MOSFET管是FET一个(另一个)JFET），可制成增强型或耗尽型，P有四种类型的沟或N沟，但实际应用只有增强N沟MOS管道和增强型P沟MOS因此，通常提到管道NMOS，或者PMOS指的是这两种。 至于为什么不使用耗尽型，MOS管道，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS更常用的管道是NMOS。原因是导电阻小，制造方便。因此，一般用于开关电源和电机驱动的应用NMOS。下面的介绍大多是NMOS为主。 MOS寄生电容存在于管脚的三个管脚之间，这不是我们需要的，而是由于制造过程的限制。寄生电容的存在使得驱动电路的设计或选择更加麻烦，但没有办法避免，稍后会详细介绍。 在MOS从管道原理图可以看出，泄漏极和源极之间有一个寄生二极管。这被称为体二极管，它在驱动感性负载（如电机）时非常重要。顺便说一句，体二极管只是单个的MOS管道通常存在于集成电路芯片中
导通是指作为开关，相当于开关关闭。 ，只要栅极电压达到4，适用于源极接地（低端驱动）V或10V就可以了。 适用于源极接VCC情况(高端驱动)。然而，尽管如此PMOS它可以很容易地用作高端驱动，但由于导通电阻大、价格昂贵、替代品种少，通常用于高端驱动PMOS。
：指的是采用CMOS工艺单片机IO输出可能是指推拉输出或弱上拉输出是开漏输出，指的是单片机对应IO口内部的MOS管漏极没有连接任何东西，直接引脚到芯片外，对驱动不同电平的设备非常有用，可以作为接口电平转换，通常，这种OD输出的驱动能力也会更大 下图是瑞萨2SK3418的Vgs电压和Vds电压关系图。当可以看到小电流时，Vgs达到4V，DS间压降已经很小了，可以认为是导通的。达)，这个二极管很重要。对了，体二极管只有单个MOS管道通常存在于集成电路芯片中
接下来，说说吧MOSFET的特点:
(1)开关速度很快。
(2)高输入阻抗和低电平驱动。 这个特点是什么意思？MOSFET它是一种电压驱动器。与三极管不同，它放大了电流。三极管的基极必须有电流才能工作.而MOSFET输入阻抗高达107次，这意味着你只需要MOSFET的门极(G)加一个高电平(当然电压要高，最好是10V左右),MOSFET你不需要考虑驱动能力，因为没有电流从门极流入.这里需要注 意的是,MOSFET的门极驱动电压也不是没有要求的,如果你的驱动电压过低, 比如说3V,就会造成MOSFET事实上，导通阻值的增加并没有完全导通。MOSFET会严重发烧，甚至烧毁.其实说到导通，不得不说说。MOSFET最大的优点是，当他正常导通时，正向导通电阻极小，只有0.01欧姆，不是很有活力吗？. （3）安全工作区宽。 (4)热稳定性高。 (5)易于并联使用。 (6)跨导高度线性。 (7)管内有漏源二极管。 有必要说，MOSFET符号是我们前面提到的图片，但实际上是MOSFET内部电路不是这样的.我们来看看IRF3205的DataSheet里面的说明:
朋友们看到有什么不同吗？顺便说一句，在现实中MOSFET会有一个续流二极管，这个二极管反接MOSFET的DS在此之间，我们不需要外接续流二极管.其实这个二极管是因为MOSFET内部结构形成的不是厂家特意加的，而是没有续流二极管MOSFET不常见(我没用过，也没见过，不知道有没有).这种续流二极管意味着什么？除了省下二极管，最重要的是，如果你会的话DS如果你不能关闭反向，就会出现MOSFET的情况.
这是很多人犯错的地方，设计时要注意，因为这个小二极管，MOSFET反向是导通的. (8)注意防静电损坏。
这也必须说，MOSFET栅极-源极间最大额定电压约为±20V,如果驱动电压超过此范围，很可能会永久损坏MOSFET,但可恨的是，有MOSFET输入阻抗的优点是电荷不能及时流动，积聚在门上(G),就会造成Vgs大于这个±20V此时的范围MOSFET就可能损坏.这就是为什么你不能用手触摸它MOSFET引脚的原因，手上的静电高达千伏，MOSFET突然被击穿.记住，不要用手握住MOSFET的腿,否则会很不专业.为了防止MOSFET除了严格按照规章制度，还需要带上放电手套、电烙铁接地等。.静电问题往往是MOSFET的薄弱处.如何保护电路设计？MOSFET呢?既然Vgs不能大于20V,然后我们可以在G和S之间，加20V稳压管，防止干扰脉冲或静电损伤MOSFET.