处理速度、功耗、程序存储器和数据存储器的容量、片中的资源，如定时器的数量，I/O口数、中断数、DMA通道数等。主要供应商有TI，ADI，Motorola,Lucent和Zilog等，其中TI市场份额最大。 TI目前公司主要推四大系列 1）C5000系列(定点、低功耗):C54X，C54XX，C55X与其他系列相比，低功率的主要特点是 因此，最适合个人和便携式互联网和无线通信应用，如手机PDA、GPS等应用。处理速度在80MIPS-- 400MIPS之 间。C54XX和C55XX一般只具有McBSP同步串口、HPI并行接口、定时器、DMA等外设。值得注意的是C55XX提供了EMIF可直接使用外部存储器扩展接口SDRAM， 而C54XX不能直接使用。两个系列的数字IO都 只有两条。 2）C2000系列（定 点、控制器）：C20X，F20X，F24X，F24XX，C28x该芯片有大量的外设资源，如：A/D、定时 各种串口(同步和异步)，WATCHDOG、CAN总 线/PWM发生器，数字IO脚等。是针对 最佳控制应用，在TI所有的中，只有C2000有FLASH，只有这个系列有异步串口才能和谐PC的UART相连。 3）C6000系列：C62XX，C67XX，C64X该系列以高性能命名，最适合宽带 网络和数字图像应用。32bit，其中：C62XX和C64X是定点系列，C67XX浮点系列。该系列 提供EMIF扩展存储接口。该系列只提供BGA封 安装，只能做多层PCB。而且功耗大。也是浮点系列C3X中 的VC33虽然非主流产品仍被广泛使用，但速度较低，最高为150MIPS。 4）OMAP系列：OMAP处理器集成ARM此外，还提供命令和控制功能低功耗实时信号处理 最适合移动互联网设备和多媒体家电的能力。 其他系列的曾经有过风景，现在都不是了TI除了C3X除系列外，其他基本处于淘汰阶段，如：C3X的浮 点系列：C30，C31，C32 C2X和C5X系列：C20，C25，C50 每 个系列的它们都有自己的主要应用领域.
原 遇到问题就去www.ti.com 1） 在TI在网站搜索中使用keyword搜索资 材料，主要注意的是Application Notes，user guides比如不知道怎样进行VC5402的McBSP编程，搜McBSP和VC5402假如不知道怎么设计VC5402和TLV320AIC接口及编程，搜TLV320AIC23和VC5402;这样，你就可以找到一堆信息，这些信息通常都有PDF文 提供文件描述和相应的源程序包，download然后做一点改动 2）来交流网，HELLODSP真诚欢迎每一位有需要的朋友 3）google搜 4)不管有多糟糕，找技术支持，碰运 气了 新手进行在开发学习的时候，经常会觉得技术文档太多，在哪里？ 本都有用，哪本都想看，无从下手。此时原则是只看入门必须的、只看和芯片相关的。根据经验，如下的资料必看不可: 1） 讲述的CPU，memory，program memory addressing,data memory addressing所有的资料都需要看，外设资源的资料只能看自己使用的部分； 2）C编程指南需要看 3)汇编指令和C语言的运行时间支持库，DSPLIB其他信息需要查看，如：Applications Guide，Optimizing CC Compiler User's Guide，Assembly Language Tools User's Guide等待资料入门后再去看体验 更深一些。
1)根据应用领域选择TI推荐的类型 2)参考选定之EVM板，DSK等 原理图，完成构建最小系统(包括扩展内存空间、电源复位系统、连接各控制信号管脚、JTAG口的连接等)； 3)根据具体应用需要 要选择外围电路的扩展，语音、视频、控制等领域一般都有成熟的电路TI获取网站。外围电 路与可参考接口EVM或DSK，以及所选外围电路芯片的典型接口设计原理图；最好选择外围电路芯片TI在这种情况下，无论硬件接口是否有现成的原理图，都有很多 连与其接口的基本控制源码都有。 4)地址译码，IO扩展等用CPLD或者FPGA来做，将地址线、数据线、控制信号线等IS/PS/DS引进有利于调试 如果你不是纯粹的算法，而是在目标版本中开发，你需要使用它的 电影上的外设需要控制电影外接口电路，建议在编写程序之前明确目标版本的电路设计。最重要的是程序、数据、I/O空 间的译码。不管是否纯做算法还是软硬结合，的CPU,memory,program memory addressing, data mem.ory addressing所有的资料都需要看. 1）看CCS的使用指南 2）明白CMD文件的编写 3)了解中断向量表文件的编写，并将其定位在正确的地方 4） 运行一个纯simulator程序，理解CCS的 各个操作 5）到TI网站下的相关源 编程代码，参考源代码的结构 6)无论是C编 程还是ASM编程、模块化是必要的
