IDM ：集成电路制造商（Integrated Device Manufactory），集设计、制造、包装测试于一体，如Intel、Samsung

选择扩散 ：杂质在SiO2中扩散速度远小于Si扩散速度中

Si的热氧化 ：在高温条件下，硅片与氧气或水蒸气等氧化剂发生化学反应SIO2

干氧氧化 ：氧气与硅片在高温下反应SIO2

水汽氧化 ：在高温下，硅片与高纯水蒸气发生反应SIO2

湿氧氧化 ：氧气中携带一定量的水蒸气

附面层 ：扰动速度和浓度分布的区域，又称滞留区

掺杂 ：以一定的方式将所需的杂质混合到半导体基规定的区域，达到规定的数量和分布

扩散 ：将掺杂物引入放有硅片的高温炉中，从而将杂质扩散到硅片中

间隙式扩散 ：杂志在晶格间隙运动

替位式扩散 ：杂志原子从一个晶格点到另一个替位

恒定表面源扩散/恒定表面浓度扩散 ：在扩散过程中，Si杂质浓度始终保持不变

有限表面源扩散/恒定杂质总量扩散 ： 在扩散过程中，杂质源仅限于晶片表面极薄层中积累的杂质总量Q，没有补充，也不会减少

预积累(预扩散) ：在较低(800-900)下，恒定源在短时间内扩散，即–

再分布(主扩散) ：在较高温度下(1000-1200)对预积累的晶片进行深结扩散，最终达到所需的表面浓度和结深，即—

OED ：氧化增强扩散

推进发射区(陷落)效应 ：NPN在管道过程中，发射区下方内基区B的扩散深度大于发射区外基区

二维扩散(横向扩散) ：杂质在垂直Si同时，表面扩散也平行Si横向扩散表面

结深xj ：pn结的几何位置与扩散层表面的距离

方块电阻 ：结深为xj正方形扩散层的薄层电阻

离子注入 ：将带电能量的离子射入衬底

剂量Q ：单位面积硅片表面注入的离子数

注入能量E ：用电子电荷和电势差的乘积表示离子注入的能量Kev

能量损失机制 1)核阻挡:与晶格原子核碰撞主要作用是低能量2)电子阻挡:与晶格原子的自由电子和束缚电子碰撞主要作用是高能量

LSS理论 ：靶内注入离子的分布理论

总射程R ：在靶内注入离子的距离之和

投影射程Xp ：总射程R在离子入射方向（垂直靶片）的投影长度，即离子注入的有效深度

平均投影射程Rp ：投影射程Xp具有统计分布规律-概率分布函数的平均值(离子注入深度的平均值)

标准偏差(投影偏差) delta Rp 反映了Rp分散程度(分散宽度)

阴影效应 ：注射离子被掩膜阻挡

位移阈值Ed ：靶原子离开其平衡位置所需的最低能量

快速退火 RTA rapid thermal annealing ：晶片表面采用高功率密度的位置，使注入层在短时间内达到高温，以消除损坏

化学气相积累（CVD）Chemical Vapour Deposition ：一种或多种物质的气体以某种方式激活后，在衬底上发生化学反应，并积累所需固体膜的生长技术

APCVD 常压CVD ：大气相积在一个大气压下

LPCVD 低压CVD ：在27-270Pa化学气相在压力下积累

**PECVD 等离子CVD ** ：RF激活气体分子(等离子体)，在低温(室温)下发生化学反应，积聚成膜

保型覆盖：所有图形上积累的薄膜厚度相同，也称为共性覆盖

外延 ：在单晶衬底上，根据衬底晶向新的单晶薄膜生长的工艺技术

外延层 ：衬底上新生张的单晶层

外延片 ：外延层衬底片生长

气相外延VPE 液相外延LPE 固相外延SPE

分子束外延MBE Molecular Beam Epitaxy：在超高真空下，利用薄膜元素的热蒸发形成地原子束或分子束，直接射入衬底表面，形成外延层

同质外延 :外延层与衬底材料相同

异质外延：外延层与衬底材料不同>

常压外延 ：100kPa

低压（减压）外延：5-20kPa

扩散效应 ：衬底杂质与外延层杂质相互扩散，导致界面处杂质再分布

自掺杂效应（非故意掺杂）：衬底杂志及其他来源杂质非人为地掺入外延层

选择性外延（SEG）：在特定区域有选择地生长外延层

横向（超速）外延（ELO）：选择性外延地薄膜超过SiO2掩膜地台阶，开始横向外延

SOI Silicon On Insulator 绝缘层上硅

SOS：；蓝宝石上硅或尖晶石上硅

层错：由于原子排列次序发生错乱而产生地缺陷

光刻：通过光化学反应，将光刻板（mask)上地图形转移到光刻胶上

光刻掩模版：印制了集成电路版图图形的石英板

光刻胶Photoresist ：PR，光致抗蚀剂、光阻

光刻的工艺流程

1、清洗硅片 2、预烘和打底胶 3、涂胶 4、前烘 5、对准 6、曝光 7、后烘 8、显影 9、竖膜 10、图形检测

分辨率R ：表征光刻精度，即光刻时所得到的光刻图形的最小尺寸

数值孔径NA：表示凸镜收集衍射光的能力

光刻胶对比度：描述光刻胶的曝光性能

调制转移函数CMTF：描述光刻胶图形质量

PSM移相掩膜

stepper步进-重复曝光

scanner 步进-扫描曝光

OPC光学邻近修正