主题：()新手必读五种损伤原因分析！
最近，许多企业工程师对功率进行了处理mos如何选择管道选何选择，小编认为，首先对一切都做好准备全面了解型号，有多少种型号？
其实，说到，学过电子的朋友首先想到的就是如下图所示的插件mos管：
MOSFET是一种常用的功率器件。MOSFET”是英文 MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor缩写，翻译成中文为金属氧化物半导体场效应管。它由金属和氧化物制成(SiO2或SiN)半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(PowerMOSFET)用于功率输出级的设备，指其能输出较大的工作电流(几安到几十安)。功率MOSFET可分为增强型和耗尽型，按沟分为N沟和P沟。
功率通常用于开关电源MOSFET。一般来说，MOS管厂家使用RDS(ON)定义导通电阻的参数； ORing FET 应用，RDS(ON) 也是最重要的设备特性。数据表定义 RDS(ON) 电压与栅极(或驱动) VGS 与流过开关的电流有关，但对于足够的栅极驱动，RDS(ON) 是一个相对静态的参数。
如果设计师试图开发最小尺寸和最低成本的电源，低导电阻尤为重要。在电源设计中，每个电源通常需要多个电源ORing MOS管并联工作需要多个装置向负载输送电流。在许多情况下，设计师必须并联 MOS 有效降低晶体管 RDS(ON)。并联电阻负载的等效阻抗小于每个负载的单独阻抗。例如，两个 2Ω 电阻并联相当于一个 1Ω 电阻。所以，一般来说，RDS(ON) 值低，额定电流大MOS 设计师可以尽量减少电源的使用MOS 管数量。
除了RDS(ON)之外，在MOS管选择过程中还有几个MOS管道参数对电源设计师也非常重要。在许多情况下，设计师应密切关注数据表上的安全工作区 (SOA) 曲线还描述了泄漏电流与泄漏电压的关系。基本上，SOA 定义了 MOSFET 电源电压和电流可以安全工作。在 ORingFET 主要问题是：FET 电流传输能力在完全导通状态下。事实上，不需要漏极电流值SOA可获得曲线。
损坏五种功率模式
第一种：雪崩
如果在泄漏极之间施加超过设备额定VDSS浪涌电压达到击穿电压V(BR)DSS（根据击穿电流不同），超过一定的能量，则损坏会发生。介质负载开关操作关断时产生的反激电压，或漏磁感产生的峰值电压超过功率MOSFET漏极额定耐压进入击穿区造成损坏，雪崩损坏。
典型电路：
二是设备热损坏
它是由超出安全区域引起的。发热的原因分为直流电源和瞬态电源。
直流电源的原因：外部直流电源造成的热传导电阻损失RDS(on)损耗(RDS(on)在高温下增加，在一定电流下增加功耗)
漏电流 IDSS瞬态功率损失（与其他损失相比非常小）的原因：外部单脉冲负载短路开关损失（开关）、（与温度和工作频率有关）和内置二极管trr负载短路引起的过流(上下桥短路损失)(与温度和工作频率有关)不会发生在设备正常工作时，造成瞬时局部发热和损坏。此外，当芯片因热量不匹配或开关频率过高而无法正常散热时，持续的热量会导致温度超过通道温度而损坏热击穿。
三是内置二极管损坏
在DS由端间组成的寄生二极管运行时，由于Flyback时寄生双极晶体管运行，导致二极管损坏。
第四种:寄生振荡造成的损害
当功率 MOSFET 并联连接时，当并联插入栅极电阻时，不会发生栅极寄生振荡。当漏极-源极电压以高速反复打开和关闭时，这种寄生振荡发生在由栅极-漏极电容中 Cgd (Crss)和栅极引脚电感 Lg在形成的谐振电路中。当谐振条件(ωL=1/ωC)网极与源极之间的施加远大于驱动电压Vgs(in)因超过额定电压而损坏的振动电压。由于网漏电容Cgd和Vgs波形重叠、漏源电压导通和关闭时的振动电压引起正反馈，可能因误动而引起振荡损伤。
第五种栅极电涌和静电损坏
主要是由于电压浪涌和静电在栅极和源极之间的损坏，即栅极过压损坏和带电状态GS两端静电(包括安装和测量设备带电)造成的栅极损坏功率MOS管。
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