教育 -浙江大学半导体材料-章节材料- 第一章 测验 1.以下材料为宽禁带半导体 A、Si B、Ge C、GaAs D、GaN 参考资料【 】 2.【单选题】以下是对半导体材料电学特性的正确描述 A、电子空穴导电 B、常温下的电阻率为10E-4 Ω·cm C、构成P-N结，加正电压无电流通过，加反电压有电流通过 D、随着温度的升高，电阻率增加 参考资料【 】 3.半导体照明的应用主要利用了半导体的特性 A、光伏特效 B、电致发光特性 C、高纯特性 D、高完整特性 参考资料【 】 4、【单选题】以下对于半导体的描述错误的是 A、可应用于集成电路、光伏、发光器件、探测器等领域 B、第三代半导体的性能优于第一代半导体，应用更广泛 C、制备半导体时，需要高纯原料，杂质越少越好 D、目前，硅片正在向大尺寸方向发展，目前正在建设300块 mm的生产线 参考资料【 】 5.半导体材料是一门交叉材料、能源和信息的学科。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 半导体的导电特性与金属相同。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 7.【判断题】为了保证载流子浓度用电活性掺杂剂准确控制，半导体材料必须高纯度，无杂质或尽量少。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 硅材料是光伏领域应用最广泛的半导体材料。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 第二章 测验 1.以下是对晶体生长的正确描述 A、晶体生长是一个平衡的过程。 B、晶面的生长速度越快，就越容易留下来；相反，它很容易消失。 C、晶体集的晶体原子表面可以是最低的。 D、晶体的形状取决于各晶面的法向生长速度。 参考资料【 】 2.以下对粗糙界面和光滑界面的描述正确 A、晶体生长单元的比例x=NA/N,如果x>50%是粗界面，x50%的光滑界面 B、x=50%是粗界面，x=0%或者100% 为光滑界面 C、吉布斯的相对自由界面与x无关。 D、对粗糙表面，晶体生长采用二维成核或自然台阶层生长。 参考资料【 】 3.【单选题】以下对不均匀核的描述是错误的 A、一般所有杂质都可以作为形核的基底 B、为了减少湿润角，通常需要选择与晶体核相同的晶体结构，类似的点阵常数作为异质核点 C、当同质外延或单质熔液直接生长时，润湿角为零 D、杂质表面的形状对表面形核有影响，凹面促进形核 参考资料【 】 4.以下对晶体生长方法的描述是错误的 A、金刚石一般采用固相生长法 B、Si晶体一般采用溶液生长法 C、GaN气相生长法可采用 D、亚稳区存在于任何两相之间，当热力学条件处于亚稳相区时，就会出现新相。 参考资料【 】 5.在晶体生长过程中，只有达到一定的过冷度，才能自发地熔化固相。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 6.当晶体生长时，随着晶核半径的增加，系统的自由可以增加。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 7.【判断题】系统中有外来质点(如尘埃、固体颗粒、籽晶等)。)，外来质点称为均匀成核。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 8.硅晶体与锗晶体结构相同，均为金刚石结构。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 第三章 测验 1.以下熔体生长法生长晶体描述正确 A、成分在熔化过程中必须保持不变 B、材料在温和熔点之间可以相变 C、二氧化硅可用于熔体生长法 D、熔化前可分解材料 参考资料【 】 目前，生长半导体单晶最常见的方法是 A、直拉法 B、CVD法 C、布里兹曼法 D、液相外延法 参考资料【 】 3.如何生长熔点很高的氧化物(如铝石榴石)？ A、温差水热法 B、直拉法 C、CVD法 D、区熔法 参考资料【 】 4.判断题SiC可采用熔体生长法。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 5.生长硅晶体最常用的方法是直拉法（Czochralski)。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 液封提拉法能在一定程度上防止晶体生长过程中引入杂质。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 7.