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**MOSFET：**中文名绝缘格栅场效应管，导通内阻R（ds）取决于Vgs如下图所示： 
摘自AO3400数据手册
Vgs导通内阻越大越小 在实际电路中，MOSFET大部分工作在可变电阻区(所谓可变电阻是指Vgs变化，导通内阻变化)。 可变电阻区(非恒流区):漏极电流I(D)随着Vds(漏极与源极之间的电压)增加，线性增加 摘自AO3400数据手册
，有NPN型以及PNP类型分为截止区、放大区、饱合区三个区 放大区域通过控制基极的电流，可以控制发射节，集电结反向偏置I(b)控制集电结的电流I? 实际电路一般在放大区域工作