品的消耗，为下一代集成器件提供了先进的工艺成果。这一发展的主要成就是稀释高温、短浸泡时间和适当的兆频超声功率SC-优化预浓缩。对于半导体制造商来说，使用大量稀释的化学物质具有显著的成本节约效果。化学品用量的减少也降低了废水处理的要求，形成了环保制造模式。