记住一个原则，TI的 不断改进的工程师CCSC程序优化编译 现在C优化的效率可以达到手工汇编的90% 甚至更高。当然，有时如果计算能力和内存资源是瓶颈，ASM还是有优势的，比如G.729编解码。但对于一般应用开发，C是最好的 选择。 新手编程选择C和汇编混合 合编程更有利 一 般来说，买个并口的EPP够了，价格便宜稳定，现在用的比较多USB接口仿真器 请 详细阅读TI文档SPRA618A、SPRA571，这些文档是对的boot详细介绍了机制 说明同时说明使用hex500将*.out文 件转化为*.hex需要编写的文件cmd文 件的写法。的 内部指令周期高，外部晶振主频不够，因此大部分电影都有PLL。但是每个系列都不一样。 1)TMS320C2000系 列： TMS320C20x：PLL可 以÷2，×1，×2和×因此，外部时钟可以是5MHz－40MHz。 TMS320F240：PLL可以÷2，×1，×1.5，×2，×2.5，×3，×4，×4.5，×5和×所以外部时钟可以是2.22MHz－40MHz。 TMS320F241/C242/F243：PLL可 以×所以外部时钟是5MHz。TMS320LF24xx：PLL可以由RC因此，外部时钟是4MHz－20MHz。 TMS320LF24xxA：PLL可以由RC因此，外部时钟是4MHz－20MHz。 2)TMS320C3x系列： TMS320C3x： 没有PLL，因此，外部主频是工作频率的两倍。 TMS320VC33：PLL可以÷2，×1，×5， 所以外部主频可以是12MHz－100MHz。 3)TMS320C5000系列： TMS320VC54xx：PLL可以÷4，÷2，×1-32，所以外部主频可以是0.625MHz－50MHz。 TMS320VC55xx：PLL可以÷4，÷2，×1-32， 所以外部主频可以是6.25MHz－300MHz。 4)TMS320C6000系列： TMS320C62xx：PLL可以×1，×4，×6，×7，×8，×9，×10和×所以外部主频可以是11.8MHz－300MHz。 TMS320C67xx：PLL可以×1和×因此，外部主频可以是12.5MHz－230MHz。 TMS320C64xx：PLL可以×1，×6和×所以外部主频可以是30MHz－720MHz
指令周期快，访问慢 等待应添加到快速存储器或外设中。等待分为硬件等待和软件等待，每个系列的等待不完全相同。 1)对 于C2000系列： 硬件等待信号为READY， 平时不等高电。软件等待理由WSGR寄存器决定最多可以添加7个等待。程序存储器、数据存储器和数据存储器I/O可以分别 设置。 2)对于C3x系列： 硬件等待信号/RDY，低电平不等待。总线控制寄存器中的软件等待SWW和WTCNY决定，可以加入最多7个等待，但等待是不分的，除了片内之外全空间有效。 3)对 于C5000系列： 硬件等待信号为READY， 高电平时不等待。软件等待由SWWCR和SWWSR寄 存器决定，可以加入最多14个等待。其中程序存储器、控制程序存储器和数据存储器及I/O可以分别设置。 4)对于C6000系列（只限于非同步存储器或外设）： 硬件等待信号为ARDY， 高电平时不等待。 软件等待由外部存储器接口控制寄存器决定，总线访问外部存储器或设备的时序可以设置，可以方便的同异步的存储器或外设接口。 1)电源和地连接正确。 2)时 钟正确。 3)的主要控制信号，如RS和HOLD信号接高电平。 4)C2000的watchdog关掉。 5)不可屏蔽中断NMI上拉高电平。 CCS或Emurst运行时提示“Can't Initialize Target ” 1)仿真器连接是否正常？ 2)仿真器的I/O设置是否正确？ 3)XDSPP仿真器的 电源是否正确？ 4)目标系统是否正确？ 5)仿 真器是否正常？ 6)工作的基本条件是否具备。 建议使用目标板测试。
CCS是开放的软件平台，它可以支持不同的硬件接口，因此不同的 硬件接口必须通过标准的Driver同CCS连 接。 Driver安装的常见问题？ 请 认真阅读“安装手册”和Driver盘中的Readme。 1)对于SEED-XDS，安装Readme中的步骤，将I/O口设为240/280/320/340。 2)对于SEED-XDSPP，安装Readme中的步骤，将I/O口设为378或278。3)对于SEED-XDSUSB， 必须连接目标板，安装 Readme中的步骤，将I/O口 设为A，USB连接后，主机将自动激活相应 的Driver。 4)对于SEED-XDSPCI，安装Readme中的步骤，将I/O口设为240，PCI接口板插入主机后，主机将自动激活相应的Driver。 5)对于Simulator，需要选择不同的CFG文件，以模拟不同的。 6)对于C5402 DSK，将I/O口设为请认真阅读“安装手册”和Driver盘中的Readme。 1)对于SEED-XDS，安装Readme中的步骤，将I/O口设为240/280/320/340。 2)对于SEED-XDSPP，安装Readme中的步骤，将I/O口设为378或278。注意主机BIOS中并口的型式必须同xds510pp.ini 中 一致。 3)对于SEED-XDSUSB， 必须连接目标板，安装Readme中的步骤，将I/O口 设为240/280/320/340，USB连 接后，主机将自动 激活相应的Driver。 4)对 于SEED-XDSPCI，安装Readme中 的步骤，将I/O口设为240/280/320/340，PCI接口板插入主机后，主机将自动激活相 应的Driver。 5)对于Simulator，需要选择不同的CFG文件，以模拟不同的。 6)对于C5402 DSK，将I/O口设为378或278。 7)对于C6211/6711 DSK，将I/O口设为378或278。 