POWER IC REVIEWS
Power IC 一般外部电压由系统的输入电压产生，NB为3.3V，Monitor为5V，TV一般为12V； ①VDD：各种逻辑IC电路工作电压，约3.3V一般采用低压差线性稳压器（Low Dropout Voltage Regualtor ,LDO 电路）； ②AVDD：伽马主电压用于数据线上像素电压，5~16V一般左右使用Boost转换器升压； ③VGH：用于打开TFT最大开态电压约为20V最大可达40左右V，正电荷泵通常用于电压转换（Positive Charge Bump）； ④VGL：用于关闭TFT最大开态电压约-5V最大可达-40V，负电荷泵通常用于电压转换（Negative Charge Bump）； ⑤VCOM：TFT基板或CF基板上的公共电极电压为5~6V电阻分压电路一般由电阻分压电路生成AVDD得到上分压。 
VDD生成:LDO电路
：根据差异放大器PN控制A输出的电流增加或减少极端两端的电压差值NMOS压降稳定输出VDD。 ：NMOS此时，它相当于一个可变电阻、滤波器和电容器的滤波器，这意味着直流信号无法通过，交流信号可以通过。二极管的单向导通性从正极流向负极，分压电阻为100K欧姆，利用电阻R1和R2来控制LDO最大输出电流：
AVDD生成:Boost转换器
基本工作原理：开态时，NMOS电感阻断电路电流，内部电流上升，类似于电池存储电能；关闭时，NMOS断开，电感发电，电流通过二极管流向RC负载。 V_out/V_in=1/1?D ，D开关态在转换周期中占空比 IC工作原理：IC调整脉冲宽度（PWM）在上升沿使NMOS导通，利用电阻R1和R2来控制LDO最大输出电流： ：NMOS此时相当于开关，分压电阻R2一般为10K欧姆
VGH和VGL生成：电荷泵（Charge Pump）(已改进)
：输入电压在一个周期的前半段Vin对飞电容Cf充电，电压升高Vin，二极管的后半段D1导通，使Cf电压由Vin升至Vin VA，在D2关闭前，电荷从Cf传输到储能电容器Co中。 ：利用PMOS和NMOS控制正电荷泵，前半周期NMOS导通，后半段NMOS关断，PMOS相反，负电荷泵控制电路Cf充放电。基准电压基准电压VREF为1.25V，VGH为20V，分压电阻R2一般为10K欧姆。
VCOM生成：可调电阻分压电路
：从AVDD固定电阻分别串联电路分压获取R1和R以及可调电阻RV，通过控制RV来实现VCOM电压的获取和调节。 ：在TFT-LCD为了调整产品的闪烁，您可以尝试在测试过程中进行调整VCOM的电压值。