写在前面：
? ? ? 我很幸运带领球队参加了11-14届全国大学生智能车比赛，经历了从飞思卡尔杯到恩智浦杯的转变。从最初的摄像头组到最后的六个组（不涉及创意组有点遗憾）；从最初的省级比赛中被淘汰，一个弯道不能通过，到最后的电磁三轮，电磁直立组在西部，全国13个摄像头四轮。我在技术、领导经验甚至团队管理方面都收获了很多。 ? ? ? 在我看来，智能汽车比赛真的是一个很好的本科入门级比赛，这里有一个比较好的生态。我看过山外论坛80%的智能车制作帖子。卓青老师的微信官方账号不拉(至今经常看)。有同学的问题，卓老师的回复反复刷。还有正点原子，凡亿PCB以及逐飞科技、蓝宙电子、龙邱、泰庆、呆萌侠等淘宝电商QQ维护。所有这些都使国内智能车圈异常活跃，不大也不小。 ? ? ? 除了良好的生态，简单的汽车控制，集成了基本的C语言操作，PCB基本入门操作、车模机械结构分析、自动控制原理PID控制、多传感器简单融合等操作，也算麻雀虽小，五脏俱全。 ? ? ? 在比赛中，我还简要地与卓青先生交谈了几句话。我也要感谢组委会的努力和学院许多教师的支持和合作。使一批又一批的智能汽车人能够在实际的战斗技术中快速成长。为后续的发展奠定基础。（当然，也可以看到，许多智能汽车人已经成为被迫的技术人员，并在社会电子技术军队中脱颖而出）
一些零碎的总结:
? ? ?在实际生产过程中，很少涉及太深的理论，主要是基本操作，但很小tips还是挺多的，有时候一个不注意就要卡很久。趁着最近的整理总结，不妨发出去。(逻辑上没有顺序，看哪里写，看多少写多少，只是之前的整理。
- 功率放大器不使贴片元件在于输出功率问题，贴片元件的功率一般较小；
- 20mil线宽–>1A电流，0.5mm过孔–>1A电流
- 常见规格的丝印搭配 5/24 , 5/30, 6/45
- 原理图绘制，格点修改为5mil, view->grid;
- 在原理图检查选项中，将悬浮网络、单端网络修改为致命错误，然后编译；
- PCB板框的选择先选择任何一线段，然后按下TAB，则和他相关联的线段都会选中；
- 不要在焊盘上打孔，容易漏锡立碑；
- 涂铜后进行割铜操作，防止天线效应；
- Shift H 关闭左上角的信息栏；
- 画板时，将丝印改为10/2 mil，然后移动到设备中间进行操作；
- 敷铜可直接选用实心铜，注意间距设置GND通过规则设置回路应加粗；
- 过孔最好统一盖油，选择Solder Mask Tenting;
- 钻板厂能力：0.3mm，即 12/24mil, 选择过孔大小 x x x --> 2 x 2x 2x ± \plusmn ± 2 2 2mil， 举个例子： 12 -->12*2 ± \plusmn ± 2 即可选12/24 mil;
- 在工具栏中找到快点冲突custom ->快捷键排序，找到相应的快捷点，然后取消固有的快捷键；
- 风机孔的优点：1)缩短回流路径；2)冲孔占位；
- 走线的时候要求回路，即包裹面积尽量小，这样对外吸收的辐射小；
- 一般情况下，阻抗要求 100 Ω \Omega Ω,USB差分线为 90 Ω \Omega Ω
- 缝合地过孔，减少回流路径，用地过孔包裹天线部分；(晶振)
- 调整丝印时，只需打开丝印层、阻焊层、板框层即可；
- 丝印到丝印 2-4mil 即可；
- 在规则中，阻焊外扩2.5mil。 反焊盘8-10mil可以，反焊盘太大，过孔密集时容易有孤岛；
- 阻焊在规则中进行 4-6mil，天线 小于 2mil;
- 在设计中，布线长度应尽可能短，以减少布线过长造成的干扰，特别是一些重要的信号线，如时钟线，必须将振荡器放置在靠近设备的地方；
- 为减少线间串扰，应保证线间距足够大。当线中心距离不少于3W当倍线宽时，70%的电场可以保持不相互干扰，成为3W规则。如果98%的电场不相互干扰，可以使用10W的间距。
- 电解电容器过滤低频信号，独石电容器，瓷片电容器过滤高频信号；
- PCB同一网络的布线宽度应保持一致。线宽的变化会导致线路特征阻抗不均匀。当传输速度较高时，会产生反射。设计时应尽量避免这种情况；
- TPS7350 小压差，最大电流500ma, KEA单片机，5V*15ma;
- L298N 内含2个H桥，最高驱动电压为46V，总驱动电流为4A，每个H桥2A；
- MC33886 驱动电压40V，驱动上限频率10Khz, 内部集成输出保护可实时监测欠压、过温、短路等故障，最大驱动电流5A；
- BTN8982 导通内阻 10 m Ω 10m\Omega 10mΩ；在25°下，上管内阻(5).3m Ω \Omega Ω）与下管内阻（4.7m Ω \Omega Ω）之和；限流77A，每个BTN驱动芯片内部集成一个上管（P沟道MOSFET）和下管（N沟道MOSFET）；
- 功率开关器件MOSFET，开关速度可达KHz至MHz:
- 由于电机驱动工作时电流较大，会在电机启动或突然加速时出现电池电压被拉低的现象，因此为了尽量降低电池电压的波动，需要设置低频滤波电容，主要用于能量缓冲；
- register变量的注意事项：1）必须是能被CPU寄存器接受的类型；2）register变量可能不存放在内存中，所以不能用取地址符（&）；3）只有局部变量和形参可以作为register变量，全局变量不行；4）静态变量不能定义为register;
- 电机在高频开关状态下的电磁干扰以及寄生电感产生高压，电弧现象—> 续流二极管；
