- 保护MOS：当DS当两级电压过高时，二极管会被击穿，然后得到保护MOS；
- 提供反向通路：电感续流或寄生参数产生的过流或SD两级误加电压(实际上是保护)；
- 实现开关技术：软开关的续流通道，同步整流DS两端电压检测等；
- 工艺决策：制造商生产后MOS就自带一个PN结，即所述的体二极管。
- 保护：流过时SD当电流过大时，部分电流可以分流；对于高速开关，体二极管不能快速打开，电流不能通过，然后损坏MOS，因此，并联二极管多为快速恢复或肖特基。
- 降低损耗：MOS体二极管压降大于肖特基二极管，其导通损耗较大，外并联肖特基二极管可减少导通损耗(需确定)。
- 与肖特基相比，体二极管的反向恢复特性并联肖特基二极管可以减少反向恢复的损失。