齐纳击穿了大多数杂质浓度较高的二极管，如稳压管（齐纳二极管）。
在高反向电压下，PN结空间电荷区有一个强电场，可以破坏共价键，将束缚电子分离，导致电子空穴对，形成较大的反向电流。齐纳击穿所需的电场强度约为2*105V/cm，这只是在杂质浓度特别高的情况下PN由于杂质浓度大，空间电荷区电荷密度(即杂质离子)大，空间电荷区很窄，电场强度可能很高。一般情况下，整流二极管的掺杂浓度没有那么高，其中大部分是由雪崩击穿引起的。
雪崩击穿多发生在杂质浓度低的二极管中，一般需要较高的电压(>6V)，击穿电压与浓度成反比。
当PN当结反向电压增加时，空间电荷区的电场增加。通过空间电荷区的电子和空穴，在电场作用下获得的能量增加。在晶体中移动的电子和空穴将不断与晶体原子碰撞。当电子和空穴的能量足够大时，通过这种碰撞，共价键中的电子刺激可以形成自由电子空穴对，称为碰撞电离。新产生的电子和空穴，就像原来的电子和空穴一样，在电场的作用下，也向相反的方向移动，重新获得能量，然后通过碰撞产生电子空穴对，这是载流子的倍增效应。当反向电压升高到一定值时，载流子的倍增就像陡峭雪山坡上的雪崩。载流子增加得越来越快，反向电流急剧增加，因此PN雪崩击穿。
，当稳压管两端的反向电压降低时，管道仍可恢复到原状态。但是，反向电流和反向电压的乘积不超过PN如果结容许的耗散功率超过，会因为热量不能散去而导致PN结温升高，直到过热烧坏。这种现象是。因此，热击穿和电击穿的概念是不同的。人们常使用电击穿(如稳压管)，必须尽量避免热击穿。
1) PN结的反向击穿电压是多少？
采用适当的掺杂工艺，硅PN雪崩击穿电压可控制在8~1000V。齐纳击穿电压低于5V。在5～8v丽种击穿可能同时发生。
2) 二极管三极管和稳压管一样吗？
不一样,BC结的反向击穿电压低的几十伏，高的几百伏，但有一点是一样的，那就是NPN管的BE结反击穿电压为6V左右,因此NPN管的BE结可当6V稳压管用。
补充:所有硅管都应该是(PNP和NPN)的BE结都有反向击穿电压都是6V利用这一特性，可以识别管道的C和E脚，用10K档分别测BC和BE反向电阻击穿反向电阻BE结。