【判断题】区域熔法可以生长熔点极高的晶体。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 8.判断题CVD薄膜材料的生长方法一般具有良好的纯度和致密性，但反应的源气和余气有毒。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 测验 1.以下晶体与硅单晶晶体结构相同 A、氯化钠 B、锗单晶 C、硒化汞 D、硫化锌 参考资料【 】 2.以下对硅材料性质的描述正确 A、硅材料为直接带缝，可用作发光管和激光器 B、高纯硅能吸收红外光 C、硅是一种可加工性差的脆性材料 D、随着温度的升高，本征硅的热导率增加。 参考资料【 】 3.【单选题】以下硅的化学性质描述正确 A、对于大多数酸来说，硅是稳定的 B、硅不和碱反应 C、硅溶于王水 D、硅在高温下也很稳定，不与大部分物质发生反应 参考资料【 】 4.以下对硅材料特性的描述正确 A、工作温度高(250)℃） B、电子迁移率高，高频性能好 C、发光效率高 D、结构高度稳定的绝缘层容易形成 参考资料【 】 5.形成P型硅的掺杂剂是 A、硼 B、铝 C、砷 D、锑 参考资料【 】 硅晶体最密的排面为{111}面，第一解离面为{110}面。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 7.硅材料本身没有电活性，可以通过掺杂质原子降低电阻率。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 8.【判断题】硅晶体掺杂的杂质在室温下可视为全电离，电阻率与掺杂浓度成反比。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 测验 1.以下不是太阳能级多晶硅的制备方法 A、精炼造渣 定向凝固 B、电子束+定向凝固 C、区熔提纯 D、直拉法 参考资料【 】 2.【单选题】以下描述正确 A、硅材料在自然界中非常丰富，有天然晶体硅 B、锗材料是一种稀有元素，需要先锗精矿才能获得高纯锗 C、制备金属锗最难去除的杂质是金属杂质 D、纯度：太阳电池级多晶硅>电子级多晶硅 参考资料【 】 3、【单选题】以下描述错误的是 A、电子高纯多晶硅达到9~10个“9” B、高纯硅通过化学提纯获得 C、三氯氢硅在西门子法中的净化可以通过蒸馏来净化 D、西门子法的优点是产量大，质量高，但成本高 参考资料【 】 4.半导体硅的性能对杂质非常敏感，通常通过纯化硅和有目的的混合来控制性能。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 5.硅化学纯化技术的区别主要在于中间化合物的不同，西门子法是最常用的方法。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 6.硅烷法成本低，但安全性差。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 测验 1.【判断题】区熔纯化采用分凝原理 A、正确 B、错误 参考资料【 】 2.【判断题】熔区的移动速度越小，净化效果越好 A、正确 B、错误 参考资料【 】 3.区域熔硅可以在大气中含氮，抑制微缺陷，增加机械强度。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 4.【判断题】区域熔化可重复多次，使杂质尽可能集中在头尾两端，净化中间材料，熔化区域越长越好。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 根据经验公式可以选择熔区次数：n=(1~1.5)L/l A、正确 B、错误 参考资料【 】 6.硅中的一些主要杂质，如C和O分凝系数大于1. A、正确 B、错误 参考资料【 】 测验 1.直拉硅中不可能存在杂质和缺陷 A、位错 B、Fe杂质 C、Cu杂质 D、晶界 参考资料【 】 2.【单选题】在直拉硅的生长过程中，熔体对流。以下对流的描述是错误的 A、温差会产生热对流 B、晶体旋转和坩埚旋转都会产生强制对流 C、磁性直拉法可以通过外加磁场在一定程度上抑制对流 D、表面张力会产生热对流 参考资料【 】 3.【单选题】以下直拉生长描述错误 A、重装料CZ该方法可连续拉晶3-4根，但有坩埚破裂的风险 B、在晶体生长过程中，连续直拉法可以保持熔体液位恒定 C、硅晶体含氧量和碳杂质浓度低，晶体质量高 D、连续直拉法制备的硅晶体电阻率相对均匀，但掺镓除外 参考资料【 】 4.