IR Drop主要分为两种。静态的IR Drop, 另外一种是动态的IR Drop。

静态IR Drop主要原因是电源网络金属连接的分压，由金属连接本身的电阻分压引起。静态电压主要与电源网络的结构和细节有关。

静态IR Drop主要考虑电阻效应，分析电阻的影响。

• 性能下降，电压降低后，gate开关速度变慢，性能降低。因此，高性能设计，IR Drop需要控制在很小的范围内。
• 导致setup和hold违例，如果power network做得不够好，IR drop特别大的局部区域(特别是动态)IR Drop），从而导致 STA阶段signoff的timing与实际情况不一致。

setup如果动态的话，可以通过提高电压来提高频率，但会导致功耗增加IR drop不够 robust,通过抬电压，setup能提升的空间也有限。 一旦出现hold如果违反规定，芯片将无法正常工作。因此，在先进的技术中，IR Drop影响特别大，需要大家高度重视。

• 提高PG密度，增加power switch cell数量，增强PG的强壮性
• 插足够多的decap cell(含去耦电容)
• 错开转动寄存器row摆放

EM(电迁移)：当电流过大时，作为互联金属，电子与金属内的原子碰撞，当短时间内发生大量碰撞时，会导致金属发热增大，金属原子沿电子方向流动，这种现象叫做电迁移。 互连线：IC工作电流称为互连线，由金属膜内部传导。

• 电迁移会使IC短路或线短路或断路IC失效。
• 增加电源网格的电阻，影响电路时序

• 需要加倍线的宽度
• 增加via的数量

noise也称为crosstalk(串扰)，主要是指工艺金属层线变窄，间距变小，导致线与线之间耦合电容增大，接地电容变小。而Noise尺寸与耦合电容成正比，与接地电容成正比。Noise的影响变大。 noise它通常很容易出现timing比较松的path上和长net上。 noise影响主要分为两类：信号延迟和毛刺 在分析noise时，将产生noise信号源的网络称为侵害net，被串扰的网络被称为受害者net。当侵犯网络的信号在0和1之间电平变换时，受害网络会产生相应的串扰噪声。

应该在pt timing signoff通过以下命令报告所有阶段noise violation。 noise它会影响信号的逻辑电平，因此必须修复，否则电路的功能可能会出现问题。

• 增强受害net的驱动能力，upsize driver
• 给受害net加buffer，插buffer是后端修复violation万能手段。它也是一种处理方法。noise一种非常有效的修复技术。buffer长期中断可以有效减少受害者net上耦合电容降低noise的影响。
• 减少并行走线的长度，改变net走线
• 将两条net之间的间距加大或者屏蔽线shield来保护受害net
• 降低侵害网络的驱动能力

antenna violation(天线效应)：在芯片生产过程中，暴露的金属线和其他导体就像天线收集电荷导致电位升高。当电荷足够时，它会放电，这可能是击穿MOS管的栅极，使电路失效，就是天线效应。 随着工艺技术的发展，栅的尺寸越来越小，金属层越来越多，天线效应的可能性越大。