二极管的三种击穿形式
击穿二极管通常有三种情况：。
PN结反击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿，通常同时存在两种击穿。对齐纳管而言，两者的主要区别是：电压低于5-6V齐纳管主要击穿齐纳，稳压值温度系数为负；电压高于5-6V雪崩击穿的齐纳管温度系数为正；电压为5-6V齐纳管具有相似的击穿程度和最佳的温度系数，这就是为什么许多电路使用5-6V齐纳管的原因。
(1)雪崩击穿
掺杂浓度低的PN当外部反向电压高到一定值时，由于外电场过强，结较厚。PN结中的少数载流子获得了很大的动能，直接与原子碰撞，将原子电离，产生新的电子空穴对。由于链反应，少数载流子数量急剧增加，反向电流雪崩快速增加。这种现象被称为雪崩。雪崩击穿通常发生在高反压和低掺杂的情况下。稳定电压VZ>7V雪崩击穿。
(2)齐纳击穿
高掺杂(即杂质浓度高)形成的PN因为结很薄，即使外加电压不高(如4)V），它可以产生一个强大的电场来拉出结内共价键中的价格电子，产生大量的电子空穴对，从而急剧增加反向电流。这种现象被称为齐纳击穿。齐纳击穿通常发生在低反压和高混合物中。稳定电压低 （VZ<4V）齐纳击穿了。
（3）热击穿
例如，在使用二极管的过程中，因为PN结功耗(反向电流和反向电压之积)过大，导致结温升高，电流增大，反复循环，超过PN允许结的功耗，使PN结击穿被称为热击穿。二极管在热击穿后会永久损坏，因此必须避免热击穿。