电容器是处理电荷信号的无源器件。类似于电阻，电容器广泛应用于数模混合电路系统，如频率补偿、振荡器线性充放电电压控制等。此外，积分电路、滤波电路、电源去耦、开关电容电路、延迟电路、启动电路、输入信号直流隔离等电路结构与电容器件是分不开的。当然，不同的应用领域对电容器的精度和线性有不同的要求。在CMOS平板电容和MOS此外，还有两种不同类型的电容型的电容器。PN非线性电容和引线寄生电容等。平板电容具有良好的线性和一致性，MOS单位面积电容量大，节省面积。电路应用中一般需要有效抑制各种寄生电容。 ①平板电容：良好的线性和一致性 ②MOS电容：单位面积容量大，节省面积 ③PN结非线性电容：与偏置电压有关 ④引线寄生电容：一般需要有效抑制
与电阻不同，平板电容器的长度和宽度在同一数量级，因此电容器的相对误差与平板电容器的周长面积比有关。一般来说，电容尺寸在一维方向上的绝对误差△e如果两个电容器的周长面积比相同，则两个电容器的匹配精度最高。
类似于电阻布局，大电容通常由正方形单位电容并联结构组成，通过AB/BA两维交叉耦合对称分布，完全匹配电容分布。图2-16给出了由基本单元电容C并联组成的4C电容布局示意图。A、B当代表两个电容器时，也可以形成1:1的匹配电容器。当电容比为非整常数时，应使两个电容器具有相同的周长面积比。 
MOS由于电压的非线性特性，电容通常用于对电容精度要求较低的场合。MOS电容由源泄漏和衬底短路MOS管构成,MOS管沟反型层的电荷分布与栅压有关。 图2-17给出了MOS电容随栅压VG变化的示意图。显然,在MOS管道打开附近，MOS管电容性能明显的非线性特性；只有在远离弱开的强反形或积累区，MOS保持管电容Cox网格电容的线性性质。MOS一方面，电容器的变化对电路的稳定设计和非线性失真有不利影响；另一方面，它可以为电路的动态频率补偿提供有利的支持条件。