常用的电解电容包装有哪些类型？

电解电容封装一般按尺寸可分为三种:引线型(又称直插型)、牛角型(又称焊针型)、螺栓型。

最常见的焊针是二角焊针，但也有三角焊针、四角焊针和不规格的多角焊针。

另外还有一种叫焊片型，不太常用，尺寸类似牛角型大小。

常用：

引线型铝电解电容：

焊针铝电解电容：二角和四角

螺栓铝电解电容：

不常用型：

三角焊针铝电解电容：

焊片型铝电解电容

不规则多角焊针铝电解电容器

电容：可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603；而有极性电容也就是我们平时所称的电解电容，一般我们平时用的最多的为铝电解电容，由于其电解质为铝，所以其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多，贴片电容器根据其耐压性的不同可分为A、B、C、D 四个系列的具体分类如下：类型包装耐压A 3216 10VB 3528 16VC 6032 25VD 7343 35V表示贴片电容的尺寸有两种方法，一种是以英寸为单位，另一种是以毫米为单位，贴片电容系列型号为0402、0603、0805、1206、1812、2010、2225、2512，为英寸表示法，04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02 英寸，其它类型的尺寸(mm)公制尺寸长度、公差宽度、公差厚度、公差0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.050603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.100805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.201.00±0.201.25±0.201206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.201.00±0.201.25±0.201210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.301.50±0.301808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.001812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.502225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.503035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00贴片电容命名贴片电容命名：贴片电容命名中包含的参数包括贴片电容的尺寸、制作贴片电容的材料、要求的精度、要求的电压、要求的容量、端部要求和包装要求。例如，优雅系列贴片电容命名贴片电容命名：贴片电容命名中包含的参数包括贴片电容的尺寸、制作贴片电容的材料、要求的精度、要求的电压、要求的容量、端部要求和包装要求。一般来说，订购贴片电容所需的参数应包括尺寸、精度、电压、容量值和所需品牌。例风华系列贴片电容的命名:0805CG102J500NT0805:指贴片电容的尺寸套小，用英寸表示08 表示长度是0.08 英寸、05 表示宽度为0.05 英寸CG ：这种电容所需的材料通常适用于1万以下的材料PF 以下电容，102 ：指电容量，前面两位是有效数字、后面的2 多少零102=10？×102 也就是＝1000PFJ ：误差精度为5%，介质材料和误差精度为500 ：电容承受的耐压要求为50V 同样500 前两个是有效数字，后两个是零。N ：指端头材料，现在一般端头指三层电极(银/铜层)、镍、锡T ：指包装方法，T 表示编带包装，B 表示塑料盒散包装贴片电容器的颜色，传统上比纸板盒浅黄色和蓝灰色，在具体生产过程中会产生不同的不同，贴片电容器上没有印刷，这与他的生产过程有关（贴片电容器通过高温烧结表面，因此，不可能在其表面打印)，而贴片电阻是丝印(可以打印标记)。普通贴片电容器配有中高压贴片电容器，系列电压为6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、2000V、3000V、4000V表示贴片电容的尺寸有两种方法，一种是以英寸为单位，另一种是以毫米为单位，0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225 等。常规的贴片电容材料分为三种，NPO,X7R,Y5VNPO 该材料具有最稳定的电气性能，几乎不随温度、电压和时间化，适用于低损耗、稳定性要求的高频电路。容量精度在5%左右，但这种材料只能用于小容量，常规100PF 以下，100PF-1000PF 也可以生产，但价格更高X7R 此种材质比NPO 稳定性差，但容量比NPO 材料要高，容量精度在10%左右。Y5V 这种介质的电容稳定性差，容量偏差约20%，对温度和电压敏感，但该材料容量高，价格低，适用于温度变化小的电路。Y5V 这种介质的电容稳定性差，容量偏差约20%，对温度和电压敏感，但该材料容量高，价格低，适用于温度变化小的电路。 

无极电容的封装模型是RAD比如系列RAD-0.1”“RAD-0.2”“RAD-0.3”“RAD-0.4等，后缀的数字表示包装模型中两个焊盘之间的距离，单位为英寸。电解电容的封装模型是RB例如，从RB-.2/.4”到“RB-.5/.10.后缀的第一个数字表示包装模型中两个焊盘之间的距离，第二个数字表示电容形状的大小，单位为英寸。

如何选择电阻电容的封装形式？

1.如何选择电阻电容的包装形式，有什么原则吗？比如同样的104电容包装0603和0805，同样的100uF电容包括3216、0805、3528等封装形式，选择哪种封装形式比较合适？电阻电容器常用于包装我看到的电路：

电容：

0.01uF0603、0805可能包装

10uF3216、3528、0805包装

100uF的有7343

320pF封装：0603或0805

电阻：

4.7K、10k、330和33既有0603，0805

如何选择这些包装？

2.有时两个芯片的引脚(如芯片A的引脚1，芯片B的引脚2)可以直接连接，有时引脚(如A-1和B

2)之间有一个电阻，比如22欧元。为什么？这个电阻有什么作用？如何选择电阻值？

3.如何布置莲藕电容器？原则是什么？每个电源的引脚是否布置0块？.1uf？有时候看到0.1uf和10uf为什么联合使用？

4.所谓5V ttl器件、5V cmos设备是什么意思？是不是说设备的电源连接到5？V，其引脚输出或输入电平为5V ttl或者5v cmos?