- 与前驱相比，后驱结构使车模转向能力更强，更有利于高速过弯。当然，后驱结构较前驱更容易出现车轮打滑的情况；
- SD卡遵循SPI协议，要求时钟频率为100KHz~400KHz；SD卡本身为NAND FLASH芯片+ 控制芯片；SD卡的速度等级由Class标注，10为最快；SD卡共9pin，其中3根电源线，1根时钟线，1根命令线，4根数据线；SD的时序是以CLK的上升沿有效；SD卡初始化识别阶段，时钟频率400KHz, 数据传输过程25MHz (高速模式下50MHz)。Stm32系列支持SDSC<2G , 2G<SDHC<32G，对于SDXC>32G 不支持；
- 阻焊层开窗的方法是切换到Top Solder或者Bottom Solder层，画线或者填充。尽量不要在元件底部去掉组焊层，否则被元件压住的部分无法上锡；
- PCB完成后，一定记得DRC检查；
- 根据智能车Logo的规则要求，可以在铜层放置完Logo后，在阻焊层开窗画一个矩形，让铜层字符露出来；
- 板厚默认1.6mm;
- 对于线性电源，调整管工作在放大区（三极管）或者可变电阻区（场效应管）；而对于开关管，调整管工作在导通和截止两种工作状态；
- 电容的容抗 X c = 1 / 2 π f c X_{c}=1/2\pi fc Xc=1/2πfc，电容两端的电压不能突变；利用电容的容抗特性，如果把它串联到电路中，就可以使高频信号通过过一些，低频信号通过少一点；反之，如果把他并联在电路中，则高频信号被削弱的多一些，低频信号被削弱的少一些；
- 大端模式：字数据的高字节存储在低地址中，而字的低字节存储在高地址中；小端模式反之；C51采用的是大端对齐；
- 头文件的内容没有绝对的要求，其本身不参与编译；
- 基于Cortex系列芯片采用的内核都是相同的，区别主要为核外的片上外设的差异，这些差异却导致软件在同内核，不同外设的芯片上移植困难。为了解决不同芯片厂商生产的Cortex微控制器软件的兼容性问题，ARM与芯片厂商建立了CMSIS（Cortex Microcontroller Software Interface Stardard ）标准。
- STM32有三种启动方式，通过改变启动方式，STM32存储空间的起始地址会对齐到不同的内存空间上，一般情况下boot0必须连接到GND上；
- 位带操作：将寄存器中相应位映射成一个32位的地址，这样可以单独对某一位进行操作。
- π \pi π型滤波器包括两个电容器和一个电感器，它的输入和输出都呈低阻抗。因为器件排布情况而得名。 π \pi π型电路因为元件多，所以其插入损耗特性比RC型及LC型更好。但是在开关电路中，可能会出现“振铃”现象，所以用时请注意。 π \pi π型滤波有RC和LC两种，在输出电流不大的情况下用RC，R的取值不要太大，一般几欧姆到几十欧姆，其优点是成本低，其缺点是电阻要消耗一些能量，效果不如LC电路。滤波电容取大一点效果也不错；而LC电路中有一个电感，根据输出电流大小和频率高低选择电感量的大小，其缺点是电感体积大，笨重，价格高，现在一般的电子线路的电源都是RC滤波。
- 去耦电容一般是接在正负电源之间，滤波作用；在对电源布线是，优先让电源导线经过去耦电容，可以1）本集成电路的蓄能电容；2）高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值为0.1 μ F \mu F μF，这个电容的分布电感的典型值为5 μ H \mu H μH。即：0.1 μ F \mu F μF的去耦电容有5 μ H \mu H μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对于40Mhz以上的噪声几乎不起作用。1 μ F \mu F μF，10 μ F \mu F μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一点。
- 旁路电容：铝解电容和钽电容比较适合作旁路电容，一般为10~470 μ F \mu F μF
- 功率放大器的主要指标：输出功率 P 0 P_{0} P0，放大器效率 η \eta η，总谐波失真THD，电源抑制比PSRR。THD：信号源输入时，输出信号（谐波及其倍频成分）比输入信号多出的额外谐波成分，通常用百分比表示。PSRR：PSRR值越大，音频放大器的音质就越好。
- OpenMV–Arm cortex M7内核，216MHz, 512K RAM 。可以完成 侦差分算法， 标记跟踪，颜色追踪，人脸识别，眼动跟踪，光流，二维码检测，矩阵码检测，条形码，标记跟踪，直线检测，模板匹配，图像捕捉，视频录制等功能。
- 有源晶振需要外接供电，无源晶振只接2个晶振引脚就可以了
- 空心杯电机，无铁芯，效率高，重量轻，响应快，机械常数小于28ms。
- 半导体三极管是通过基极电流控制集电极电流，属于电流型控制器件；场效应管是通过栅源之间的电压或电场控制漏极电流的器件，是电压控制器件，因而称为场效应管；从结构上，可以把场效应管分为结型（JFET)和绝缘栅（MOSFET，简称MOS）；
- .crf交叉引用文件，主要包含了浏览信息，实现函数的跳转
- RTOS实时操作系统，硬实时–>规定时间内必须完成；软实时–>处理过程中超时的后果不严格。
- 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体；将半导体变成本征半导体的原因是使材料导电可控；