本周专题：Perc、TOPCon、HJT与IBC，电池片的技术路线有几何差异？
1）PERC：PERC电池的工艺流程比较简单，设备也比较成熟。在过去的两年里，一些提高效率的工艺是标准的，比如激光SE、碱抛、光注入/电注入等。PERC 该技术主要集中在背面钝化层的沉积和激光开槽上，并在此基础上进行工艺改进和优化SE激光和光注入/电注入退火。
2）TOPCon：首先，在电池背面准备一层1~2nm隧道穿过氧化层，然后沉积一层与多晶硅混合，形成钝化接触结构，为硅片 背面提供了良好的界面钝化。
3）HJT：N型单晶硅(C-Si)衬底光吸收区，经制绒清洗后，正面沉积厚度为5-10nm非晶硅膜的本征(i-a-Si: H)和掺杂的 P型非晶硅(P-a-Si:H)，形成硅衬底p-n异质结。硅片背面沉积厚度为5-10nm的i-a-Si:H与N型非晶硅混合(n-a-Si:H)形成背 透明导电氧化物薄膜表面场、双面沉积(TCO) ，最后通过丝网印刷在两侧的顶层形成金属基电极，即为异质结电池的典型结构。
4）IBC：将p 掺杂区域和n 掺杂区域均放置在电池背面(非光面)的太阳能电池，ibc电池的光表面没有金属电极，因此 有效增加电池的短路电流，提高电池的能量转化效率。
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