5.板上要做两个串口，可以只用一个吗？MAX232芯片如果可以，用哪种芯片？MAX3232C、MAX3232E还是MAX3232CSE?或者这些芯片都可以

6.看PDIUSBD12芯片手册，看到两个概念，不清楚:单地址/数据总线配置，多路地址/数据总线配置，两者有什么区别？

7.protel在99中，电源和地面的网络标号是否一定是全局的（即使我使用层次电路原理图3：全局电路端口和局部网络标号）

8.晶体振动电路电容器一般为22pF，这是经验值吗？上下拉电阻值一般为4.7k~10K

9.usb插座电路，有一个电容：0.01uF/2KV，有这么高的耐压电压电容吗？为什么这里需要这么高的耐压电容？

10.DB9插座是2发送，3接收，3接收，2发送，还是由自己定义

12.什么是扇入、扇出、扇入系数和扇出系数？

13."高速差分信号线具有速率高、布线好、信号完整性好等特点"，什么是高速差分信号线？

14.protel 99se在布线时，信号线、地线、电源线的宽度一般是多少？需要注意哪些原则？15.TTL电路和cmos电路有什么区别？什么时候用？TTL系列？什么时候用？cmos器件? 一些回答：

1.如何选择电阻电容的包装形式，有什么原则吗？比如同样的104电容包装0603和0805，同样的100uF电容包括3216、0805、3528等封装形式，选择哪种封装形式比较合适？电阻电容器常用于包装我看到的电路：

电容：

0.01uF0603、0805可能包装

10uF3216、3528、0805包装

100uF的有7343

320pF封装：0603或0805

电阻：

4.7K、10k、330和33既有0603，0805

如何选择这些包装？答：选择合适的封装第一要看你的PCB空间，你能放下这个设备吗。一般来说，大型包装设备会更便宜，小型包装设备由于加工度要高一点，有可能会贵一点，然后封装大的电容耐压值会比封装小的同容量电容耐压值高，这些都是要根据你实际的需要来选择的，另外，小封装的元器件对贴装要求会高一点，比如SMT机器的精度。如手机里面的电路板，因为空间有限，工作电压低，就可以选用0402的电阻和电容，而大容量的钽电容就多为3216等等大的封装

2.有时候两个芯片的引脚(如芯片A的引脚1,芯片B的引脚2)可以直接相连，有时候引脚之间(如A-1和B-2)之间却要加上一片电阻，如22欧，请问这是为什么?这个电阻有什么作用?电阻阻值如何选择?答：这个电阻一般是串电阻，拿来做阻抗匹配的，当然也可以做降压用，用于3.3V I/O 连接2.5V I/O类似的应用上面。阻值的选择要认真看Datasheet，来计算

3.藕合电容如何布置？有什么原则？是不是每个电源引脚布置一片0.1uf？有时候看到0.1uf和10uf联合起来使用，为什么?

答：电容靠近电源脚，这个问题可以参见http://www.ednchina.com/bbs/DetailTopic_new.asp?topicid=3961&ForumID=5

补充一点看法：

在两个芯片的引脚之间串连一个电阻，一般都是在高速数字电路中，为了避免信号产生振铃(即信号的上升或下降沿附近的跳动)。原理是该电阻消耗了振铃功率，也可以认为它降低了传输线路的Q值。

通常在数字电路设计中要真正做到阻抗匹配是比较困难的，原因有二：1、实际的印制板上连线的阻抗受到面积等设计方面的限制；2、数字电路的输入阻抗和输出阻抗不象模拟电路那样基本固定，而是一个非线性的东西。

实际设计时，我们常用22到33欧姆的电阻，实践证明，在此范围内的电阻能够较好地抑制振铃。但是事物总是两面的，该电阻在抑制振铃的同时，也使得信号延时增加，所以通常只用在频率几兆到几十兆赫兹的场合。频率过低无此必要，而频率过高则此法的延时会严重影响信号传输。另外，该电阻也往往只用在对信号完整性要求比较高的信号线上，例如读写线等，而对于一般的地址线和数据线，由于芯片设计总有一个稳定时间和保持时间，所以即使有点振铃，只要真正发生读写的时刻已经在振铃以后，就无甚大影响。

前面已经补充了一点，再补充一点：关于接地问题。

接地是一个极其重要的问题，有时关系到设计的成败。

首先要明确的是，所有的接地都不是理想的，在任何时候都具有分布电阻与分布电感，前者在信号频率较低时起作用，后者则在信号频率高时成为主要影响因素。由于上述分布参数的存在，信号在经过地线的时候，会产生压降以及磁场。若这些压降或磁场(以及由该磁场引起的感应电压)耦合到其它电路的输入，就可能会被放大(模拟电路中)或影响信号完整性(数字电路中)。所以，一般要求在设计时就考虑这些影响，有一个大致的原则如下：

