看完视频后，点击视频链接here。 由二极管组成的逻辑函数缺点：电平偏移，负载能力差，仅用于IC内部电路

提示：以下是本文的文本内容，以下案例可供参考

• 热敏性：随着环境温度的升高，半导体的导电性增加
• 光敏：半导体的导电能力在光照下会发生显著变化
• 掺杂性：将某些杂质混合到纯半导体中，半导体的导电性会发生显著变化

N半导体混合了5价原子，半导体本身的结构没有改变，所以在构成共价键后，N价半导体自由电子数量大幅增加，自由电子导电是主要的导电方式，称为电子半导体或N型半导体。

• 自由电子
• 少数载流子（少子）：空穴

P半导体与3价原子混合，半导体本身的结构没有改变，因此在构成共价键后，空穴数量大幅增加，空穴导电是主要的导电方式，称为空穴半导体或P型半导体。

• 大多数载流子(多子):空穴
• 少数载流子（少子）：自由电子

PN结：P特殊薄层与N型半导体交界面

• 多子扩散运动：P型半导体的多子为空穴，N由于扩散运动，空穴的运动方向是电子的。P->N，电子的移动方向是N->P，P电子增加带负电荷的型半导体，N由于空穴增加，型半导体带有正电。
• 少子漂移运动：由于电荷之间的同性，异性相吸，带负点的P型半导体会将部分电子推向N型半导体，N类型半导体中空穴也部分移动到P型半导体。
• 扩散和漂移最终会达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变

P接正极，N接负极 P多子型半导体为空穴，N多子在型半导体中是电子的，多子在电厂的作用下定向移动，形成较大的正电流。正电阻小，在导通状态。

P接负极，N接正极 少子在电厂的作用下定向移动，形成小的正电流。反向电阻大，处于截止状态。

二极管组成：一PN结合上引线和封装。 根据二极管的组成，它也具有上述功能PN结正截止日期的性质是单向导电。 此外，二极管还具有伏安特性。正电压不足以产生电流的区域称为二极管的死区。详见他人视频。 其实记住前面PN根据结的原理，伏安特性可以很好地理解。电压越高，多子流量越大，电流越大。I=U/R，电阻减小。 反向击穿可以作为打开共价键，所以原来PN结中的少子不能限制流量，少子数量增加，电流迅速增加。