8)对于C6201/C6701 EVM，将I/O口设为0。 Link的cmd文件用于代码的定位。由于的编译器的编译结果是未定位的，没有操作系统来定位执行代 码，每个客户设计的系统的配置也不尽相同，因此需要用户自己定义代码的安装位置。以C5000为例，基本格式为： -o sample.out -m sample.map -stack 100 sample.obj meminit.obj -l rts.lib MEMORY { PAGE 0: VECT: origin = 0xff80, length 0x80 PAGE 0: PROG: origin = 0x2000, length 0x400 PAGE 1: DATA: origin = 0x800, length 0x400 } SECTIONS { .vectors : {} >PROG PAGE 0 .text : {} >PROG PAGE 0 .data : {} >PROG PAGE 0 .cinit : {} >PROG PAGE 0 .bss : {} >DATA PAGE 1 }
的开发软件集成了一个程序，可 以从执行文件OUT转 换到编程器可以接受的格式，使得编程器可以用次文件烧写EPROM或Flash。对于C2000的程序 为DSPHEX；对于C3x程序为HEX30；对于C54x程序为HEX500；对于C55x程序为HEX55；对于C6x程序为Hex6x。以C32为 例基本格式为： sample.out -x -memwidth 8 -bootorg 900000h -iostrb 0h -strb0 03f0000h -strb1 01f0000h -o sample.hex ROMS { EPROM: org = 0x900000,len=0x02000,romwidth=8 } SECTIONS { .text: paddr=boot .data: paddr=boot } CCS是开放的软件平台， 它可以支持不同的硬件接口，因此不同的硬件接口必须通过标准的Driver同CCS连接。 Link的cmd文件用于代码的定位。由于的编译器的编译结果是未定位的，没有操作系统来定位执行代码，每个客户设计 的系统的配置也 不尽相同，因此需要用户自己定义代码的安装位置。以C5000为例，基本格式为： -o sample.out -m sample.map -stack 100 sample.obj meminit.obj -l rts.lib MEMORY { PAGE 0: VECT: origin = 0xff80, length 0x80 PAGE 0: PROG: origin = 0x2000, length 0x400 PAGE 1: DATA: origin = 0x800, length 0x400 } SECTIONS { .vectors : {} >PROG PAGE 0 .text : {} >PROG PAGE 0 .data : {} >PROG PAGE 0 .cinit : {} >PROG PAGE 0 .bss : {} >DATA PAGE 1 } 1) 的C语言是标准的ANSI C，它不包括同外设联系的扩展部 分，如屏幕绘图等。但在CCS中，为了方便调试，可以将数据通过prinf命令虚拟输出到主机的屏幕上。 2)的C语言的编译过程为，C编译为ASM，再由ASM编译为OBJ。因此C和ASM的对应关系非常明确，非常便于人工优化。 3)的代码需要绝对定位；主机的C的代码有操作系统定位。 4)的C的效率较高，非常适合于嵌入系统。 在CCS下有部分客户会碰到编译工具工作不正常，常见错误为： 1)autoexec.bat的路 径“out of memory”。修改autoexec.bat，清除无用的PATH路径。 2)编译的输出文件（OUT文件）写保护，无法覆盖。删除或修改输出文件的属性。 3)Windows有问题。重新安 装windows。 4)Windows下有程序对CCS有影响。建议用一“干净”的计算机。 CCS下的存储器空间最好设置同你的硬件，没有的存储器不要有效。这样便于调试，CCS会发现你调入程序时或程序运行时，是 否访问了无效地址。 1)在GEL文件中设置。参见CCS中的示例。 2)在Option菜单下，选择Memory Map选项，根据你的硬件设置。注意一定要将Enable Memory Mapping置为使能。 Link的CMD文件分配的地址同GEL或设置的有效地址空间不符。中断向量定位处或其它代码、数据段定位处，没有RAM，无法加载OUT文件。解决方法： 1)调整Link的CMD文件，使得定位段处有RAM。 2)调整存储器设置，使得RAM区有效。 1)BIOS是Basic I/O System的简称，是基本的输入、输出管理。 2)用于管理任务的调度，程序实时分析，中断管理，跟踪管理和实时数据交换。 3)BIOS是基本的实时系统， 使用BIOS可以 方便地实现多任务、多进程的时间管理。 4)BIOS是 的标准平台，要使用 技术，必须使用BIOS。
