原标题：如何假装非常了解半导体晶圆制造？
何谓蚀刻(Etch)？
答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
蚀刻种类？
答：1、干蚀刻 2、湿蚀刻。
根据薄膜的类型，蚀刻对象可以分为吗？
答：poly,oxide,metal
何谓dielectric蚀刻(介电质蚀刻)？
答：Oxide etch and nitride etch
半导体中一般介电质材质为何?
答:氧化硅/氮化硅
湿式蚀刻是什么意思？
答:使用液相酸液或溶剂；去除不需要的薄膜。
何谓电浆Plasma?
答：电浆是物质的第四状态，带有正、负电荷及中性粒子之总和。其中包含电子、正离子、负离子、中性分子、活性基及发散光子等，产生电浆的方法可使用高温或高电压。
什么是干式蚀刻？
答：利用Plasma去除不需要的薄膜。
何谓Under-etching(蚀刻不足)？
答:是指蚀刻材料在蚀刻过程中停止，导致应去除的膜仍有残留。
何谓Over-etching(过蚀刻)？
答:蚀刻过多导致底层损坏。
何谓Etchrate(蚀刻速率)
答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度。
何谓Seasoning(陈化处理)？
答:蚀刻室清洗或更换零件后，使用仿真以稳定工艺条件(dummy)晶圆进行几次蚀刻循环。
Asher主要用途是什么？
答:去除光阻
Wet bench dryer功用为何?
答:去除晶圆表面的水分。
列举目前Wetbenchdry方法？
答：(1)SpinDryer；(2)Marangonidry(3)IPAVaporDry
何谓Spin Dryer？
答:用离心力去除晶圆表面的水分。
何谓Maragoni Dryer？
答:用表面张力去除晶圆表面的水分。
何谓IPA Vapor Dryer？
答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理去除晶圆表面的水分。
测Particle使用什么样的测量仪器？
答：Tencor Surfscan
测量蚀刻速率时速率？
答：膜厚计，测量膜厚差值。
何谓AEI？
答：After Etch Inspection蚀刻后的检查。
AEI目检Wafer哪些项目需要检查？
答:(1)正面颜色是否异常和划痕；(2)是否有缺角和缺角；Particle；(3)刻号是否正确。
金属蚀刻机转非金属蚀刻机时应如何处理？
答:清机防止金属污染。
金属蚀刻机asher为什么功能？
答:去光防止腐蚀。
为什么一般硫酸槽不能用于金属蚀刻后的清洗？
答:因为金属线会溶于硫酸。
"Hot Plate"机器的用途是什么？
答：烘烤
为什么烘烤温度？
答：90~120度C
何种气体为PolyETCH主要使用气体？
答：Cl2,HBr,HCl
用于Al金属蚀刻的主要气体是什么？
答：Cl2,BCl3
W金属蚀刻的主要气体是什么？
答：SF6
何种气体为oxidevai/contactETCH主要使用气体？
答：C4F8,C5F8,C4F6
硫酸槽的化学成份为？
答：H2SO4/H2O2
AMP槽的化学成分是什么？
答：NH4OH/H2O2/H2O
UVcuring用途是什么？
答：利用UV预处理光阻以增强光阻的强度。
"UVcuring"用于什么层次？
答：金属层
何谓EMO？
答:机台紧急开关。
EMO作用为何？
答:当机器有危险或无法控制的顾虑时，可以紧急按下。
湿式蚀刻门上贴有哪些警示标志？
答:(1)警告内部危险严重，严禁开门；(2)机械臂危险，严禁开门；(3)化学品危险，严禁开门。
如何处理化学溶液泄漏？
答:严禁用手检测泄漏的液体.酸碱试纸应进行试验.并找到泄漏管道。
遇IPA槽着火时该怎么办？
答:立即关闭IPA输送管道，用机台灭火器灭火并通知应急小组。
BOE为什么槽的主要成分？
答：HF(氢氟酸)和NH4F(氟化铵)。
BOE为什么三个英文缩写？
答：Buffered Oxide Etcher。
有毒气体的阀柜(VMB)功用为何？
答:当有毒气体泄漏时，抽气装置可以抽走，防止有毒气体泄漏。
电浆的频率一般为13.56MHz,为何不用其它频率？
答:为了避免影响通信质量，目前只开放特定频率，如380~420KHz,13.56MHz,2.54GHz等。
何谓ESC(electricalstaticchuck)？
答：利用静电吸附的原理，将Wafer固定在极板(Substrate)上。
Asher主要气体是什么？
答：O2
Asher为什么机器蚀刻最关键的参数？
答：温度
简述Turbopump原理？
答:根据涡轮原理，压力可以抽到10-6TORR.
