将图（a）中X，Y两点的阻抗等效为图（b） 可以推出 同样的， 假设增益为-Av 理想的反向电压放大器 在放大器的输出和输入端之间连接一个电阻Z 的电容， 可以推出： 把阻抗Z 替换为容值C 的电容， 由此可见，反向电压放大器增加了电路的输入电容，放大系数为(1 Av）。

这是垂直型MOSFET它是由P区域和 N 由源区组成的双扩散结构。漏极（drain）和源极（source）分别放在晶圆的两面，这样的结构适合制造大功率器件。因为可以增加外延层（epitaxial layer）的长度，来增加漏源极之间的电流等级，提高器件的击穿电压能力。此外，从图中可以清楚地看到MOSFET寄生体二极管。 MOSFET寄生电容主要包括栅源电容（Cgs）、栅漏电容（Cgd）以及泄漏电容（Cds）。从图2中左图看，Cds由漏极与源极之间的结电容形成，Cgd耦合电容器间的耦合电容。Cgs由栅极和源极金属电极之间的电容比较复杂Co、栅极和 N 电容器在源极扩散区C_N ，以及栅极和扩散区P区的电容Cp组成。 在一般设备手册中，以下形式给出MOSFET寄生电容，

MOSFET栅极驱动过程可以简单地理解为驱动源MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）充放电过程；当Cgs达到门槛电压后， MOSFET会进入开放状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id此时开始上升MOSFET但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不上升，此时Id已经达到了最大，而且Vds直到米勒电容充满电，它还在继续下降，Vgs此时，它又上升到驱动电压值，此时MOSFET此时进入电阻区Vds彻底降下来，开通结束。

因为米勒电容器被阻止了Vgs从而阻止了上升Vds下降会延长损失的时间。（Vgs上升时，导通电阻下降，导通电阻下降Vds下降） 米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS米勒效应是由管道米勒电容引起的MOS管开通过程中，GS电压上升到某个电压值后GS电压有稳定值，然后GS电压再次上升，直到完全导通。为什么会有稳定值？因为，在MOS开通前，D极电压大于G极电压，MOS寄生电容CgdG极和其中的电荷中和需要注入储存的电量MOS完全导通后G极电压大于D极电压。米勒效应会严重增加MOS开放损失。（MOS不能很快进入开关状态。

所以有所谓的图腾驱动！MOS时，Cgd损失越小，损失越小。米勒效应不能完全消失。

MOSFET其实米勒平台在中间就是MOSFET典型的放大区标志。

米勒效应指在MOS米勒平台将在管道开通过程中产生，原理如下。

理论上，在G级和S级之间添加足够大的驱动电路可以消除米勒效应。但开关时间会很长。一般推荐值加0.1Ciess电容值是好的。

米勒平台是下图粗黑线中的平缓部分。 这张图显示了栅荷系数 第一个转折点：Vds开始导通。Vds的变化通过Cgd与驱动源的内阻形成微分。Vds线性微分是近似线性下降的常数Vgs产生平台。

因为米勒平台MOSFET 的G、D 由两端的电容引起的，即mos datasheet里的Crss 。

这个过程是给Cgd充电，所以Vgs变化很小，当Cgd充到Vgs水平时，Vgs开始继续上升。

Cgd在mos刚开的时候，通过mos快速放电，然后被驱动电压反向充电，分担驱动电流Cgs上升电压变慢，平台出现。

t0~t1: Vgs from 0 to Vth.Mosfet没通.寄生二极管的电流Df.从 t从0点开始，栅极驱动电流给栅源电容Cgs充电。Vgs从0V上升到Vgs(th)时，MOS管道处于截止状态，Vds保持不变，Id为零。

t1~t2: Vgs from Vth to Va. Id 从t1时刻开始，MOS管因为Vgs超过阈值电压并开始导通。Id电感电流开始上升，二极管继续流动DF部分电流转向流入MOS但此时二极管仍导通，MOS两端电压仍然被二极管钳位保持不变。驱动电流只给栅源电容Cgs充电。到t2时刻，Id上升到和电感电流一样，换流结束。

在t1-t2这段时间内，电感电流上升过程中Vds会稍微下降。这是因为Id上升的di/dt会在引线电感等杂散电感上形成压降，所以MOS管两端的电压会稍稍下降。

这段时间内，MOS管处于饱和区。 t2~t3: Vds下降.引起电流继续通过Cgd. Vdd越高越需要的时间越长. 从t2时刻开始，由于MOSFET中的电流已经上升达到电感负载中的电流，MOS管两端的电压不再被VDD钳位。因此，漏源之间的反型层沟道也不再被VDD束缚而呈楔形分布，Vds开始降低 ，栅极驱动电流开始给Cgd充电。驱动电流全部用来给Cgd充电，栅极电压Vgs保持不变呈现出一段平台期，这个平台称为米勒平台。

米勒平台一直维持到Vds电压降低到MOS管进入线性区。可以注意到，在米勒平台期，Vds电压下降的斜率分为两段，这与MOSFET的结构有关。在导通的不同阶段Cgd电容发生变化的缘故。

在这个阶段，MOS管仍然处于饱和区。 Ig 为驱动电流.

开始降的比较快.当Vdg接近为零时,Cgd增加.直到Vdg变负,Cgd增加到最大.下降变慢.

在进入米勒平台前，漏源电压由于被二极管钳位保持VDD不变，MOS管的导电沟道处于夹断状态。当MOSFET的电流和电感电流相同时，MOSFET的漏极不再被钳位。这也就意味着，导电沟道由于被VDD钳位而导致的夹断状态被解除，导电沟道靠近漏极侧的沟道渐渐变宽，从而使沟道的导通电阻降低。在漏极电流Id不变的情况下，漏源电压Vds就开始下降。

当漏源电压Vds下降后，栅极驱动电流就开始给米勒电容Cgd充电。几乎所有的驱动电流都用来给Cgd充电，所以栅极电压保持不变。这个状态一直维持到，沟道刚好处于预夹断状态，MOS管进入线性电阻区。

t3~t4: Mosfet 完全导通,运行在电阻区.Vgs继续上升到Vgg. 从t3时刻开始，MOSFET工作在线性电阻区。栅极驱动电流同时给Cgs和Cgd充电，栅极电压又开始继续上升。由于栅极电压增加，MOSFET的导电沟道也开始变宽，导通压降会进一步降低。当Vgs增加到一定电压时，MOS管进入完全导通状态。

现在总结一下，在MOSFET驱动过程中，它是怎么打开的。图9标示了在开通时不同阶段对应在MOSFET输出曲线的位置。当Vgs超过其阈值电压（t1）后，Id电流随着Vgs的增加而上升。当Id上升到和电感电流值时，进入米勒平台期（t2-t3）。这个时候Vds不再被VDD钳位，MOSFET夹断区变小，直到MOSFET进入线性电阻区。进入线性电阻区（t3）后，Vgs继续上升，导电沟道也随之变宽，MOSFET导通压降进一步降低。MOSFET完全导通（t4）。

这个整个平台期间，可以认为是MOS 正处在放大期。 前一个拐点前：MOS 截止期，此时Cgs充电，Vgs向Vth逼进。 前一个拐点处：MOS 正式进入放大期 后一个拐点处：MOS 正式退出放大期，开始进入饱和期。

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