1.TMS320C2000 TMS320C2000系列包括C24x和C28x系列。C24x系列建议使用LF24xx系列替代C24x系列，LF24xx系列的价格比C24x便 宜，性能高于C24x，而且LF24xxA具有加密功能。 C28x系列主要用于大存储设备管理，高 性能的控制场合。 2.TMS320C3x TMS320C3x系列包括C3x和VC33，主要推荐使用VC33。C3x系列是TI浮点的基础，不可能停产，但价格不会进一步下调。 3.TMS320C5x TMS320C5x系列已不推荐使 用，建议使用C24x或C5000系列替代。 4.TMS320C5000 TMS320C5000系列包括C54x和C55x系列。其中VC54xx还不断有新的器件出现，如：TMS320VC5471（＋ARM7）。 C55x系列是TI的第三代，功耗为VC54xx的1/6，性能为VC54xx的5倍，是一个正在发展的系列。 C5000系列是目前TI 的主流，它涵盖了从低档到中高档的应用领域，目前也是用户最多的系列。 5.TMS320C6000 TMS320C6000系列包括C62xx、C67xx和C64xx。此系列是TI的高档系列。其中C62xx系列是定点的，系列芯片种类较 丰 富，是主要的应用系列。 C67xx系列是浮点的，用于需要高速浮点处理的领域。 C64xx系列是新发展，性能是C62xx的10倍。 6.OMAP系列 是TI专门用于多媒体领域的芯片，它是C55＋ARM9，性能卓越，非常适合于手持设备、Internet终端等多媒体应用。 TI 的发展同集成电路的发展一样，新 的都是3.3V的，但目前还有许多外围电路是5V的，因此在系统中，经常有5V和3.3V的混接问题。在这些系统中，应注意： 1)输出给5V的电路（如D/A），无需加任何缓冲电路，可以直接连 接。 2)输入5V的信号（如A/D），由于输入信号的电压>4V，超过了的电源电压，的外部信号没有保护电路，需要加缓冲，如 74LVC245等，将5V信号变换成3.3V的信号。 3)仿真器的JTAG口的信号也必须为3.3V，否则有可能损坏。 目前发展的片内存储器RAM越来越大，要设计高效的系统，就应该选择片内RAM较大的。片内RAM同片外存储器相比，有以下优点： 1)片内RAM的速度较快，可以保证无等待运行。 2)对于C2000/C3x/C5000系列，部分片 内存储器可以在一个指令周期内访问两次，使得指令可以更加高效。 3)片内RAM运行稳定，不受外部的干扰影响，也不会干扰外部。 4)片内多总线，在访问片内RAM时，不会影响其它总线的访问，效率较 高。 超大规模集成电路的发展从1um，发展到目前的0.1um，芯片的电源电压也随之降低，功 耗也随之降低。也同样从5V发展到目前的 3.3V，核心电压发展到1V。目前主流的的外围均已发展为3.3V，5V的的价格和功耗都价格，以逐渐被3.3V的取代。 TMS320LF24xx：TPS7333QD，5V变3.3V，最大500mA。 TMS320VC33： TPS73HD318PWP，5V变3.3V和1.8V，最大750mA。 TMS320VC54xx：TPS73HD318PWP，5V变3.3V和1.8V，最大750mA； TPS73HD301PWP，5V变3.3V和可调，最大750mA。 TMS320VC55xx：TPS73HD301PWP，5V变3.3V和可调，最大750mA。 TMS320C6000： PT6931，TPS56000，最大3A。 的指令周期较快，访问慢速存储器或外设时需加入等待。等待分硬件等待和软件等待，每一个系列的等待 不完全相同。 1)对于C2000系列： 硬件等待信号为READY，高电平时不等待。 软件等待由WSGR寄存器决定，可以加入最多7个等待。其中程序存储器和数据存储器及I/O可以分别设置。 2)对于C3x系列： 硬件等待信 号为/RDY，低 电平是不等待。 软件等待由总线控制寄存器中的SWW和WTCNY决定，可以加入最多7个等待，但等待是不分段的，除了片内之外 全空间有效。 3)对于C5000系列： 硬件等待信号为READY，高电平时不等待。 软件等待由SWWCR和SWWSR寄存器决定，可以加入最多14个等待。其中程序存储器、控制程序存储器和数据存储器及I/O可以分别设置。 4)对于C6000系列（只限于非同步存储器或外 设）： 硬件等待信号为ARDY，高电平时不等待。 软件等待由外部存储器接口控制寄存器决定，总线访问外部存储器或设备的时序可以设置，可以方便的同 异步的存储器或外设接口。 为了方便存储器的配置，一般的中断向量可以重新定位，即可以通过设置寄存器放在存储器空间的任何地方。 注意：C2000的中断向量不能重定位。 TI的最高主频可以从芯片的型号中获得，但每一个系列不一定相同。 1)TMS320C2000系列： TMS320F206－最高主频20MHz。 TMS320C203/C206－ 最高主频40MHz。 TMS320F24x－最高主频20MHz。 TMS320LF24xx－最高主 频30MHz。 TMS320LF24xxA－最 高主频40MHz。 TMS320LF28xx－最高 主频150MHz。 2)TMS320C3x系列： TMS320C30：最高主频25MHz。 TMS320C31PQL80：最 高主频40MHz。 TMS320C32PCM60： 最高主频30MHz。 TMS320VC33PGE150： 最高主频75MHz。 3)TMS320C5000系 列： TMS320VC54xx：最高主频160MHz。 TMS320VC55xx：最高主频300MHz。 