一般用于高端驱动MOS，导通时，栅极电压大于源极电压，高端驱动MOS管道导通时源极电压和漏极电压(VCC)因此，此时栅极电压相同VCC大4V或10V。
如果在同一个系统中，要得到比较VCC大电压，将是一个特殊的升压电路，许多电机驱动集成电荷泵，应注意选择合适的外部电容，以获得足够的短路电流驱动MOS管。
MOS管道由电压驱动，只要栅极电压达到开启电压，就可以导通DS，栅极串能导通多少电阻，但如果要求开关频率高，栅对地或VCC可视为电容。
导通特性
导通是指作为开关，相当于开关关闭。 NMOS的特性：Vgs如果大于一定值，则导通，适用于源极接地（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性：Vgs如果小于一定值，就会导通，适合源极接VCC情况(高端驱动)。 但是，虽然PMOS它可以很容易地用作高端驱动，但由于导通电阻大、价格昂贵、替代品种少，通常用于高端驱动NMOS。
开关损失
不管是NMOS还是PMOS，导通后有导通电阻，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量称为导通损耗。 选择导通电阻小的MOS管道会减少导通损耗，现在功率小MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，也有几毫欧。 MOS当导通和截止时，一定不能在瞬间完成，MOS两端电压下降，流过的电流上升，MOS管道损失是电压和电流的乘积，称为开关损失。 通常，开关损失远大于导通损失，开关频率越快，损失越大。
MOS管驱动
与双极性晶体管相比，一般认为使用MOS只要管道不需要电流，只要GS高于一定值的电压很容易，但我们仍然需要速度。 在MOS在管的结构中可以看到，GS、GD寄生电容器之间存在，MOS管道的驱动实际上是对电容器的充放电。 电容器的充电需要一个电流，因为电容器的充电瞬间可以看作是短路，所以瞬间电流会比较大。
第一种应用是由PMOS选择电压，如充电时选择充电电压，不充电时选择电池电压。 二是控制是否供电。