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Cadence仿真笔记：MOS解释参数名称
前言
Cadence仿真中，MOS有许多参数可以直接添加到计算器中进行数据计算。
- type：MOS 管类型，可能值为 n 或 p。
- region：MOS 管道的工作区域可能值 0~4.分别对应:0:0: 关断；1： 线性区；2： 饱和区；3： 4: 击穿
- reversed：MOS 管道是否反向，可能值为 yes 或 no。
- ids (A)： 阻性漏源电流
- lx4 (A)： ids 的别名，当 MOS 管道反向时有相反的符号。
- lx50 (A)：衬源电流。
- vgs / lx2 (V)：栅源电压。
- vds / lx3 (V)：漏源电压。
- vbs / lx1 (V)：衬源电压。
- vth (V)：有效阈值电压。
- lv9 (V)：vth 的别名。
- vdsat (V)：泄漏饱和电压。
- lv26 (V)：平带电压（Flat-band voltage）。
- lv10 (V)：vdsat 的别名。
- gm / lx7 (S)：共源跨导。
- gds / lx8 (S)：跨导输出共源。
- gmbs / lx9 (S)：衬底跨导。
- betaeff (A/V2)：有效 β 值。
- cjd / lx29 (F)：漏区衬底结电容。
- cjs / lx28 (F)：源区衬底结电容。
- lx12 (Coul)：衬底电荷（Qb）
- lx14 (Coul)：栅极电荷（Qg）
- lx16 (Coul)：漏区电荷（Qd）
- lx24 (Coul)：漏区 PN 结电荷。
- lx26 (Coul)：源区 PN 结电荷。
- cgg / lx18 (F)：dQg_dVg
- cgd / lx19 (F)：dQg_dVd
- cgs / lx20 (F)：dQg_dVs
- cgb (F)：dQg_dVb
- cdg / lx32 (F)：dQd_dVg
- cdd / lx33 (F)：dQd_dVd
- cds / lx34 (F)：dQd_dVs
- cdb (F)：dQd_dVb
- csg (F)：dQs_dVg
- csd (F)：dQs_dVd
- css (F)：dQs_dVs
- csb (F)：dQs_dVb
- cbg / lx21 (F)：dQb_dVg
- cbd / lx22 (F)：dQb_dVd
- cbs / lx23 (F)：dQb_dVs
- cbb (F)：dQb_dVb
- ron():导电阻。
- id / i1 (A)：漏端电流。
- is / i3 (A)：源端电流。
- ibulk / i4 (A)：衬底电流。
- lx5 (A)：源端 PN 结电流。
- lx6 (A)：漏端 PN 结电流。
- pwr (W)：工作点的功耗。
- gmoverid (1/V)：Gm/Ids
- lv36 (F)：网源交叠电容。
- lv37 (F)：网漏交叠电容。
- lv38 (F)：网格衬底交叠电容。
- lx10 (S)：漏区二极管跨导。
- lx11 (S)：源区二极管跨导。
总结
最后，例如gm/Ids，可直接使用，无需输入公式计算。