4)TMS320C6000系列： TMS320C62xx：最高主频300MHz。 TMS320C67xx：最高主频230MHz。 TMS320C64xx：最高主频720MHz。 可以，的主频均有一定的工作范围，因此均可以降频使用。 的速度较快，为了保证的运行速度，外部存储器需要具有一定的速度，否则访问外部存储器时需要加入等待周期。 1)对于C2000系列： C2000系列只能同异步的存储器直接相 接。 C2000系 列的目前的最高速 度为150MHz。 建议可以用的存储器有： CY7C199-15：32K×8，15ns，5V； CY7C1021-12：64K×16，15ns，5V； CY7C1021V33-12：64K×16，15ns，3.3V。 2)对于C3x系列： C3x系列只能同异步的存储器直接相接。 C3x系列的的最高速度，5V的为40MHz，3.3V的为75MHz，为保证无等待运行，分别需要外部存储器的速度<25ns和<12ns。建议可以用的存储器有： ROM： AM29F400-70：256K×16，70ns，5V，加入一个等待； AM29LV400-55(SST39VF400)：256K×16，55ns，3.3V，加入两个等待（目前没有更快的Flash）。 SRAM： CY7C199-15：32K×8，15ns，5V； CY7C1021-15：64K×16，15ns，5V； CY7C1009-15：128K×8，15ns，5V； CY7C1049-15：512K×8，15ns，5V； CY7C1021V33-15：64K×16，15ns，3.3V； CY7C1009V33-15：128K×8，15ns，3.3V； CY7C1041V33-15：256k×16，15ns，3.3V。 3)对于C54x系列： C54x系列只能同异步的存储器直接相接。 C54x系列的的速度为100MHz或160MHz，为保证无等待运行，需要外部存储器的速度<10ns或<6ns。建议可以用的存储器有： ROM： AM29LV400-55(SST39VF400)：256K×16，55ns，3.3V，加入5或9个等待（目前没有更快的Flash）。 SRAM： CY7C1021V33-12：64K×16，12ns，3.3V，加入一个等待； CY7C1009V33-12：128K×8，12ns，3.3V，加入一个等待。 4)对于C55x和C6000系列： TI的中只有C55x和C6000可以同同步的存储器相连，同步存储 器可以保证系统的数据交换效率更高。 ROM： AM29LV400-55(SST39VF400)：256K×16，55ns，3.3V。 SDRAM： HY57V651620BTC-10S：64M，10ns。 SBSRAM： CY7C1329-133AC，64k×32； CY7C1339-133AC，128k×32。 FIFO：CY7C42x5V-10ASC，32k/64k×18。
的驱动能力较强，可以不加驱动，连接8个以上标准TTL门。 1)单步可以运行，连续运行时总回0地址： Watchdog没有关，连续运行复位回到0地址。 2)OUT文件不能load到片内flash中： Flash不是RAM，不能用简单的写指令写入，需要专门的程序写入。CCS和C Source Debuggerload命 令，不能对flash写入。 OUT文件只能load到片内RAM，或片外RAM中。 3)在flash中如何加入断点： 在flash中可以用单步调试，也可以用硬件断 点的方法在flash中加入断点，软件断点是不能加在ROM中的。硬件断点，设置存储器的地址，当访问该地址时产生中断。 4)中断向量： C2000的中断向量不可重定位，因此中 断向量必须放在0地 址开始的flash内。 在调试系统时，代码放在RAM中，中断向量也必须放在flash内。 1)TMS320C32的存储器配置： TMS320C32的程序存储器可以配置为16位或32位；数据存储器可以配置为8位、16位或32位。 2)TMS320VC33的PLL控制： TMS320VC33的PLL控制端只能接1.8V，不能接3.3V或5V。 对于有MPSD仿真口的（TMS320C30/C31/C32），不能用一套仿真器同时调试，每次只能调试其中的一个；对于有JTAG仿真口 的，可以将JTAG串接在一起，用一套仿真器同时调试多个，每个可以用不同的名字，在不同的窗口中调试。注意：如果在JTAG和 间加入驱动，一定要用快速的门电路，不能 使用如LS的慢速 门电路。 的速度较快，要求译码的速度也必须较快。利用小规模逻辑器件译码的方式，已不能满足系统的要求。同时，系统中也经常需要外部快速部件的 配合，这些部件往往是专门的电路，有可编程器件实现。 CPLD的时序严格，速度较快，可编程性 好，非常适合于实现译码和专门电路。 1)电源： TPS73HD3xx，TPS7333，TPS56100，PT64xx... 2)Flash： AM29F400，AM29LV400，SST39VF400... 3)SRAM： CY7C1021，CY7C1009，CY7C1049... 4)FIFO: CY7C425，CY7C42x5... 5)Dual port： CY7C136，CY7C133，CY7C1342... 6)SBSRAM： CY7C1329，CY7C1339... 