MOSFET采用先进的功率沟槽技术(结合屏蔽栅极技术)生产的30V、40V和60V MOSFET。经过优化，该工艺可以最大限度地降低导通电阻，并采用优良的软二极管，可以保持优异的开关性能。
特征 符合AEC-Q并具备101标准PPAP功能 小包装设计紧凑 超低RDS(ON)，减少导通损失 优化栅极电荷，减少开关损耗 高功率密度 导热性能优异 效率更高 无卤，无铅，符合RoHS指令
NTMFS4C55NT1G MOSFET N-CH 30V 78A FET 类型：MOSFET N 金属氧化物通道 FET 功能：标准 漏源极电压（Vdss）：30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11.9A（Ta），78A（Tc） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On：3.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）：2.2V @ 250μA 不同 Vgs 当时的栅极电荷（Qg）：30nC @ 10V 不同 Vds 输入电容（Ciss）：1972pF @ 15V 功率：770mW 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：表面安装 封装/外壳：8-PowerTDFN 供应商设备包装：5-DFN，8-SO 扁引线（5x6）
应用 电机驱动器 DC-DC转换器 电源负载开关 电池管理 高端计算 注：本文的部分内容和图片来自网络，版权属于原作者。如有侵权行为，请联系删除！