1、在频率较低的电路中(尤其是模拟电路或模数混合电路中的模拟部分)，采用单点接地，即各级放大器的地线(包括电源线)分别接到电源输出端，成为星形连接，并且在这个星的节点上接一个大电容。这样做的目的是避免信号在地线上的压降耦合到其他放大器中。

2、在模拟电路中(尤其是小信号电路)要避免出现地线环，因为环状的地线会产生感应电流，此电流造成的感应电势是许多干扰信号的来源。

3、如果是单纯的数字电路(包括模数混合电路中的数字部分)且信号频率不高(一般不超过10兆)，可以共用一组电源与地线，但是必须注意每个芯片的退耦电容必须靠近芯片的电源与地引脚。

4、在高速的数字电路(例如几十兆的信号频率)中，必须采取大面积接地，即采用4层以上的印制板，其中有一个单独的接地层。这样做的目的是给信号提供一个最短的返回路径。由于高速数字信号具有很高的谐波分量，所以此时地线与信号线之间构成的回路电感成为主要影响因素，信号的实际返回路径是紧贴在信号线下面的，这样构成的回路面积最小(从而电感最小)。大面积接地提供了这样的返回路径的可能性，而采用其他的接地方式均无法提供此返回路径。需要注意的是，要避免由于过孔或其他器件在接地平面上造成的绝缘区将信号的返回路径割断(地槽)，若出现这种情况，情况会变得十分糟糕。

5、高频模拟电路，也要采取大面积接地。但是由于此时的信号线要考虑阻抗匹配问题，所以情况更复杂一些，在这里就不展开了。

贴片电容的封装

电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司产品手册。NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于± 0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。 NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。封 装 DC=50V DC=100V0805 0.5---1000pF 0.5---820pF1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF1210 560---5600pF 560---2700pF2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。

X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。封 装 DC=50V DC=100V0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF

Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容器来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。封 装 DC=25V DC=50V0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF

Z5U电容器的其他技术指标如下:

工作温度范围 +10℃ --- +85℃温度特性 +22% ---- -56%介质损耗 最大 4%

Y5V电容器Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。Y5V电容器的取值范围如下表所示封 装 DC=25V DC=50V0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF

Y5V电容器的其他技术指标如下:

工作温度范围 -30℃ --- +85℃温度特性 +22% ---- -82%介质损耗 最大 5%

贴片电容的封装及分类：

贴片电容：可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603;而有极性电容也就是我们平时所称的电解电容，一般我们平时用的最多的为铝电解电容，由于其电解质为铝，所以其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多，根据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D 四个系列，

　　具体分类如下：类型封装形式耐压

　　A 3216 10V

　　B 3528 16V

　　C 6032 25V

　　D 7343 35V

　　贴片电容的分类

　　一 NPO电容器

　　二 X7R电容器

　　三 Z5U电容器

　　四 Y5V电容器

　　区别：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

　　一 NPO电容器

　　NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

　　NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

　　封 装 DC=50V DC=100V

　　0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

　　1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

　　1210 560---5600pF 560---2700pF

　　2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

　　NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。

　　二 X7R电容器

　　X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到 125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

　　X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。

　　X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。

　　封 装 DC=50V DC=100V

　　0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF

　　1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF

　　1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF

　　2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF

　　三 Z5U电容器

　　Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容器来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。

　　尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。

　　封 装 DC=25V DC=50V

　　0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF

　　1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF

　　1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF

　　2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF

　　Z5U电容器的其他技术指标如下:

　　工作温度范围10℃ --- 85℃

　　温度特性 22% ---- -56%

　　介质损耗 最大 4%

　　四 Y5V电容器

　　Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达 22%到-82%。

　　Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。

　　Y5V电容器的取值范围如下表所示

　　封 装 DC=25V DC=50V

　　0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF

　　1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF

　　1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF

　　2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF

　　Y5V电容器的其他技术指标如下:

　　工作温度范围 -30℃ --- 85℃

　　温度特性 22% ---- -82%

　　介质损耗 最大 5%

　　贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。不同的公司命名方法可能略有不同。

　　作用

　　电路中的作用

　　在直流电路中，电容器是相当于断路的。 电容器是一种能够储藏电荷的元件，也是最常用的电子元件之一。

　　这得从电容器的结构上说起。最简单的电容器是由两端的极板和中间的绝缘电介质(包括空气)构成的。通电后，极板带电，形成电压(电势差)，但是由于中间的绝缘物质，所以整个电容器是不导电的。不过，这样的情况是在没有超过电容器的临界电压(击穿电压)的前提条件下的。我们知道，任何物质都是相对绝缘的，当物质两端的电压加大到一定程度后，物质是都可以导电的，我们称这个电压叫击穿电压。电容也不例外，电容被击穿后，就不是绝缘体了。不过在中学阶段，这样的电压在电路中是见不到的，所以都是在击穿电压以下工作的，可以被当做绝缘体看。