7)SDRAM： HY57V651620BTC... 8)CPLD： CY37000系列，CY38000系列，CY39000系列... 9)PCI： PCI2040，CY7C09449... 10)USB： AN21xx，CY7C68xxx... 11)Codec：TLV320AIC23，TLV320AIC10... 12)A/D,D/A：ADS7805，TLV2543... 的速度尽快，EPROM或flash的速度较慢，而片内的RAM很快，片外的RAM也较快。为了使充分发挥它的能力，必须将程序代码放 在RAM中运行。为了方便的将代码从ROM中搬到RAM中，在不带flash的中，TI在出厂时固化了一段程序，在上电后完成从ROM或外设将代码 搬 到用户指定的RAM中。 此段程序称为“boot loader”。 在MC/MP管脚为高时，C3x进入boot状态。C3x的boot loader在reset时，判断外部中断管脚的电平。根 据中断配置决定boot的方式为存储器加载还是串口加载，其中ROM的地址可以为三个中的一个，ROM可以为8位。 1)仔细检查boot的控制字是否正确。 2)仔细检查外部管脚设置是否正确。 3)仔细检查hex文件是否转换正确。 4)用仿真器跟踪boot过程，分析错误原因。 在RESET后，许多的寄存器的初值一般同用户的要求不一致，例如：等待寄存器，SP，中断定位寄存器等，需要通过初始化程序 设置为用户要求的数值。 初始化程序的主要作用： 1)设置寄存器初值。 2)建立中断向量表。 3)外围部件初始化。 TI公司为了方便客户开发，在它的网站上提供了许多程序的示例和应用程序，如MATH库，FFT，FIR/IIR等，可以在TI的网页免费下载。 TI有许多的Third Party可以通过上的多种算法软件。可以通过TI的网页搜索你所需的算法，找到通过算法的公司，同相应的公司联系。注意这些算法都是要付费的。 eXpressDSP是一种实时软件技术，它是一种编程的标准，利用它可以加快你开发软件的速度。以往软件的开发没有任何标准， 不同的人写的程序一般无法连接在一起。软件的调试工具也非常不方便。使得软件的开发往往滞后于硬件的开发。 eXpressDSP集成了CCS(Code Composer Studio)开发平台， BIOS实时软件平台，算法标准和第三方支持四部分。利用该技术，可以使你的软件调试，软件进程管理，软件的互通及算法的 获得，都便的容易。这样就 可以加快你的软件开发进程。 1)CCS是eXpressDSP的基础，因此你必须首 先拥有CCS软 件。 2) BIOS是eXpressDSP的基本平台，你必须学会所有 BIOS。 3)算法标准可以保证你的程序可以方便的同其它利用eXpressDSP技术的程序连接在一起。 同时也保证你的程序的延续性。 3G技术和internate的发展，要求处理器的速度越来越高，体积越来越小，的发展正好能满足这一发展的要求。因为，传 统的其它处理器都有不同 的缺陷。MCU的速度较慢；CPU体积较大，功耗较高；嵌入CPU的成本较高。 的发展，使得在许多速度要求较高，算法较复 杂的场合，取代MCU或其它处理器，而成本有可能更低。 选择可以根据以下几方面决定： 1)速度： 速度一般用MIPS或FLOPS表示，即百万次/秒钟。根据您对处理速度的要求选择适合的 器件。一般选择处理速度不要过高，速度高的，系统实现也较困难。 2)精度： 芯片分为定点、浮点处理器，对于运算精度要求很高的处理，可选择浮点处理器。定点处理器也可完成浮点 运算，但精度和速度会有影响。 3)寻址空间： 不同系 列程序、数据、I/O空间大小不一，与普通MCU不同，在一个指令周期内能完成多个操作，所以的指令效率很高，程序空间一般不会有问题， 关键是数据空间是否满足。数据空间的大小可以通过DMA的帮助，借助程序空间扩大。 4)成本： 一般定点的成本会比浮点的要低，速度也较快。要获得低成本的系统，尽量用定点算法，用定点。 5)实现方便： 浮点的结构实现系统较容易，不用考虑寻址空间的问题，指令对C语言支持的效率也较高。 6)内部部件：根据应用要求，选择具有特殊部件的。如：C2000适合于电机控制；OMAP适合于多媒体等。 1)的速度比MCU快，主频较高。 2)适合于数据处理，数据处理的指令效率较高。 3)均为16位以上的处理器，不适合于低档的场合。 4)可以同时处理的事件较多，系统级成本有可能较低。 5)的灵活性较好，大多数算法都可以 软件实现。 6)的集成度较高，可靠性较好。 1)是单片机，构成系统简单。 2)的速度快。 3)的成本较低。 4)的性能高，可以处理较多的任务。 中的Flash的编写方法有三中： 1.通过仿真器编写：在我们的网 页上有相关的软件，在销售仿真器时我们也提供相关软件。其中 LF240x的编写可以在CCS中加入一个插件，F24x的编写需要在windows98下的DOS窗中进行。具体步骤见软件中的readme。有几点需 要注 意： a.必须为MC方式； b.F206的工作频率必须为20MHz； c.F240需要根据PLL修改C240_CFG.I文件。建议外部时钟为20MHz。 d.LF240x也需要根据PLL修改文件。 d.如果编写有问题，可以用BFLWx.BAT修复。 2.提供串口编写：TI的网页上有相关软件。注意只能编写一 次，因为编写程序会破坏串口通信程序。 3.在你的程序中编写：TI的网页上有相关资料。 的外部Flash编写方法： 1.通过编程器编写：将OUT文件通过HEX转换程序转换为编程器可以接受的格式， 再由编程器编写。 2.通过软件编写：您需要根据Flash的说明，编写Flash的编写程序，将应用程序和编写Flash的程序分别load到RAM中，运行编写程序编写。
