| 中国半导体器件命名方法 |
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| 第一部分 主称 |
第二部分 材料与极性 |
第三部分 类别 |
第四部分 序号 |
第五部分 规格型号 |
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| 数字 |
含义 |
字母 |
含义 |
字母 |
含义 |
用数字表示同类产品的序号 |
用字母表示产品规格、等级 |
| 2 |
二极管 |
A |
N型褚材料 |
P |
普通管 |
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| V |
微波管 |
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| B |
P型褚材料 |
W |
稳压管 |
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| C |
参量管 |
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| C |
N型硅材料 |
Z |
整流管 |
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| L |
整流堆 |
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| D |
P型硅材料 |
S |
隧道管 |
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| N |
阻尼管 |
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| A |
PNP型褚材料 |
U |
光电器件 |
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| K |
开关管 |
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| B |
NPN型褚材料 |
X |
低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W) |
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| G |
高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W) |
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| C |
PNP型硅材料 |
D |
低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W) |
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| A |
高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W） |
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| D |
NPN型硅材料 |
T |
半导体晶闸管（可控整流器） |
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| 3 |
三极管 |
/ |
/ |
Y |
体效应器件 |
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| / |
/ |
B |
雪崩管 |
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| / |
/ |
J |
阶跃恢复管 |
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| / |
/ |
CS |
场效应管 |
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| / |
/ |
BT |
半导体特殊器件 |
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| / |
/ |
FH |
复合管 |
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| / |
/ |
PIN |
PIN型管 |
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| / |
/ |
JG |
激光器件 |
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| / |
/ |
EF |
发光二极管 |
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| / |
/ |
B/C |
变容管 |
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| / |
/ |
V |
混频检波管 |
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| / |
/ |
Y |
体效应管 |
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| 第一部分 |
第二部分 |
第三部分 |
第四部分 |
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| 用字母表示器件使用材料极性和类型 |
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| 用数字表示器件的类型和有效电极数 |
字母均为s，日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件 |
A |
PNP型高频管 |
用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号 |
| B |
PNP型低频管 |
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| C |
NPN型高频管 |
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| D |
NPN型低频管 |
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| F |
P控制极可控硅 |
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| G |
N控制极可控硅 |
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| H |
N基极单结晶体管 |
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| J |
P沟道场效应管 |
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| K |
N 沟道场效应管 |
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| M |
双向可控硅 |
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| 第一部分 |
第二部分 |
第三部分 |
第四部分 |
第五部分 |
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| 用符号表示器件用途的类型 |
用数字表示pn结数目 |
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| JAN |
军级 |
1 |
二极管 |
N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记 |
美国电子工业协会登记顺序号 |
用字母表示器件分档，字母越靠后性能越好A-Z |
| JANTX |
特军级 |
2 |
三极管 |
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| JANTXV |
超特军级 |
3 |
三个pn结器件
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| JANS |
宇航级 |
n |
n个pn结器件 |
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| / |
非军用品 |
/ |
/ |
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| 国际电子联合会半导体器件型号命名方法 |
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| 第一部分 |
第二部分 |
第三部分 |
第四部分 |
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| 用字母表示器件使用的材料 |
用字母表示器件的类型及主要特征 |
用数字或字母加数字表示登记号 |
用字母对同一类型号器件进行分档 |
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| A |
器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗 |
A |
检波开关混频二极管 |
三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号 |
A、B、C、D、E┄┄表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志 |
| B |
变容二极管 |
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| C |
低频大功率三极管 |
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| B |
器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅 |
D |
低频大功率三极管 |
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| E |
高频小功率三极管 |
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| F |
高频小功率三极管 |
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| C |
器件使用材料的Eg%26gt;1.3eV 如砷化镓 |
G |
复合器件及其他器件 |
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| H |
磁敏二极管 |
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| K |
开放磁路中的霍尔元件 |
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| D |
器件使用材料的Eg%26lt;0.6eV 如锑化铟 |
L |
封闭磁路中的霍尔元件 |
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| M |
封闭磁路中的霍尔元件 |
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| P |
光敏 器件 |
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| Q |
发光器件 |
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| E |
器件使用材料的 |
R |
小功率晶闸管 |
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| S |
小功率开关管 |
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| T |
大功率晶闸管 |
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| U |
大功率开关管 |
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| X |
倍增二极管 |
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| Y |
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| Z |
稳压二极管 |
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