MOSFET是一种常用的高压开关元件MOSFET工作电压甚至可以达到10000V，低导电阻MOSFET只有一两毫欧；工作频率达到数兆赫兹。按导电沟分：P沟道(PMOS)和N沟道(NMOS)。
按格极电压幅值分为耗尽型(当格极电压为0时，漏电极之间存在导电通道)和增强型(格极电压幅值)>或<导电沟直到0点才存在，最常用)。一起看，MOSFET分为四类：P沟通增强，P沟通耗尽，N沟通增强，N沟通耗尽。
画法不同：
MOS管道属于压控流元件，三极管为流控流元件。
MOSFET有三只脚：栅极（G、Gate）、漏极（D、Drain）、源极（S、Source）。寄生二极管在漏极和源极之间，称为体二极管。D脚要接高压，S三极管只有脚接低压才能起作用。
中间的脚是栅极，控制板极的电流强度，改变电子管的性能。左右两侧有漏极。
作为压控元件，当Vgs<VT，Vds截止日期，只有当Vgs>=VT(截止电压或开启电压、门槛电压、门槛电压)，Vds电阻被称为静态导通电阻Rds(on)，源极和漏极有通路，形成的电流称为漏极电流(iD)。随着Vgs不断增长，同样Vds也会不断增大，即通路不断增大，当Vds=Vgs-VT电流称为饱和电流，电压称为饱和电压。此时iD几乎不因Vds管道进入恒流区，iD几乎只决定Vgs。ID0是Vgs=2VT时的iD，VT=UGS(th)。
当MOSFETE不饱和的时候可以简单的做MOSFET作为电阻，随之而来Vds增加，输出Ids也是线性增加uGS＝0V时iD＝0，只有当Vgs>UGS(th)之后会出现漏极电流，这种MOS称为增强型MOS管。
转移特性曲线是指漏极电流iD和网-源间电压uGS当iD较大时，iD与uGS近似线性的关系。曲线的斜率被定义为MOSFET的跨导Gfs=diD/duGS，是漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度。
对于NMOS，VP=5V饱和电压，当Vgs=0V当饱和电流为时，可以看到饱和电流Idss，当给Vgs上-3V饱和电流2v，当电阻不变电流减小时，Vgs=-5v不产生电流。
RDS（on）：在特定的uGS、在结温和漏极电流的条件下，MOSFET导通时漏源之间的最大阻抗。它是一个决定MOSFET导通时的消耗功率。这一参数通常会随着结温度的升高而增加。
MOSFET开关过程，米勒效应（Miller Effect）指在反相放大的作用下，输入输出之间的分布电容(栅漏电容)放大等效输入电容值的效果。由于米勒效应，MOSFET栅极驱动过程中，会形成平台电压，即米勒平台，引起开关时间变长，开关损耗增加，给MOS管道的正常工作有很大的不利影响。
在t0到t1时刻，从t0时刻开始，Vgs开始上升的时候，驱动电流Ig为Cgs充电，Vds在上升的过程中，Vds保持不变，iD为零。一直到t1时刻，Vgs上升到Vgs(th)，门极开启电压。在t1时刻以前，MOS在截止区，从t一时开始，因Vgs超过门槛电压开始导通，漏极电流iD随着负载电流的缓慢上升，流体二极管的部分电流转向流入MOSFET，但它们的和总是等于负载电流，在开关开启过程中可以认为负载电流没有变化。在此期间，驱动电流仍然是Cgs充电。到t2时刻，iD上升到和负载电流一样，换流结束。在负载电流上升的过程中Vds会略有下降(因为下降)di/dt在杂散电感上形成一些压降)。从t2时刻开始，MOS进入饱和区。进入米勒平台前，二极管钳位保持漏源电压不变，MOS管道导电沟处于夹紧状态。从t2时刻，因电流已经上升达到负载中的电流，漏极不再被钳位。这意味着导电沟是由于VDD钳位引起的夹紧状态被解除，导电沟靠近漏极侧的沟逐渐变宽，从而降低了沟的导电阻。在漏极电流ID不变的情况下，漏源电压Vds开始下降，Vds开始降低 ，开始给格栅极驱动电流Cgd充电。由于从t1时刻开始，MOS饱和有转移特征：ID=Vgs*Gfs。只要ID不变Vgs就不变。ID在上升到最大值以后，也就是MOSFET和体二极管换流后，ID等于负载电流，此时处于饱和区，所以Vgs它将保持不变，栅极电压将保持不变Vgs平台期是维持米勒平台的电压，称为米勒平台。米勒平台一直保持到Vgs电压降低到MOSFET直到进入线性区t3时刻。从t3时刻开始，MOSFET在线电阻区工作。同时给出栅极驱动电流Cgs和Cgd充电时，栅极电压又开始上升。由于网极电压的增加，MOSFET导电沟也开始变宽，导通压降将进一步降低。当Vgs当增加到一定电压时，MOS管道完全导通。