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1)等效电路：
2）说明： 功率 MOSFET 一个电阻等效于正向导通，与温度有关，温度升高，电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，电阻变小。详细的关系曲线可以从制造商的手册中获得。 1)等效电路(门极无控制):
2）说明： 也就是说，内部二极管的等效电路可以用一电压降等效，这是二极管MOSFET 的体二极管，多数情况下，因其特性很差，要避免使用。 1)等效电路(门极加控制):
2）说明： 功率 MOSFET 门级控制下的反向导通也可以使用电阻等效，与温度有关，温度升高，电阻变大；也与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，电阻变小。详细的关系曲线可以从制造商的手册中获得。这种工作状态被称为MOSFET 同步整流是低压大电流输出开关电源中非常重要的工作状态。 1)等效电路：
2）说明： 功率 MOSFET 一个电容器可以于正截止日期，其容量与所增加的正电压、环境温度等有关，大小可从制造商手册中获得。 1）功率MOSFET 电流/电压曲线稳定：
2）说明： 功率 MOSFET 正饱和导通时的稳态工作点：
当门极不受控制时，反向导通的稳态工作点与二极管相同。 3)稳态特性总结: 门极与源极之间的电压Vgs 当Vgs<Vth当设备断开时，Vth一般为 3V；当Vgs>Vth当设备处于导通状态时，设备的通态电阻和Vgs有关，Vgs大，通态电阻小；大多数设备Vgs为 12V-15V ，额定值为 -30V； 设备的漏极电流额定以其有效值或平均值标称；只要实际漏极电流有效值不超过额定值，保证散热，设备安全； 设备的通态电阻为正温度系数，原则上容易并联扩容，但实际并联时，应考虑驱动对称性和动态均流； 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，可保证漏源通态电阻小； 由于其通态电阻很小(目前最小的是2-4)，设备的同步整流工作状态越来越广泛 毫欧)，低压大电流输出DC/DC 中已是最关键的装置。 1）等效电路：
2）说明： 实际的功率MOSFET 可用三个结电容，三个沟道电阻，和一个内部二极管及一个理想MOSFET 等效。三个结电容与结电压的大小有关，而门极的沟电阻一般很小，漏电极和源极之和为MOSFET 饱和时的通态电阻。 实验电路的开关过程：
2）MOSFET 电压和电流波形：
3)开关工艺原理： 在 t0 前，MOSFET 在截止状态下工作，t0 时，MOSFET 驱动开启； [t0-t1]区间，MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs充电上升，在t1时维持电压Vth，MOSFET 开始导电； [t1-t2]区间，MOSFET 的DS 电流增加，Millier 该范围内的电容DS 电容器的放电和放电是正确的GS 电容器充电影响不大； [t2-t3]区间，至t2 时刻，MOSFET 的DS 电压降至与Vgs 电压相同，Millier 电容大幅增加，外部驱动电压对Millier 电容充电，GS 电容电压不变，Millier 电容上的电压增加，而DS电容器上的电压继续下降； [t3-t4]区间，至t3 时刻，MOSFET 的DS 当电压降至饱和导通时，Millier 电容变小并和GS 电容器由外部驱动电压充电，GS 电容器电压上升至t4 此时此刻GS 电容电压已达到稳态，DS 电压也达到最小，即稳定的通态压降。 在 t5 前，MOSFET 在导通状态下工作， t5 时，MOSFET 被驱动关断； [t5-t6]区间，MOSFET 的Cgs 电压通过驱动电路的电阻放电而下降t6 时刻，MOSFET 通态电阻略有上升，DS 但是DS 电流不变； [t6-t7]区间，在t6 时刻，MOSFET 的Millier 因此，电容又变大了GS 电容的电压保持不变，放电电流通过Millier 电容，使DS 电压继续增加； [t7-t8]区间，至t7 时刻，MOSFET 的DS 电压升至与Vgs 电压相同，Millier 电容器迅速减小，GS 电容开始继续放电，此时DS 电容器上的电压迅速上升，DS 电流迅速下降； [t8-t9]区间，至t8 时刻，GS 电容器已放电至Vth，MOSFET 完全关闭；在这个范围内GS 电容器继续放电直到零。 1)实验电路：
