浮栅场效应管 符号_结型场效应管结构

结型场效应管结构-符号与工作原理知识共享

(一)结构、符号

结型场效应管结构、符号、工作原理：结型场效应管有N沟和P沟。 N沟结型场效应管是在N型硅材料两侧制造两种PN将两个P区连接在一起，产生一个极端的栅极(G)，N型硅材料上下端分别引出的极为漏极(D)和源极(S) ,其结构如图1-4(a)所示,其符号如图1-4(b)所示，简称NJFET.其包装及外观如图1-4所示(c)(d)所示，塑料包装和金属包装有两种形式。

结型场效应管结构、符号、工作原理：导电沟由两个管道组成PN如果在沟两端加电压，大多数载流子可以通过硅材料形成电流。P沟结型场效应管的管相同，可见1-4(c)(d).

(二)工作原理

工作原理：N沟结型场效应管和P沟结型场效应管的工作方式相同，区别在于管的工作电压极性相反。以N沟结型场效应管为例，分析其放大原理。

在电流晶体三极管中，基极注入电流的大小直接影响集电极的电流大小。基极相当于一个电流控制极，其阻挡层很薄，这就是电流控制器件的原因。在20世纪60年代，如果人们想象PN通过改变阻挡层的宽度来控制导电沟(P型或N型)的宽度,也就影响流过导电沟道多数载流子数目的多少,这些导电沟道中的电流就是输出电流。

因此，输出电流的大小可以通过改变阻挡层的宽度来控制，这是结型场效应管的简单工作原理。阻挡层的宽度由栅极电压控制，因此场效应管是电压控制装置。一般来说，阻挡层宽度的增加会降低导电沟的宽度，从而降低输出电流。

图1-6为N沟结型场效应管工作原理示意图。图中漏极与源极之间的间接电源Gd,格栅与源极之间的间接电源Gg,两个PN结都处于反偏状态，即Ud>Ug, Us>Ug。此时，阻挡层较宽（表示在场效应管中的阻挡层耗尽区），从源极发出的大多数载流子（电子）不能通过耗尽区，只能通过两个耗尽区之间的N通道。

电流从漏极泄漏ID称为漏极电流。可变耗尽区的宽度可以控制ID的大小。即Ug减少，造成ID的减小，Ug的增大引起ID的增大。因此，栅极G相当于双极三极管中的基极b,大多数流子相当于发射极e,漏极D是大多数载流子的泄漏，相当于集电极c.当Ug电位下降到一定值(Udg= |Up|),耗尽区扩大到刚刚接近，此时ID很小，几乎为零，我们称之为零Up为了夹紧电压，这种情况称为预夹断，见图1-7。