一、物理材料
当以IV族元素（si等)作为基材，参与V族元素（AS）形成n-type，参入Ⅲ族元素（B）则形成p-type。
当n-type和p-type组合在一起生成一个PN结。
P端高压N端低压则可以导电
二、MOS Transistor
四个端口：gate，source，drain，body（substrate）（通常接GND）。
在nMOS中source和drain为n参杂，body为p参杂。
gate端给高压，source/drain给低压时，source和drain导通。
在pMOS中source和drain为p参杂，body为n参杂。
gate端给低压，source/drain给高压时，source和drain导通。
理想情况下gate只作为控制端，但在实际情况下会出现漏电流。
在设计中，nmos可视为开关，pmos可视为反向开关。
三、invert输入输出响应
可视为一个原因gate端控制输出端电容器的充放电过程。
电路跑得越快：
1.管道通过电流变大(导致面积变大，电容变大)
2.减少输出端电容
3.降低开启电压(增加功耗)
在实际设计中通过改变libraries控制速度和功耗的平衡。
Vdd80%以上判定为1，20%以下判定为0。
rising transition time延迟指从20%上升到80%所需的时间。
falling transition time下降沿延迟指从80%涨到20%所需时间。
四、影响delay（一个cell因素从输入的50%到输出的50%)（PVT）：
Process：代工厂制造参数漂移
Voltage：电压越高，delay标称的10%内一般要求越少。
Temperature：PN结温越高，delay越大
PVT定义了漂移的最大范围corner
在ff（fast-fast） corner保证hold足够
在ss（slow-slow） corner要保证setup足够