电池是为电子电路提供电压最方便的电源。还有许多其他方法可以为电子设备供电，如适配器、太阳能电池等，但最常见的直流电源是电池。通常，所有设备都有，但是，如果您有任何电池供电设备没有反向保护，更换电池时必须始终小心，否则可能会炸毁设备。
因此，在这种情况下，这将是对电路的有用补充。有一些简单的方法可以保护电路免受反极性连接的影响，如使用二极管或二极管桥或P沟MOSFET用作HIGH侧的开关。
使用极性反接保护二极管
使用二极管是极性反接保护最简单、最便宜的方法，但它存在问题。当输入电源电压很高时，小的压降可能没关系，特别是当电流较低时。但在低压操作系统的情况下，即使是少量的压降也是不可接受的。
众所周知，通用二极管上的压降为0.7V，因此，我们可以使用肖特基二极管来限制压降，因为它的压降约为0.3V至0.4V，它还能承受高电流负载。选择肖特基二极管时要注意，因为很多肖特基二极管都有高反向电流泄漏，所以请确保选择低反向电流(小于100uA）的二极管。
雷毛电子专门开发超低Vf小特基二极管和超低漏流的小特基二极管适用于防反接。
在 4 电路中肖特基二极管的功率损耗为：
普通二极管：
整流桥堆防反接保护
我们也可以使用整个桥式整流器进行反向保护，因为它与极性无关。但桥式整流器由四个二极管组成，因此在上述电路中，功率浪费将是功率浪费的两倍。
使用 P 沟道 MOSFET 防反接保护
使用 P 沟道 MOSFET 由于具有低压降和高电流能力，因此反接极性保护比其他方法更可靠。电路由一个 P 沟道 MOSFET、由齐纳二极管和下拉电阻组成。若电源电压低于 P 沟道 MOSFET 网的极端源电压 （Vgs），只需要没有二极管或电阻 MOSFET。您只需要将 MOSFET 将栅极端子连接到接地。
现在，如果电源电压大于Vgs，必须降低栅极端子与源极之间的电压。以下是制造电路硬件所需的组件。
§ P 沟通场效应管 根据电流电压选择型号
§ 电阻器 （100k）
§ 9.1V 齐纳二极管
电路图
采用P沟道MOSFET极性反接保护电路的工作原理
现在，当您按照电路图连接电池时，具有正确的极性，这将导致晶体管打开并允许电流通过。如果电池向后或反极性连接，晶体管将关闭，我们的电路将受到保护。
保护电路比其他保护电路更有效。让我们分析一下，P沟道MOSFET将导通，因为栅极和源极之间的电压为负。找到栅极和源极之间的电压公式如下：
，栅极端子的电压将为正极，我们知道P沟MOSFET当栅极端子的电压为负时(此)MOSFET的最低-2.0V或更低)导通。因此，每当电池以相反的方向连接时，电路就会受到影响MOSFET的保护。
现在，让我们来谈谈，当晶体管导通时，漏极与源极之间的电阻几乎可以忽略不计，但为了更准确，您可以浏览P沟MOSFET数据表 LMAK30P06 P 沟道 MOSFET，静态泄漏导电阻 （RDS（ON）） 为 0.020Ω(典型值)。因此，我们可以计算电路中的功率损耗，如下所示：
假设流经晶体管的电流为1A。因此，功率损失将是
因此，功率损耗约为使用单二极管的电路的27倍。这就是为什么使用P沟MOSFET防反接保护比其他方法好得多。它比二极管贵一点，但它使保护电路更安全、更高效。
我们还在电路中使用齐纳二极管和电阻器，以防止超过栅极到源电压。添加电阻和9.1V齐纳二极管，我们可以将栅源电压定位到最大负9.1V，因此，晶体管保持安全。
当然MOS也可以使用防反接电路Nmos切断电路，切断负极电路，我们的一般概念或开关正极，就像家用灯开关一样，安装在火线上，而不是零线上。