大学模电没有肖特基二极管的内容，但在实际工作中，肖特基二极管甚至比普通二极管更有用。
与此同时，。
让我们简单谈谈我对这一节的看法的理解。
肖特基二极管本质上是金属与半导体材料接触时，在界面半导体处可以弯曲形成的。
这个定义比较官方，估计一眼就忘了。
在这个势垒上加上正电压(金属电压)>半导体电压)，然后减少了半导体和金属之间的势垒。这样，电子就会从半导体流向金属，形成正电流。
反之，当加上反向电压，势垒被加大，电流基本为0，也就是说反偏截止了。
这是肖特基二极管的工作原理。
当然，错误是对的。这是时候了来解释的。
这样，金属块中有许多自由电子。我们称之为自由，这意味着它们可以在金属块中自由移动。只有加一点电压，电子才能在金属块中移动。
但如果你想让它们脱离金属，飞向真空，这应该是非常困难的。有一个参数来衡量它有多困难，那就是。
，它是从固体内部到外部的电子所需的最少能量。
事实表明，金属比半导体大（半导体称为电子亲合能）。因此，电子更难与金属分离，而半导体相对容易。
因此，当金属和半导体在一起时，金属会得到电子。
虽然我不帅，但事实就是这样。
P型半导体，N事实上，大多数型半导体都是硅原子，但它们与少量杂质混合，其主要特性没有改变，即硅晶体。
因此，。
而，得失电子要考虑逸出功。
其实，P我们也可以考虑逃逸。但它们可以被视为一种材料，逃逸是一样的，也就是说，没有影响，所以一般不提，主要考虑扩散效应。
在这里，需要注意的是，金属与半导体接触不一定会形成二极管。
当N型半导体高度混合时，会形成势垒，此时，电子可以通过隧道效应直接穿过这个薄弱的势垒。
此时，这个势垒相当于一个低电阻，没有二极管的整流特性。这种接触称为。
掺杂低时形成，由于隧道效应，电子不能越过势垒区。此时，二极管将形成。这种金属-半导体接触称为。
根据我们之前的文章，普通二极管的速度很慢，原因是，反向恢复时间是因为导致的。
如果不清楚，可以点击下面的链接再看。
链接:二极管结电容和反向恢复时间是怎么来的？
从肖特基二极管的工作原理可以看出，，那是电子，也是多子。
所以没有反向恢复时间，或者反向恢复时间很短。
当我写这篇文章时，我读了很多。其中，百度百科全书，我给你贴出来看看。
本文介绍了我个人对肖特基二极管理原理的理解，希望对同学们有所帮助。
如有错漏，请在指出，共同进步。