二极管
半导体
掺入杂质
PN结
两种特性
正向导通实例
反向击穿实例
三极管
两大作用
三大状态
- 半导体中最基本的元素为 Si或Ge
- 外表均为四阶稳定形式存在
- 正常情况下外面加上电场后的负电荷无法移动
掺入杂质
一个正电荷，五个负电荷，表面多一个负电荷，有电场可以移动
注：混合区域称为N区
一个正电荷，三个负电荷，少一个负电荷
注：将混合区域交给P区
PN结
掺入硼和磷的结合，形成PN结由于，正负电荷相互吸引，结合后逐渐建立一个0.6~0.7V的内部电场俗称 耗尽层
注:P区和N区只有施加大于内部电场的电场力时才会导通，二极管也会导通
- 正向导通
- 反向击穿
正向导通实例
- 防止 Vi 电压突然下降，导致电压突然下降 C1 电压反施给 Vi
- 后面的电路也可以工作一段时间
反向击穿实例
- 放大(放大状态应用)
- 开关(应用于截止和饱和)
加入三极管时发射结的电压小于PN结的导通压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流为零失去电流放大，集电极和发射极之间相当于开关断开状态，我们称之为三极管处于截止状态
当加入三极管发射结的电压时大于PN结的导通电压，并在某个合适的地方值时，三极管发射结正偏置，集电结反偏置，这是基极电流控制集电极电流，使三极管具有放大电流的作用电流放大倍数,这时三极管处于放大状态
当加在三极管发射结的电压大于PN结导通电压，并作为基极电流当增加到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增加而增加，但在一定值附近变化不大，此时三极管失去电流放大，集电极和发射极之间的电压很小，三极管的发射结正偏，集电结正偏，集电极和发射极之间相当于开关三极管的导通状态，我们称之为饱和导通状态