对于C5000，片内的BOOT程序在上电后将数据区的内容，搬移 到程序区的RAM中， 因此FLASH必 须在RESET后 放在数据区。由于C5000，数据区的空间有限，一次BOOT的程序不能对于48K。解决的方法如下： 1.在RESET后，将FLASH译码在数据区，RAM放在程序区，片内BOOT程序将程序BOOT到RAM中。 2.用户初试化程序发出一个I/O命令（如XF），将FLASH译码到程序区的高地址。开放数据区用于其它的RAM。 3.用户初试化程序中包括第二次BOOT程序（此程序必须用户自己编写），将FLASH中没有BOOT的其它代码搬移到RAM中。 4.开始运行用户处理程序。 对于一般的存储器具有RD、WR和CS等控制信号，许多（C3x、C5000）都没有控制信号直接连接存储器，一般采用的方式如下： 1.CS有地址线和PS、DS或STRB译码产生； 2./RD=/STRB+/R/W； 3./WR=/STRB+R/W。 GEL文件的功能同emuinit.cmd的功能基本相同，用 于初始化。但它的功能 比emuinit的 功能有所增强，GEL在CCS下 有一个菜单，可以根据的对象不同，设置不同的初始化程序。以TMS320LF2407为例： #define SCSR1 0x7018 ；定义scsr1寄存器 #define SCSR2 0X7019 ；定义scsr2寄存器 #define WDKEY 0x7025 ；定义wdkey寄存器 #define WDNTR 0x7029 ；定义wdntr寄存器 StartUp() ; 开始函数 { GEL_MapReset(); ; 存储空间复位 GEL_MapAdd(0x0000,0,0x7fff,1,1); 定 义程序空间从0000－7fff 可读写 GEL_MapAdd(0x8000,0,0x7000,1,1); 定义程序空间从8000－f000 可读写 GEL_MapAdd(0x0000,1,0x10000,1,1); 定义数据空间从0000－10000可读写 GEL_MapAdd(0xffff,2,1,1,1); 定义i/o 空间0xffff可读写 GEL_MapOn(); 存储空间打开 GEL_MemoryFill(0xffff,2,1,0x40); 在i/o空间添入数值40h *(int *)SCSR1=0x0200; 给scsr1寄存器赋值 *(int *)SCSR2=0x000C; 给scsr2寄存器赋值，在这里可以进行mp/mc方式的转换 *(int *)WDNTR=0x006f; 给wdntr寄存器赋值 *(int *)WDKEY=0x055; 给wdkey寄存器赋值 *(int *)WDKEY=0x0AA; 给wdkey寄存器赋值 } 1)在使用TI公司的的同时，使用TI公司的模拟可以和进行无缝连接。器件与器件之间不需要任何的连接或转接器件。这样即减少了板卡的尺寸，也降低了开发 难度。 2)同为TI公 司的产品，很多器件可以固定搭配使用。少了器件选型的烦恼 3)TI在CCS中提供插件，可以用于和模拟器件的开发，非常方便。 可以。在ANSI C标准中的标准用法就是用C语言编写主程序，用汇编语言编写子程序，中断服务程序，一些算法，然后用C语言调用这些汇编程序，这样效率会相对比 较高，在定点系统中可否实现浮点运算。 当然可以，因为都可以用C,只要是可以使用c语言的场合都可以实现浮点运算。 JTAG头的使用会遇到哪些情况 1)的CLKOUT没有输出，工作不正常。 2)Emu0，Emu1需要上拉。 3)TCK的频率应该为10M。 4)在3.3V 中，PD脚为3.3V 供电，但是仿真器上需要5V电压供电，所以PP仿真器盒上需要单独供电。 4)仿真多片。在使用菊花链的时候，第一片的TDO接到第二片的TDI即可。注意当串联比较多的时候，信号线要适当的增加驱动。 头文件，一般用于定义程序中的函 数、参数、变量和一些宏单元，同库函数配合使用。因此，在使用库时，必须用相应的头文件说明。 中断向量的位置 1)2000系列的中断向量只能从0000H处开始。所以在我们调试程序的时候，要把选择为MP（微处理器方式），把片内的Flash屏蔽掉，免去每次更改程序都要重新烧写Flash工作。 2)3x系列的中断向量也只能在固定的地址。 3)5000，6000系列的中断向量可以重新定位。但是它只能被重新定位到Page0范围内的任何空间。 1)晶体需要用片内的振荡器，在datasheet上有建议的连接方法。晶体没有电压的问题，可以适应于任何，建议用晶体。 2)有源晶振不需要的内部振荡器，信号比较稳定。有源晶振用 法：一脚悬空，二脚接地，三脚接输出，四脚接电压。 1)程序没有结尾或不是循环的程序。 2)nmi管脚没有上拉。 3)在看门狗动作的时候程序会经常跑飞。 4)程序编制不当也会引起程序跑飞。 5)硬件系统有问题。 最近BBS上关于FLASH和BOOT的讨论很活跃，我也多次来此请教。前几天自制的板引导成功，早就打算写写这方面的东西。