2)二极管反向恢复引起的MOSFET 开关波形：
1)导通损耗：
适用于控制整流和同步整流，
该公式适用于体二极管导通。 2)容性开启和感性关断损失:
为MOSFET 设备和二极管电路中的所有分布电感只有和。一般来说，这种损失也可以被视为设备的感性关闭损失。 3)开关损耗： 开通损耗：
反向恢复后考虑二极管：
关断损耗：
驱动损耗：
1)选择原则： a.根据电源规格合理选择MOSFET 设备(见下表)： b.在选择时，如果工作电流较大，则在相同的设备额定参数下，应尽可能选择正导电阻较小的设备 MOSFET；尽量选择结电容小的 MOSFET。
2)选择步骤： a.所选变换器根据电源规格计算MOSFET 稳态参数： 正阻电压最大值，正电流最大有效值； b.从器件商的DATASHEET 选择合适的MOSFET，实验时可以多选择一些比较； c.从所选的MOSFET 其他参数，如正通态电阻、结电容等，估计其工作时的最大损失，与其他部件一起估计变换器的效率； d.最后一个由实验选择MOSFET 器件。 1）符号：
2）要求： a.稳态要求： 合上 K 后 ①开关两端电压为零； ②开关中的电流由外部电路决定； ③开关电流的方向可正可负； ④开关电流容量无限。 断开 K 后 ①开关两端承受的电压可正可负； ②开关电流为零； ③开关两端的电压由外部电路决定； ④开关两端的电压容量是无限的。 b.动态要求： K 的开通 ①控制开启的信号功率为零； ②开通时间为零。 K 的关断 ①控制关闭的信号功率为零； ②关闭时间为零。 3）波形：
其中：H：控制高电平；L：控制低电平 a.Ion 可正可负，其值由外部电路确定； b.Voff 可正可负，其值由外部电路确定。 1)电子开关的电压和电流方向有限: 2)电子开关的稳态开关特性有限: a.导通时有电压降；(正压降、通态电阻等。 b.截止时有漏电流； c.最大通态电流有限； d.最大阻断电压有限； e.控制信号有功率要求等。 3)电子开关的动态开关特性有限: a.与控制信号和设备内部结构有关的开启过程； b.有一个关闭的过程其长短与控制信号及器件内部结构有关； c.最高开关频率有限制。 目前作为开关的电子器件非常多。在开关电源中，用得最多的是二极管、MOSFET、IGBT 等，以及它们的组合。 1）单象限开关
2）电流双向（双象限）开关
3）电压双向（双象限）开关
4）四单象限开关
1）按制作材料分类： a.（Si）功率器件； b.（Ga）功率器件； c.（GaAs）功率器件； d.（SiC）功率器件； e.（GaN）功率器件--- 下一代 f.（Diamond）功率器件--- 再下一代 2）按是否可控分类： a.完全不控器件：如二极管器件； b.可控制开通，但不能控制关断：如普通可控硅器件； c.全控开关器件； d.电压型控制器件：如MOSFET，IGBT，IGT/COMFET ，SIT 等； e.电流型控制期间：如GTR，GTO 等。 3）按工作频率分类： a.低频功率器件：如可控硅，普通二极管等； b.中频功率器件：如GTR，IGBT，IGT/COMFET； c.高频功率器件：如MOSFET，快恢复二极管，萧特基二极管，SIT 等。 4）按额定可实现的最大容量分类： a.小功率器件：如MOSFET； b.中功率器件：如IGBT； c.大功率器件：如GTO。 5）按导电载波的粒子分类： a.多子器件：如MOSFET，萧特基，SIT,JFET等； b.少子器件：如IGBT，GTR，GTO，快恢复等。 1）几种可关断器件的功率处理能力比较：
2）几种可关断器件的工作特性比较：