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MOS场效应管60N比较娇气。这是因为它的输入电阻很高，栅极和源极之间的电容很小，很容易被外部电磁场或静电感应充电。少量电荷可以在电极间电容上形成较高的电压，损坏管道。因此，60N出厂时将所有引脚扭曲在一起，或安装在金属箔中，使G极和S极等电位，防止静电荷积累。不使用管道时，所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS管60N10检测方法。应特别小心测量，并采取相应的防静电措施。
型号：60N10
封装：TO-263
特点：大功率MOS管
电性参数：60A 100V
网极阈值电压VGS(TH)：4V
连续漏极电流(ID)：60A
功耗(PD)：160W
二极管正电压(VSD)：1.2V
静态漏源导通电阻(RDS(ON))：17mΩ
零栅极电压漏极电流(IDSS)：1uA
反向恢复时间(trr)：35nS
输出电容(Coss)：182.5pF
贮存温度：-55~ 175℃
引线数量：3
大功率MOS管60N10检测方法：
1、准备
测量前，接触MOSFET管60N引脚前将人体短接地面。最好在手腕上连接一根电线与地球相连，使人体与地球保持等电位，然后将管脚分开，然后拆下电线。
2、判断电极
放置万用表R×100档，首先确定栅极。如果管脚和其他管脚的电阻是无限的，则证明管脚是栅极G。交换表笔重测量，S-D它们之间的电阻值应该是几百欧元到几千欧元，电阻值小时，黑色表笔接D极，红色表笔接S极。
3.检查放大能力(跨导)
将G极放置在空中，将黑表笔与D极连接，红表笔与S极连接，然后用手指触摸G极，针应有较大偏转。MOS晶体管有两个栅极G1和G2.为了区分它们，你可以用手触摸它们G1和G2极，G两极是针向左偏斜较大的极。
目前的MOS管60N10在G-S两极管之间增加了保护，所以通常不需要短接每个管脚。