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真实案例分享:MOS管电源开关电路,遇到上电冲击电流超标

做硬件,堆积经验。

共享一个案例:MOS如何解决管电源开关电路上电冲击电流超标?

以下是文本部分。

最近有一个用了很久的。,供应链部门找到了我们的R&D部门,说供应商推荐了另一种型号作为兼容替代品,需要R&D部门分析。我粗略扫描了规格,我以为这这样结束的,但为了给今年学校招聘的新同事一个锻炼的机会,部门经理还是给新同事A君分配了详细兼容的替代分析任务。

结果两天后,A君突然找到了我:蒋工,这个替代品MOS在你的新项目新项目。

我???不,这不是15A的MOS管道,我的平均电流不到6A,峰值电流不超过8A,怎么会用不了?虽然替代的MOS管导通电阻增加了几毫欧,我计算了耗散功率也没有增加太多,不应该有问题。

A君:不,其他参数没问题。最大脉冲电流超标,更换MOS管这个指标只有40个A,之前那个是80A,你的新项目测量了60个A。

我:不可能。这条电路已经使用了很长时间,从来没有出现过问题。虽然新项目的功耗增加了一些,但不可能有这么大的脉冲电流,因为板上大电容器的总容量没有增加多少。你错了吗?

A君:那你过来看看。

啪~~~~~我的脸...

不就是MOS管开关电路嘛,So easy,闭上眼睛也可以设计。这里用的是PMOS,因此,只要将栅极拉到源极,然后通过开关控制将栅极拉到地面,使开关导通MOS管也导通,完美。

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然后有以下测试结果:黄色痕迹线为漏极电流,紫色为漏极电压,蓝色为源极电压,绿色为开关,橙色为漏极电压乘以漏极电流获得功率。是的,我没看错。开关导通的瞬时漏极电流最大可达60A!这次替代的MOS管道最大脉冲电流为40A,这个设计似乎真的不安全。

但我还是不相信。这个电路以前用过,也详细测量过不可能有这么大的脉冲电流,虽然新项目在MOS管道后面增加了一些电容器,但电容器的总容量实际上并没有增加太多。即使在上电时立即充电,也不太可能产生如此大的电流。一定有什么问题。

新项目的功耗增加了大概30%,电源树结构与之前的也有不小的区别,不过设计时并没有增大板级的大型储能电容容值,而是放了更多容量稍小但性能更好的MLCC(多层瓷片电容)在负载电源附近取得更好的效果。

这些是多加进来的吗?MLCC捣鬼?先模拟验证一下。

因为电容的ESL模拟结果经常引起冲击,所以这里只使用电容ESR,组件参数不是实际值,但足以说明问题。当电容器的一端没有明确接收到电压时,如果初始电压没有人工设置,模拟结果往往会出现错误,这里是C3上并了一个R出于这种考虑。为了模拟冲击电流引起的电源波动,对总电源和电源线进行了简单的建模。

模拟结果表明,上电瞬时冲击电流为22A左右,还在可控范围内。

现在把万恶的MLCC与470相比,470,uF电解电容,MLCC只有22uF,然后...60A冲击电流增加了近三倍?!电容量增加不到1/10,冲击电流增加了这么多倍。我认为翻车是不可能的。

如果不使用MLCC只要增加电解电容的容量,就会增加到2200uF结果脉冲电流的最大值只有24倍。A,只是整个充电过程变长了。

这就是电容ESR捣鬼造成的,;而ESR非常小的MLCC,当电源接通时,几乎直接断路到地,因此会出现巨大的冲击电流。

这次我输给了直觉,直觉认为电容决定了冲击电流,,电容量更多的是决定充电的总能量(或电流和时间的乘积)。

罪魁祸首发现了,现在的问题是如何整改,最简单的整改方法是给予MOS管道缓慢启动电路。缓慢启动电路以前没有少用,但这个设计很懒,直觉不会有问题,所以没有添加,翻车。

MOS管缓启动电路的思路很简单,充分利用MOS不允许管道的线性区域MOS管道从截止日期突然跳到饱和,即给予Vgs慢变而不是突变,所以MOS在上电过程中,管道相当于可变电阻,可以轻轻地给负载电容充电,而不是一口气吃胖子。

电容器两端的电压不能突变,所以在MOS管道的栅极和源极之间跨接一个电容器。栅极通过电阻或恒流源缓慢放电电容器,而不是简单粗暴的开关接地,使其能够短接地Vgs慢慢变化。

仿真效果好,冲击电流从60开始A降到了不到15A,别担心MOS管罢工。虽然缓启动增加了上电延迟,但对主开关没有严格的上电时序要求,也不是大问题。

但没完没了,这个缓启动电路还会带来另一个大问题,那就是掉电延迟,比上电延迟严重得多(应该很容易理解)。幸运的是,我是这里的主开关,所以断电延迟不是一个严重的问题,但如果使用它MOS严格控制上下电时序是一个非常严重的问题。对于时序控制要求高的场合,应使用专用负载开关进行处理,并进行分立MOS开关太折腾了。

当然,这种简单的缓启动电路有很多缺点。在实际使用中,必须根据实际情况进行调整,电路将更加复杂(例如,当电路突然断电并恢复时,电路将定在以前的状态)。

在实际电路中加入缓启动电路进行再测试,与预期相同有了很大的改进。

本文转自知乎|点击阅读原文访问原文的蒋宇晨。

注解:

1.作者使用的模拟软件是LTspice。

2、电容的ESR对电路的影响,这个案例能让大家有真实的感受。

3、文中对“MOS未对管缓启动(又称软启动)电路进行详细分析,强烈建议阅读文章

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