判断题Dash缩颈成功生长了无位错直拉硅，但是使得一次拉出来的晶体长度受限 A、正确 B、错误 参考资料【 】 五、【判断题】锗、氮混合，重硼籽晶强度高。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 6.判断题直拉硅晶体时最后的收尾是为了防止位错反延。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 7、【判断题】可以通过晶锭外侧的生产条纹和小平面来判断晶体的位错状态。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 8、【判断题】直拉硅单晶的发展呈现大尺寸大直径的趋势，单晶炉也逐渐发展变大。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 测验 1、【单选题】以下对于重掺磷技术的难点描述错误的是 A、易挥发，高浓度磷原子不能掺入硅熔体 B、高浓度磷掺入的微缺陷难以准确显示 C、磷的分凝系数过高，导致轴向掺杂不均匀 D、高浓度磷容易造成组分过冷，导致多晶 参考资料【 】 2、【单选题】以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是 A、是直拉硅中浓度最高的杂质 B、主要来源于坩埚的污染 C、对于硅晶体而言完全是有害杂质，需要去除 D、过饱和会形成氧沉淀，影响硅晶体的电学性质 参考资料【 】 3、【单选题】以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是 A、一般处于替位态 B、在现在的制造技术中浓度一般小于10的16次方每立方厘米 C、会促进氧沉淀的形成 D、在机械性质上对硅晶体有益 参考资料【 】 4、【判断题】直拉硅晶体过程中会引入各种杂质，有些杂质对材料有害，有些杂质对材料有益。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 5、【判断题】直拉晶体的掺杂技术有共熔法和投杂法。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 6、【判断题】直拉硅晶体中的氢杂质一般是故意引入，一般没有电学性质 A、正确 B、错误 参考资料【 】 7、【判断题】氢可以钝化硅晶体中的氧沉淀、位错和金属杂质 A、正确 B、错误 参考资料【 】 8、【判断题】直拉硅中的金属杂质必须避免，它们扩散很快，可以形成复合体或者沉淀，对于硅晶体的电学性质有严重的危害。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 测验 1、【单选题】以下抑制自掺杂的方法不正确的是 A、采用背封技术，如生长二氧化硅或者多晶硅 B、采用低温外延技术 C、采用含卤原子的硅源 D、外延生长前高温加热沉底，表面形成耗尽层 参考资料【 】 2、【单选题】以下对于硅外延生长描述不正确的是 A、不同的晶向生长速率不同，对于硅而言，<100>生长速率最快 B、温度影响硅外延生长速率，温度越高外延层的生长速率越高 C、气体和载体的比例影响硅外延生长的速率，存在一个最佳比例生长速率最高 D、生长速率随着气体流量的增加而增大 参考资料【 】 3、【单选题】以下不是外延硅的主要缺陷 A、层错 B、氧沉淀 C、位错 D、夹层 参考资料【 】 4、【单选题】以下对于非晶硅薄膜描述错误的是 A、非晶硅与单晶硅的raman谱的峰位不同 B、非晶硅的光吸收系数高于单晶硅，有利于光电转换 C、由于非晶硅薄膜中存在比较高的缺陷和局域态密度，通常不能进行掺杂 D、非晶硅的能带结构与晶体硅相同，禁带宽度均为1.12 eV 参考资料【 】 5、【判断题】外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法，衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂，比如Sb。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 6、【判断题】硅的同质外延生长的原理是用氢气还原硅的氯化物。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 7、【判断题】目前SOI材料的主流制备技术是注氧隔离技术和智能剥离技术。 A、正确 B、错误 参考资料【 】 8、【判断题】硅片键合技术主要是由于吸附在被氧化的两个硅表面的羟基团吸引形成氢键所致。 A、正确 B、错误 参考资料【 】