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文章目录
- 前言
- 一、额定电压
- 二、额定电流
- 三、温度与Ron的关系
- 四、额定功率
- 五、额定温度
- 六、热阻
- 七、安全动作区
- 八、抗雪崩
- 九、内部容量
- 十、电荷量
- 总结
前言
最近做到了MOSFET的替换测试，就在此做一些总结。当然了首先也得明白替换器件在电路中起到了什么作用，再去对比、罗列测试计划、评审等。 查看网上相关信息MOSFET数据相当多，所以我还是根据自己的电路选择去看看。研究太深，没有多余的时间T_T
一、额定电压
电压分别在两个地方，VDSS(有的也应该叫VDS)：最大电压可以施加在漏极和源极之间。VGSS：最大电压值可以施加在栅极和源极之间。 图1栅极和源极
图2漏极和源极
二、额定电流
ID(DC)：最大直流电流允许通过漏极， 会受到导通阻抗、封装和内部连线的限制。
三、温度与Ron的关系
导电阻会随着温度的升高而升高
四、额定功率
PT：电影能承受的最大功耗。
五、额定温度
Tch：MOSFET的沟道上限温度 Tstg：MOSFET设备本身或使用MOSFET产品保温范围
六、热阻
热阻越小，散热性越好。℃/W。
七、安全动作区
图3安全动作区
八、抗雪崩
当一些感性负载开关移动时，当开路-连接-关闭时，会有感应电势，会有一个大的峰值。此时，电路可能会添加一些吸收电路。
九、内部容量
GDS各极之间有电容，容量值越小QG开关速度越小，相应的开关损耗越小。
十、电荷量
Q=C*V，开关时间t=Q/I 电荷容量越大，开关时间越大，相应的开关损耗越大。
总结
总结一下替换中比较的一些关键参数，其实还有其他关键参数，比如内部二极管，但是我没用。