我用的 是5416，以其为核心，做了一个相对独立的子 系统（硬件、软件、算法），目前都已基本做好。下面把在FLASH引导方面做的工作向大家汇报一下， 希望能对大家有所帮助。本人经验和文笔都有限，写的不好请大家谅解。 硬件环境： ：TMS320VC5416PGE160 FLASH：SST39VF400A-70-4C-EK 都是贴片的，FLASH映射在数据空间的0x8000-0xFFFF 软件环境： CCS v2.12.01 主程序（要烧入FLASH的程序）： DEBUG版，程序占用空间0x28000-0x2FFFF（片内SARAM），中断向量表在0x0080-0x00FF（片内DARAM），数据空间使 用0x0100-0x7FFF（片内DARAM）。因为FLASH是贴片的，所以需要自己编一个数 据搬移程序，把要主程序搬移到FLASH中。在写入 FLASH数据时，还应写入引导表的格式数据。最后在数据空间的0xFFFF处写入引导表的起始地址（这里为0x8000）。 搬移程序： DEBUG版，程序空间0x38000-0x3FFFF（片内SARAM），中断向量表在0x7800-0x78FF（片内DARAM），数据空间使用 0x5000-0x77FF（片内DARAM）。 搬移程序不能使用与主程序的程序空间和中断向量表重合的物理空间，以免覆盖。烧写时，同时打开主程 序和搬移程序的PROJECT，先LOAD主程序，再 LOAD搬移程序，然后执行搬移程序，烧写OK! 附：搬移程序（仅供参考） volatile unsigned int *pTemp=(unsigned int *)0x7e00; unsigned int iFlashAddr; int iLoop; /* 在引导表头存放并行引导关键字 */ iFlashAddr=0x8000; WriteFlash(iFlashAddr,0x10aa); iFlashAddr++; /* 初始化SWWSR值 */ WriteFlash(iFlashAddr,0x7e00); iFlashAddr++; /* 初始化BSCR值 */ WriteFlash(iFlashAddr,0x8006); iFlashAddr++; /* 程序执行的入口地址 */ WriteFlash(iFlashAddr,0x0002); iFlashAddr++; WriteFlash(iFlashAddr,0x8085); iFlashAddr++; /* 程序长度 */ WriteFlash(iFlashAddr,0x7f00); iFlashAddr++; /* 程序要装载到的地址 */ WriteFlash(iFlashAddr,0x0002); iFlashAddr++; WriteFlash(iFlashAddr,0x8000); iFlashAddr++; for (iLoop=0;iLoop<0x7f00;iLoop++) { /* 从程序空间读数据，放到暂存单元 */ asm(" pshm al"); asm(" pshm ah"); asm(" rsbx cpl"); asm(" ld #00fch,dp"); asm(" stm #0000h, ah"); asm(" MVDM _iLoop, al"); asm(" add #2800h,4,a"); asm(" reada 0h"); asm(" popm ah"); asm(" popm al"); asm(" ssbx cpl"); /* 把暂存单元内容写入FLASH */ WriteFlash(iFlashAddr,*pTemp); iFlashAddr++; } /* 中断向量表长度 */ WriteFlash(iFlashAddr,0x0080); iFlashAddr++; /* 中断向量表装载地址 */ WriteFlash(iFlashAddr,0x0000); iFlashAddr++; WriteFlash(iFlashAddr,0x0080); iFlashAddr++; for (iLoop=0;iLoop<0x0080;iLoop++) { /* 从程序空间读数据，放到暂存单元 */ asm(" pshm al"); asm(" pshm ah"); asm(" rsbx cpl"); asm(" ld #00fch,dp"); asm(" stm #0000h, ah"); asm(" MVDM _iLoop, al"); asm(" add #0080h,0,a"); asm(" reada 0h"); asm(" popm ah"); asm(" popm al"); asm(" ssbx cpl"); /* 把暂存单元内容写入FLASH */ WriteFlash(iFlashAddr,*pTemp); iFlashAddr++; } /* 写入引导表结 束标志 */ WriteFlash(iFlashAddr,0x0000); iFlashAddr++; WriteFlash(iFlashAddr,0x0000); /* 在数据空间的0xFFFF写入引导表起始地址 */ iFlashAddr=0xffff; WriteFlash(iFlashAddr,0x8000); TI现在关于LF24x写入FLASH的工具最新为c2000flashprogsw_v112。可以支持LF2407、LF2407a、 LF24