Crosstalk（串扰）
图1
在图1的半桥电路中，动作管为下管S一、上管施加S二是关闭驱动信号，二极管处于续流状态。当S1开启时端电压VDS1下降，则S2开始承受反向电压，两端的电压VDS2以dV/dt速度快速上升。那么dV/dt就会通过S2的Crss产生位移电流Irss=Crss*dV/dt，Irss会流入S2的驱动电路，是的CGS充电，并在RG产生压降。最终的结果是S如果超过2的驱动电压被向上拉起，就会出现正向峰值。S2的Vth，它会导致误导，从损失增加到桥臂短路爆炸。我们将这一过程称为正向Crosstalk。
图2
S1仍然是动作管，但这次它关闭了。此时整个过程和正向Crosstalk原理相同，但电压和电流的转换方向相反，最终S2.驱动电压向下拉，出现反向峰值。我们都知道SiC MOSFET栅极耐压能力很差，负向的尖峰会对其栅极造成损伤，影响SiC MOSFET使用寿命或直接击穿其栅极。我们称这个过程为负向Crosstalk。
图3
图4
其实无论是Si MOSFET还是IGBT都存在Crosstalk问题不是SiC MOSFET独特的SiC MOSFET开关速度更快，Vth小(一般在2.5V-4.5V）、栅极耐压能力较弱，这就使得Crosstalk对SiC MOSFET后果更严重，更难处理。
为了抑制Crosstalk，首先要做的是准确测量。Crosstalk波形。但由于以下两个原因，工程师往往会得到错误的波形，往往会导致操作猛如虎，实际效果是两毛五。
原因1：影响寄生参数
在刚才讲解Crosstalk在原理上，为了表达简洁，图1和图3中给出的电路图被简化。在考虑了许多存在的寄生参数后，我们得到图5中给出的等效电路。SiC MOSFET芯片上的实际驱动电压是VGS，我们用电压探头得到的是VGS-M。两者的区别是VGS-M不光包含了VGS，还包含了SiC MOSFET芯片栅极电阻RG(int)上的压降VRG以及寄生电感L上的压降VL。这种情况的原因是电压探头不能直接在那里SiC MOSFET芯片只能连接到设备包装的引脚上RG(int)和L都在测量点之间。
图5
通过模拟结果可以看出，通过电压探头测量得到的Crosstalk波形比实际发生更多Crosstalk也就是说，由于寄生参数的影响，Crosstalk被低估了。这将导致以下两种情况：一是通过测量结果判断Crosstalk然而，在可接受的范围内，实际上发生了误导；第二，工程师们花了很多精力，似乎Crosstalk抑制，其实还很远。由于RG(int)和L是不可避免的，也就是说，如果这个测量误差不能消除，电源工程师就会使用它SiC MOSFET时就需要为Crosstalk留出足够的余量。
同时，测量结果和真实性Crosstalk差异会随之而来RG(int)随着L的增加，我们可以选择RG(int)的SiC MOSFET，同时，测量时尽量将探头连接到设备引脚的根部，以尽量减少误差。
图6
图7
原因2：未使用适当的电压探头
在电源调试中，通常使用高压差探头来测量电压信号，其测量范围广、差输入、高阻抗特性深受电源工程的喜爱。
图为泰克高压差探头
但在测量Crosstalk波形时差探头不再适用。首先Crosstalk范围在±10V高压差高压差探头衰减倍数大，导致测量误差大，噪声大。其次，高压差探头前端的测量线很长，相当于天线，会接收到SiC MOSFET电流在开关过程中快速变化的干扰信号会影响测量结果。最后，高压差探头前端的测量线可视为电感，在测量结果中容易产生不存在的冲击。
从以下测量结果可以看出，采用高压差分探头进行测量Crosstalk波形看起来很粗，震荡幅度很高，正向Crosstalk已经超过了尖峰SiC MOSFET的Vth（3.5V），但此时没有误导通，说明这样的测试结果有问题，同时负向Crosstalk已经超过了尖峰SiC MOSFET-10V）。当使用光隔离探头获得时Crosstalk波形明显不同于使用高压差分探头的波形。波形线变薄，正负Crosstalk尖峰在可接受范围内。当使用光隔离探头获得时Crosstalk波形明显不同于使用高压差分探头的波形。波形线变薄，正负Crosstalk尖峰在可接受的范围内。这主要是因为光隔离探头可以选择较小的衰减倍数，探头前段与设备的连接可以实现最小的环路连接。
图8
图9
以上是下管的测量Crosstalk当我们需要测量上管的波形时，Crosstalk当情况发生时，会发生什么。从下面的测量波形可以看出，使用高压差探头获得的波形更离谱，其冲击范围超过正10V反向20V，光隔离探头测得的波形仍在可接受范围内，这主要是由于光隔离探头的优异高频共模抑制比。
图10
图11
图示为泰克ISOVu新一代光隔离探头
由此可见，高压差探头不适合测量Crosstalk，得到错误的波形会误导电路设计，浪费工程师的时间和精力。选择光隔离探头可以获得准确的波形，在测量下管和上管方面都有非常好的性能。