利用LC振荡器控制晶闸管开闭产生中频信号的中频感应炉

利用LC振荡器控制晶闸管开闭产生中频信号的中频感应炉 一般中频感应炉是工频50HZ交流电转为中频(300)HZ以上至20K HZ)电源装置将三相工频交流电整流成直流电，然后将直流电变成可调的中频电流，提供流过电容和感应线圈的中频交流电流，在感应线圈中产生高密度磁线，切割感应线圈中的金属材料，在金属材料中产生大涡流。以下是一种利用晶闸管不断开闭产生中频信号的中频感应炉。该中频感应炉利用快速晶闸管形成的硅堆进行工频交流380V电压变成直流450V电压，经电抗器滤波后，经快速晶闸管整流后，进入由电热电容器和电感组成的电压LC振荡电路。电热电容器与电感器并联，前后端与两个快速晶闸管串联。基尔霍夫定律LC振荡电路的频率为 f=1/2π√LC 以LC以并联电路为例，电容器两端的电压VC等于电感两端的电压VL： VC=VL 流入电容的电流等于流出电感的电流： iC=-iL 从电路元件的本构关系可以看出 VL(t)=Ld iL/dt 并且 ic(t)=cdVc/dt 调换顺序，替换二阶微分方程 iC-iL=0 d2 Il(t)/dt2 iL(t)/LC =0 参数w谐振角频率定义为0

w0=1/√LC 这可以简化微分方程 d2 Il(t)/dt2 w20*iL(t) =0 相关多项式是 s2 w2=0 因此 s= jw0 或者说 s=-jw0 j是虚数单位 也就是说 Il(t)/dt=√LC 电量q=√LC 用万用表测量LC振荡电路中电感和电容乘积的开始应等于LC振荡电路中电感导线上的电量。 电热电容和电感器并联LC振荡电路产生中频振荡电压，必须控制快速晶闸管的连续开关。当快速晶闸管打开时，电抗器的直流电源给电热电容器充电，电感器上的电流变小。当快速晶闸管关闭时，电抗器出来的电热电容器放电，电感器上的电流变大。这样，由于快速晶闸管的快速关闭和打开，电热电器容器两端将形成中频高压电源。该电源通过大功率电阻直接连接加热线圈，使加热线圈产生磁场，然后熔化加热线圈中的铁。该电源通过大功率电阻直接连接正负钨或石墨电极，使正负电极两端产生电弧，熔化点击周围的铁矿石。 由电感组成的9013三极管和独石电容LC振荡电路产生中频20khz晶闸管控制端的信号控制G，如果信号控制快速晶闸管不断打开或关闭，电热电容和电感就会发生LC振荡。 该中频感应炉的电路数据下载网站为： 链接：https://pan.baidu.com/s/1y7hY6tU-koiLJXfB3EbVEw ; 提取码：fpld 链接：https://pan.baidu.com/s/1qMRgLZzXi2Wm0rxNEzu5fQ ; 提取码：eex3， https://share.weiyun.com/YLBIB7ez。 其电路图如下：

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可采用以下方法制造快速晶闸管。将锗片或硅片、锑源放入石英舟中，加热800℃，10-5℃E在真空环境下，锑扩散到锗片表面7-10微米厚，表面浓度1017次方厘米-3。锗片表面的锑和铅锑锡合金，或与镓铅锑合金形成PN节，4个PN组合在一起形成可控硅。控制级G上的二极管防止电压过高进入控制端后电路，烧坏后电路。锗片也可以用砷化镓或硅片代替。如下图所示： 图片

将锗片或硅片、锑源放入石英舟中，加热800℃，10-5℃E在真空环境下，锑扩散到锗片表面7-10微米厚，表面浓度1017次方厘米-3。锗片表面的锑和锗片表面的砷形成PN节，4个PN组合在一起形成可控硅。控制级G上面的二极管防止电压过高进入控制端后面电路，烧坏后面电路。如下图所示： 图片

锗片集成电路或三极管可以用以下方法制作。钽片也可以压延到15-200μm，然后用冲模压成上图的棋盘状，最后用刮刀压穿25μm、50μm长的方孔。也可采用光刻法制作掩膜。首先，在纸板上画出要准备的掩膜图案，用缩微摄影缩小图片，最后洗掉胶卷，使掩膜变小。为了防止最终洗出的小棋盘掩膜的方孔角不规则，需要分辨率好的相机。在锗片表面涂抹光滑的抗腐蚀剂，用小棋盘状的胶卷覆盖锗片。用高压汞灯产生的光照射胶卷掩膜，通过光小棋盘方块上的光耐腐蚀剂分解，在表面形成棋盘光耐腐蚀剂。用氟化氢，硝酸，溴溶液，和水配制成腐蚀剂腐蚀没有光致抗蚀剂的棋盘状锗片。然后在覆盖有棋盘状铝掩膜的锗片表面涂蜡去除；铝掩膜，没有蜡的锗片形成棋盘状。集成电路棋盘掩膜也可以用铝或锑化铝制成。将0.5mm厚铝或锑化铝的淹膜压在锗片表面，然后蒸发N砷或P锑。用氟化氢、硝酸盐、溴溶液和水制成没有蜡的腐蚀剂。 光学耐腐蚀剂由三种成分组成:1。耐腐蚀剂(聚乙烯醇肉桂酸脂)。质量分数为8%。2.增感剂(硝基)。质量分数0.5%。溶剂(环已酮)，质量分数91.5%。聚乙烯醇肉桂酸脂是由聚乙烯和肉桂酸经酯化反应产生的。主要是分子团。 图片 分子组中的双键在光下吸收能量，打开双键产生交叉键，成为不溶于显影液的网状聚合物化合物，具有耐腐蚀性。加5-硝基主要是为了增加感光性能。环已酮毒性小，溶解力强，挥发性适宜，常用作溶剂。此外，甲基溶剂和乙基溶剂也可用作溶剂。涂胶前，应清洁硅片或锗片，涂上感光胶后，应在80摄氏度内干燥掩膜15分钟。80瓦高压水银灯通常产生8次方勒克斯秒的光强。显影时，硅片或锗片上没有感光的感光胶溶解在显影液中。当腐蚀时，保留感光部分作为保护膜。丁酮和三氯化乙烯用于制作显影液。用三杯丁酮逐杯轮换，1分钟内就能达到显影的目的。注意经常更换显影液，否则显影不干净。显影后，需要在185要在185附着在硅片或锗片上，需要在185摄氏度下烘烤。腐蚀二氧化硅HF:NH4F:H20=3:6:11。腐蚀温度一般不超过40℃。还可以用NH4HF2:H20=2:3.5。磷酸或氢氧化钠用于腐蚀铝。1.10%氢氧化钠水溶液将锰酸钾加入饱和度，温度为25摄氏度。2.在无水亚硫酸钠饱和溶液中加入几滴硫酸。腐蚀镍或铬，腐蚀液用CE2SO4)3:HNO3:H20=1:1:11，去胶，二氧化硅上的胶层可以直接放在厚度H2SO4.煮沸。然后用去离子水清洗。 图片