先说下常见mos选型参数：如：IRLML6401TRPBF 参数
| 漏源电压（Vdss） | 12V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.3A |
| 门源极阈值电压 | 950mV @ 250uA |
| 泄漏导电阻 | 50mΩ @ 4.3A,4.5V |
| 耗散最大功率（Ta=25°C） | 1.3W |
| 类型 | P沟道 |
vdss:指栅源电压VGS 为 0 时(此时的mos现场效应管正常工作时能承受的最大泄漏电压必须是截止日期)。这是一个极限参数，现场效应管上的工作电压必须小于 V(BR)DSS 。 它具有正温度特性。
Id:芯片在最大额定结温TJ(max)管表面温度为25℃在更高的温度下，允许最大连续直流电流实际使用时保持管表面温度25℃（Tcase）也很难。因此，硬开关应用中实际开关电流通常如果使用热阻，补充JA如果在特定温度下估计，ID，这个值更现实。
VGS(th)格栅源极阈值电压：打开电压（阀值电压）。当外部格栅极控制电压时 VGS 超过 VGS(th) 当时，漏区和源区的表面反形层形成。在应用中，漏极经常短接 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。这种参数通常会随着结温度的升高而降低，即负温度特性。
RDS(on) 漏源导通电阻：在特定的情况下 VGS (通常为 10V)、在结温和漏极电流的前提下， MOSFET 导通时它决定了一个非常重要的参数MOSFET导通时的功耗.此参数通常会随结温度的上升而有所增大（正温度特性）. 因此，在最高运行结温的前提下，该参数的值应作为损耗和压降计算.
PD最大功率耗散（Ta=25°C）:是指场效应管性能不变时允许的最大泄漏耗散功率（即损耗）。使用时，场效应管的实际功耗应小于 PDM(漏极最大允许耗散功率)并留有一定的余量。这个参数通常会随着结温度的升高而减少。
注：
MOS的功耗是指MOS在电路导通损失等应用损失，开关当然，在设计和应用时，这个值必须远小于MOS管的Pd.?MOS管道的功耗主要包括开关损耗和通态损耗
计算通态损失的影响。Pcond=Idsrms*Idsrms*RDSon*Dmax，如Idsrms=11A时，Dmax接近100%，RDSon取8豪欧，Pcond约1W。过程:11*11*0.008*100%=0.968W
估计开关损耗。PSW=VDSoff*Idsrms*（tr tf）*f例如：tr tf=600ns，f=15625，VDSoff取24V，PSW=1.24W?
Tf :下降时刻.输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时刻.Tr :上升时刻.输出电压 VDS 从 90% 降至其幅值 10% 的时刻.VDSoff：实际得看mos管道曲线。取曲线平均值。
总耗散功耗为：Pmos=Pcond PSW=2.24w。?
扩展：
gfs ：跨导。是指泄漏电极输出电流与栅源电压变化之比，是栅源电压对泄漏电流控制能力的测量。 gfs 与 VGS 注意图表的转移关系