目录
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- 二极管肖特基
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- 区别
- 优点
- 缺点
- 应用
- 命名和型号
- 整流二极管
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- 作用
- 低频整流二极管
- 二极管高频整流
二极管肖特基
区别
普通二极管:P型半导体 N型半导体 形成PN结 二极管:金属 N型半导体
优点
1.反向恢复时间小(<10ns)
2.开启电压小,导通压降小
缺点
1.反向击穿电压低
2.反向漏电流大
应用
适用于高频、低压、大电流电路
命名和型号
1.MBR系列 例:MBR10200CT M——Motorola品牌 B——Barrier势垒 R——Rectifier整流 10——10A前额定整流电流 200——200V反向耐压值 C——TO-200封装 T——Tube 例:MBR D/B/F 10100CT D/B/F——封装形式
2.按电流分类 1A: 1N17~1N19 1S20~1S60 1N5817~1N5819 SR/SB120~180
2A: SR/SB220~280
3A: SR/SB320~380
5A: SR/SB520~5100
10A: MBR1035 MBR1060
整流二极管
作用
交流电利用二极管单向导电转化为直流电
低频整流二极管
特点: 1.If前额定电流大 2.Vr高反向耐压值 3.结电容大-不适合高频信号 4.硅管-良好的温度特性 例:1N40000系列,1N5400系列
二极管高频整流
要考虑If、Vr、fm最高工作频率,Trr反向恢复时间 四个参数
二极管快速恢复(Trr在100n到300ns之间) FR、PFR小功率 RC、MHR大功率
二极管肖特基(Trr<10ns)