或者延迟上升电路。USB - TTL 芯片的RTS# 或者DTR# 信号允许单片机自动断电复位。串口电路比较完整见:STC 串口下载电路 - CH340G USB串口和漏电隔离
原理
开门见山吧，搜了一圈好像没找到同样工作方式的电路。
注意Q3 是NPN，向上发射，可能看起来不习惯。SW1 是手动触发的按键，并不必要。原理就是用PMOS 控制单片机供电，电路触发时，让单片机断电，然后自动重新上电，冷复位电路基本相同。PMOS 管Q1 用R6 默认情况下，下拉保持导通状态。当PNP 三极管Q2 当基极下拉时，R6 电流过后，电压上升，Q1 关闭，单片机断电。用PNP 控制PMOS 优点是这里没有多余的电流。可以用SW1 手动按钮下拉Q2 基极断电给单片机。
左半边NPN 三极管Q3 周围基本都是电容延迟电路。 是来自USB 芯片信号，默认高电平，通过R8 和二极管D4 给电容C8 充电。R11 有分压作用，但阻值远大于R8.效果不明显。电容器大致可以充电VCC - 0.6V，此时Q3 发射极高电平，高于基极，当然不导通。
当 低电平时，D4 反向截止，C8 这里不会快速放电。Q3 基极现在是电容正极电压，接近VCC，发射极低，所以Q3 导通，Q2 基极被拉低，PMOS Q1 关闭，单片机断电。这时C8 主要经过Q3 放电，基极电阻R10 限流延时。放电大概要几百毫秒，C8 放完电后Q3 截止，连带Q2 也截止，PMOS Q1 恢复导通，单片机上电。这是延迟自动上电的过程，反映波形大概是这样的:
另外，两个三极管可以起到类似达林顿的作用，防止PMOS 不完全关闭。100k 电阻R11 用于电容器完全放电，同时下拉Q3 基极应具有抗干扰作用，避免误触发。1M 电阻R9 它是为了消除模拟自动上电时看到的负电压峰值，可能是和MOS 寄生电容与管道有关，能量应该很小，不会造成任何麻烦，但总之，增加电阻以确保安全。组件型号没有特殊要求，图中只是例子。因为 和 信号行为相似，所以用控制信号代替控制信号 也行。
受评论启发，使用MOS 升级版管改简化电路：STC 自动下载电路的纯硬件 V2.我以后应该只用这个简化版。
DTR# 和RTS# 信号
自动下载的电路设计大多与这两个串口信号有关，不仅仅是STC 可以使用电路。我以前听说过。 信号是下载并开始给出负脉冲，然后直接使用 接下来就行了，但不能~ STC-ISP 软件编程时 和 信号全程低电平，下载后恢复。默认情况下，大多数串口助手软件也打开串口。 和 拉低，关闭时拉高。因此，如果直接连接，单片机会总是断电，无法完成下载。
用stcgal 例如，这是一个开源的下载信号STC 单片机下载工具。 通道是 ， 是：
可见两个信号全程拉低，STC-ISP 就像这样。如果放大，两个信号仍然略有不同：
相比 要滞后500us。这个行为stcgal 和stc-isp 它也是统一的，所以我们也可以看到有人基于此实现了另一个原则的自动复位，即当 为低，而 高时触发。本文介绍的电路可能会被各种串口软件无差别地触发和复位。相对而言，这一原理可能更稳定，以避免一些串口助手打开串口时的信号干扰，但不能完全避免。各种串口软件的实现并不统一。无论如何，重置多少次并不重要。此外，建议，也是个串口助手，可以设置关闭 和 信号不会误触发复位。
类似地，这两个信号可以通过上位机设置传输更特殊的复位信号。stcgal 下载时可设置 如图所示：
下载开始后 信号降低了近5000ms，然后自动恢复高电平。这样可以直接 信号控制单片机断电，不需要多处理。stcgal 推荐使用的文档NMOS 控制单片机GND 断电时，栅极直接连接。用GND 因为开关更彻底，不用考虑USB 芯片给单片机漏电导致断电不彻底。~ 感觉单片机的地面会飘起来，感性地认为这可能是对的ADC 的精度不利[doge]。所以还是用PMOS 控制电源，USB 部分隔离处理好，可见STC 的文档。
注：电容放电时间过长
实际使用时，我看到了与模拟不同的现象。若电容延迟C8 用电解电容，所以一切OK，但如果换成陶瓷电容器，会发现长时间后可以自动上电。测量电压后，电容电压降至0.6V 下面的下降非常缓慢，此时左边NPN 三极管Q3 大概是处于将断未断的状态，电容经过基极的放电电流很小，用电解电容没问题应该是因为电解电容漏电比较大，相当于并联了一个比较大的电阻到地。解决方案就是把R11 减小，换成10k，或者用1代替电容uF 应该也行。但放电时间不宜过短。如果过短，单片机断电时间过短，可能无法正常触发断电，然后上电复位。根据我自己板上的经验，单片机的断电时间是500ms 如果是小于200ms 效果不可靠。C8 使用了10uF 陶瓷电容，R11 用47k，断电时间超过400毫秒。