热交换器(Heat Exchanger)为什么功能？
答:因为温度会影响工艺条件；例如etchingrate/均匀度。
为何需要注意drypump exhaust presure(pump出口气压)？
答:因为如果气压过大，会造成pump负荷过大pump跳掉,影响chamber直接影响压力run货品质。
为什么要做漏率测试？
答：(1)在PM后PUMPDown1~2小时后；保证chamberRun货物时，没有大气进入chambe影响chamberGAS成分；(2)在日常测试中确保chamber泄漏源来自大气，因此需要测量泄漏机。
Alarm该怎么办？
答:(1)如果是火警，立即压下EMO(紧急按钮)灭火并通知相关人员和主管；(2)如果一般异常，请先检查alarm如果未能处理，应立即通知主要负责人蚀刻机。
废气排放有哪些类别？
答:一般无毒废气/有毒酸性废气排放。
蚀刻机使用多少伏特？
答：208V三相
干式蚀刻机分为哪些部分？
答：(1)Load/Unload端
(2)transfermodule
(3)Chamberprocessmodule
(4)真空系统
(5)GASsystem
(6)RFsystem
在半导体系中，湿制程(wet processing)分哪两类？
答:(1)晶圆洗净【wafercleaning】(2)湿蚀刻【wetetching】。
晶圆洗净(wafer cleaning)有哪些设备？
答：(1)Batchtype(immersiontype):a)carriertypeb)Cassettelesstype
(2)Singlewafertype(spraytype)
晶圆洗净(wafercleaning)为什么目的？
答:去除金属杂质、有机污染和微尘。
半导体工艺有哪些污染源？
答:(1)颗粒；(2)金属；(3)有机物； ；(4)微粗糙；(5)天然氧化物。
RCA清洗工程的目的是什么？
答:微影照像后，去除光阻，清洗晶圆，中和酸碱，使晶圆进行下一道工序。
洗净溶液APM(SC-1)-->NH4OH:H2O2:H2O为什么目的？
答:去除颗粒和有机物。
洗净溶液SPM-->H2SO4:H2O2:H2O为什么目的？
答:去除有机物。
洗净溶液HPM(SC-2)-->HCL:H2O2:H2O为什么目的？
答:去除金属。
洗净溶液DHF-->HF:H2O(1:100~为什么1:500)目的？
A:去除天然氧化膜和金属。
洗净溶液BHF(BOE)-->HF:NH4F为什么目的？
答:氧化膜湿蚀刻。
热磷酸洗涤溶液-->H3PO为什么4的目的？
答:氮化膜湿蚀刻。
0.25微米逻辑组件有哪五种标准清洗方法？
答:1.扩散前清洗 2.蚀刻后清洗 3.植入后清洗 4.沉积前清洗 5、CMP后清洗。
超音波刷洗(ultrasonicscrubbing)目的为何？
答:去除不溶性颗粒污染。
何谓晶圆盒(POD)清洗？
答:使用去离子水和界面活性剂(surfactant)除去晶圆盒表面的污染。
高压喷洒(high pressure spray)或刷洗去微粒子在那些制程之后？
答：(1)锯晶圆(wafersaw)；(2)晶圆磨薄(waferlapping)；(3)晶圆拋光(waferpolishing)；(4)化学机械研磨。
晶圆湿洗净设备有哪几种？
答：(1)多槽全自动洗净设备；(2)单槽清洗设备(3)单晶圆清洗设备。
单槽清洗设备的优点？
答：(1)较佳的环境制程与微粒控制能力；(2)化学品与纯水用量少；(3)设备调整弹性度高。
单槽清洗设备的缺点？
答：(1)产能较低；(2)晶圆间仍有互相污染。
单晶圆清洗设备未来有那些须要突破的地方？
答：产能低与设备成熟度。
晶圆制造工艺流程
1、表面清洗；
2、初次氧化；
3、CVD(ChemicalVapordeposition)法沉积一层Si3N4(HotCVD或LPCVD)。
(1)常压CVD(NormalPressureCVD)(2)低压CVD(LowPressureCVD)(3)热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)(4)电浆增强CVD(PlasmaEnhancedCVD)(5)MOCVD(MetalOrganicCVD)&分子磊晶成长(MolecularBeamEpitaxy)(6)外延生长法(LPE)；
4、涂敷光刻胶(1)光刻胶的涂敷(2)预烘(prebake)(3)曝光(4)显影(5)后烘(postbake)(6)腐蚀(etching)(7)光刻胶的去除；
5、此处用干法氧化法将氮化硅去除；
6、离子布植将硼离子(B+3)透过SiO2膜注入衬底，形成P型阱；
7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理；
8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5)离子，形成N型阱；
9、退火处理，然后用HF去除SiO2层；
10、干法氧化法生成一层SiO2层，然后LPCVD沉积一层氮化硅；
11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层；
12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2层，形成PN之间的隔离区；
13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层；
14、LPCVD沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2保护层；
15、表面涂敷光阻，去除P阱区的光阻，注入砷(As)离子，形成NMOS的源漏极。用同样的方法，在N阱区，注入B离子形成PMOS的源漏极；
16、利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理；
17、沉积掺杂硼磷的氧化层18、濺镀第一层金属(1)薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。(2)真空蒸发法(EvaporationDeposition)(3)溅镀(SputteringDeposition)；
19、光刻技术定出VIA孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用PECVD法氧化层和氮化硅保护层；
20、光刻和离子刻蚀，定出PAD位置；
21、最后进行退火处理，以保证整个Chip的完整和连线的连接性。
晶圆制造总的工艺流程、芯片的制造过程可概分为：晶圆处理工序(WaferFabrication)、晶圆针测工序(WaferProbe)、构装工序(Packaging)、测试工序(InitialTestandFinalTest)等几个步骤。
其中，晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(FrontEnd)工序，而构装工序、测试工序为后段(BackEnd)工序。
1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等)，其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。
2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测(Probe)仪对每个晶粒检测。
其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。
3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片(即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块)。
4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。
经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。
经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。
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