Is=14.34f
反向饱和电流。
Xti=3
饱和电流的温度指数
Eg=1.11
硅的带隙能量
Vaf=74.03
正向欧拉电压
1
Bf=255.9
正电流放大系数
Ne=1.307
B--E
极间泄漏饱和发射系数
Ise=14.34f
B--E
饱和电流的极间泄漏
Ikf=.2847
正向
BET
A
大电流时的滑动拐点
Xtb=1.5
电流放大系数的温度系数
Br=6.092
理想的反向电流放大系数
Nc=2
B--C
泄漏发射系数
Isc=0
Ikr=0
反向
BETA
(
R
)大电流时的滑动拐点
Rc=1
集电极电阻
Cjc=7.306p
B-E
结零偏压时耗尽电容。
Mjc=.3416
B-C
结指数因子
Vjc=.75
B-C
结内建电势
Fc=.5
正偏压时耗尽电容系数
Cje=22.01p
B-E
结零偏压时耗尽电容
Mje=.377
B
——
E
结指数因子
Vje=.75
B-E
结内建电势
Tr=46.91n
反向穿越时间
Tf=411.1p
正向渡过时间
Itf=.6
正向渡越时间随
VBE
变化的参数
Vtf=1.7
Xtf=3Rb=10)
正向渡越时间随偏置而变化
1,
什么是欧拉电压？
(earlyvoltage)?
三极管的
Ic-Vbe
图、
MOS
管的
Id-Vgs
图中，曲线的反向延长线会交一点，这叫做
earlyvoltage
。
Earlyvoltage
是一个重要的参数
"Earlyvoltage"
符号
VA
，
在三极管放大区，
理想情况下
vce
的
不会引起变化
ic
的变化的，
但实际上
vce
变化会引起
ic
的变化，
那么
ic-vce
不是直的
线，而是斜线，这也导致了
β
值不是固定值，
ic-vce
放大区域曲线的倒数是
我们在小信号分析中考虑到的
ro
，
理想情况下的公式
:
ic=Is*exp(vbe/VT)
考虑到
VA
修正公式：
ic=Is*exp(vbe/VT)*(1 vce/VA)
ro
是
vce
对
ic
的求导，即
ic-vce
倒数放大区域的斜率，得到
ro
≈
VA/Ic
VA
越大，
ro
越大，
ic-vce
越接近理想水平线。
但是反向延长线是否有点交叉？有理论依据吗？
"We
observe
that
the
characteristic
curves,
though
still
straight
lines,
have
finite
slope.In
fact,
whenextrapolated,thecharacteristiclinesmeetatapointonthenegativevceaxis,atvce=-VA.It
iscalledtheEarlyvoltage,afterthescientistwhofirststudiedthisphenomenon.
...
Thelineardependenceof
iconvceCANbeaccountedforbyassumingthatIsremainsconstant
and
including
the
factor
(1 vce/VA)
in
the
equation
for
ic
as
follows: