三极管有自己的开关频率特性，外界无法改变。管道满足电路频率后，只能提高管道开关的瞬时性，即提高开关速度，缩短波形上下边缘的时间，防止管道在开关转换过程中进入放大状态
电路图如下
输入电压为1V，100K方波，参数调制到接近临界饱和，模拟波形如下：
由于三极管的寄生参数，从饱和到饱和需要0.5微秒，退出饱和至所需时间相对较小。
导通时间取决于基极电流的大小(充电速度)，饱和时间取决于放电速度，可以通过电容器实现。原理图如下:
简单的说明一下实现原理，在输入信号上升或下降时，R1被C当三极管基极的电流瞬间变大，导通和饱和时间变短，开关速度加快时，旁路掉落并提供低阻抗通路。
输入信号从0到1V时，由于C1两端电压不能突变，三极管电压瞬间为VIN，当基极电压为尖峰脉冲时，三极管基极的电流瞬间变大，导通时间变短。
具体截止时间：当输入信号从1到0时V时，由于C1电压极性为左正右负，基极会受到负方向的电压尖峰，三极管基极的电流会瞬间变大，饱和到截止时间会变短。
模拟波形如下：导通和截止时间明显缩短。
总结：增加C可提高三极管开关速度，但效果仍然很有限，最好的办法是避免三极管进入深饱和区和截止区。