PSMNxxx N 沟道 MOSFET 包括标准和逻辑电平、常规和增强模式 LFPAK、I2PAK、TO-220 和 DFN3333-8 封装的 N 沟道 MOSFET，可耐受 150°C 或 175°C。PSMNxxx N 沟道 MOSFET 各种工业、通信、家用设备设计合格。 采用 LFPAK 封装的 Nexperia 逻辑电平增强模式 N 沟道 MOSFET 具有超低 QG、QGD 和 QOSS，高系统效率和超低负实现高系统效率和超低 RDS(on) 低寄生电感。 它们还利用 NextPower 针对超级结技术 4.5V 优化了栅极驱动。 采用 I2PAK 和 TO-220 封装的 Nexperia 标准和逻辑电平 N 沟道 MOSFET 适用于标准或逻辑电平栅极驱动源，因为开关和传导损耗低，效率高。
特征 低开关和传导损耗带来高效率 适用于标准或逻辑电平栅极驱动源
应用 DC-DC转换器 锂离子电池保护 负载切换 电源 OR-ing 服务器电源 同步整流器 电机控制
PSMN4R8-100BSE MOSFET N-CH 100V D2PAK 场效应管 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET(金属氧化物) 漏源电压（Vdss）：100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tj） 驱动电压(最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 时导电阻(最大值):4.8 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):278 nC @ 10 V Vgs（最大值）：±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):14400 pF @ 50 V FET 功能：- 功耗(最大值):405W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型：表面安装类型 供应商设备包装：D2PAK 包装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 接片），TO-263AB
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