1.前言

最近做了一个电机控制项目我发现通过外部功率 MOSFET 切换高电流以对 BLDC 当电机转向时，振铃可能会发生

导致电磁干扰 (EMI)、电路抖动、过度功耗和组件过载的问题。

2.原因分析

这通常是因为印刷电路板 (PCB) 由寄生电感和电容引起的特别是在高侧和低侧 MOSFET 高载流相位网络之间。

电感器和电容器形成电感器-电容器 (LC) 谐振电路，因此，开关事件发生时产生谐振。

图 1 – 由于 LC 电机相位输出处振铃谐振腔谐振

为了减少相位输出端的振铃可使用简单的电阻电容 (RC) 缓冲电路可以缓冲或抑制振荡。

通过消除振荡，这将降低潜力 EMI 通过过减少电压过应力来减少延长 MOSFET 使用寿命。

RC 并联放置缓冲器，尽可能靠近每一个 MOSFET 的漏极和源极连接。

图 2 – RC 缓冲器

为了计算RC 缓冲电路的电阻器 (Rsnub) 和电容器 (Csnub) 值，

我们将使用7 移动步骤 MOSFET 计算电路寄生电容器的谐振频率 (C0) 和电感(L)。

一旦知道了，它们将用于推导 RC 缓冲值。

使用所示例 DRV8343-Q1 EVM 的 CSD18540Q5B MOSFET (Qgd = 6.8nC) 旁边的 RC 缓冲器。

图 3 –不使用 RC 缓冲器的 VDS振铃的测量 fo

图 4 –在 C0= 100pF 时测量VDS振铃的f1

图 5 – 使用计算的 RC 抑制缓冲器值 MOSFET 振铃

图 5 计算显示 RC 减少缓冲器值的尖峰和阻尼效果。我们可以通过改变 C提高或降低振铃的缓冲值。 Csnub 较大值将进一步降低电压尖峰幅度，但会增加 Rsnub 功率损失。

或者，也可以通过减少 Csnub来降低Rsnub 中的功耗，但是铃声会增加。因此，必须权衡可接受电压环的范围和范围 R平衡缓冲损失。

消除振铃效应后 VDS正负电压瞬变发生在开关事件中，

还可以减少进入 MOSFET 格栅极的源电流或来自 MOSFET 网极灌电流。

这将增加 MOSFET 开关的上下时间和最大瞬态峰值减少。当关闭 MOSFET 当不超过任何最大负瞬态规范时，负电压瞬态的监测非常重要。