文章目录
- 引言
- 名词解释
- 白话解释关键名词
- 介绍二极管和三极管
-
- 二极管
- 三极管
- 总结
引言
本节介绍半导体,PN介绍了三极管、三极管的测量方法、三极管的开关电路。由于半导体集成度越来越高,大多数小功率设计主要是集成芯片,半导体制造商在推出自己的芯片时会给出典型的应用电路,使设计相对不那么复杂,但面对大功率,由于部分组件体积大,不能集成到芯片内部,所以模具电尤为重要,典型的是开关电源,唯一有用的芯片是功率矫正芯片,但外围是模电知识。小编根据自己学习模电的经验,给正在学习的朋友一些启发。我希望你能少走弯路。如有错误,请及时留言或加入小组批评和纠正。非常感谢。
名词解释
名词 | 解释 |
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本征半导体 | 纯无杂质的半导体,如单晶硅等。 |
载流子 | 它是带正电荷的空穴和带负电荷的电子的总称,可以理解为运载电流的物质。这里的空穴是原子周围缺少电子,导致原子整体带正电。这种缺失的电子位置可以理解为空穴。模电书中用白色空心圆和黑色实心圆表示电子。 |
杂质半导体 | 本征半导体与其他物质混合。 |
P型半导体 | 四价硅或锗与硼、作物等少量三价杂质混合!半导体导电物质的杂质主要是空穴。 |
N型半导体 | 四价硅或锗掺入少量五价杂质,如磷砷等!半导体导电物质的杂质主要是电子的。 |
PN结 | 由于多数载流子的定向移动,在两种杂质半导体的交界处形成的空间电荷区。 |
正向偏置 | P抽头接正极,N抽头接负极。 |
反向偏置 | P抽头接负极,N抽头接正极 |
白话解释关键名词
:我们将在书中看到,。PN结、耗尽层、空间电荷区等不严格意义上是一个名词的另一个名称,下面我们统称PN结吧!因为后面说MOSFET也会有这样一个名词。这个PN在制作晶体管时,结的形成,P类型半导体和N类型半导体在交界处形成的障碍,我们可以把它想象成一堵墙,当你在P类型半导体上添加正电压时,N型半导体一侧加负电压,这堵墙很低(这是0.7V的PN结正结电压,又称结压降)。当您在P型半导体中添加负电压时,N型半导体一侧加正电压,这堵墙很高(理想的二极管无限大,实际上是根据手册看方向的耐压值,这是PN结反向结电压特性,又称反向耐压)。,至于这种形成的本质原因(微观领域),请自己扒书,但是没用,只是作为理解。 看图片,右边的原点到Uon一段是平的,电流没有变化。Uon也就是打开电压PN结的节压降是正墙。看左边,原点到Ubr在这一段,电流没有增长,只有很小的电流(),但是超过Ubr崩溃了,电流急剧上升,这里Ubr反向最大耐压性,崩溃后GG是的,(雪崩击穿)。事实上,这一特性后来也被制成了稳压管。稳压管是一种特殊的二极管,在雪崩击穿状态下工作。
介绍二极管和三极管
二极管
事实上,二极管并没有注意到太多的参数,但涉及到工程应用,这也是一个令人头痛的问题。例如,在电源设计中,应考虑节压降、反向耐压、正整流电流等造成的损失!在高频电路中,还应考虑二极管的高频特性、等效结电容、结电阻等。所以很多时候,应用程序也与行业有关,但在这里,我们只谈论常见的应用程序,将在本文中提到。 如图所示,我们通常只关心以下参数:
- 反向耐压VR
- 平均整流电流IF
- 正向压降VF
- 封装(画PCB需要考虑) 大部分数据手册都是英文的,中文有很多错误。如果有不好的朋友(像我一样),教你一个方法就是有道词典,里面有截图翻译。不管是3721,先翻译截图。 如图所示,虽然翻译不是很好,但我们可以看到我们需要的参数,上诉最大重复峰值反向电压,实际上是反向电压,以下是最大的直流电压,即直流状态下的反向电压,以及平均整流电流、节压降等!我们总能找到我们需要的东西。很多时候,我们根据产品选择型号,而不是我们知道和使用的东西。我们可以去立创商场搜索选型作为参考。我用这张照片M7二极管,实际上就是插件的1N4007整流管。
三极管
事实上,三极管并没有注意到太多的参数,但涉及到应用程序,这更令人头疼。这可能是很多人的噩梦!但所谓的三个稽查管啊!不要争吵,事实上,这个东西,在数字电路中,只是作为一个开关,在模拟电路中,经常用来放大信号。在这里,最重要的参数是。 如图所示,有什么吗??只有一个三极管,但三极管有两个PN结,之所以叫三极管,是因为有三条腿(三个引脚),三个杂质半导体挤在一起,比如P-N-P管,是将N型半导体夹在中间,P型放两边。还有一种N-P-N类型,同样,是一样的。这将形成两个空间电荷区,但内部电荷流向,不详细解释,心累,明白后会忘记,所以直接使用。
虽然看起来很复杂,But,我们只需翻译一下有道。三极管只记得集电极的最大电流,然后接触其他参数,我们再介绍一下。
总结
先记住这么多,然后在研究二极管和三极管时使用这些东西,三极管和一些IC每篇博文开头都会给出参数。记得关注我的博客,一起学习!
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