二极管是由P型半导体和N型半导体组成的最简单的设备。今天，达尔文必考课堂系列（本系列为基础知识短视频系列，每周更新）主讲二极管。
??先看下面的电路：
上图是使用Multisim模拟二极管最基本的应用电路是正负5v正弦波。在输入输出两端添加示波器，检查二极管后的波形。
如上图，channelA输入信号-电源，channelB图中有两个区别：
图1中，输出波形channelB 仅有4.386v；
图中2处，channelB负半周期为0。
我们必须提到二极管内部的材料。晶体二极管是由P型半导体和N型半导体烧结形成的P-N结界面。界面两侧形成空间电荷层，形成自建电场。
，由于P-N两侧载流子的浓度差导致扩散电流等于自建电场引起的漂移电流，这也是二极管的正常特性。
，正向电压不足以克服小时P-N结内电场的阻挡作用，正电流几乎为零，这一段称为死区。当正电压大于死区电压时，P-N结内电场被克服，二极管正向导通，随着电压的增加，电流迅速上升。死区电压与二极管材料有关。一般硅二极管死区电压为0.5V锗二极管死区电压约为0.1V左右。二极管导通后，两端有压差，硅二极管正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
，当不超过一定范围时，通过二极管的电流是由少数载流子漂移形成的反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态，这就解释了为什么负半周的波形消失了。当反向电压超过一定值时，反向电流会突然增加，二极管会被击穿。
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如果用图形表示上述三种二极管状态，则为二极管伏安特性曲线图。在二极管两端加电压U，然后测量流过二极管的电流I，电压与电流之间的关系i=f(u)即是二极管的伏安特性曲线。
右侧为二极管的正向特性，Uon代表可导电压，硅二极管约0.6~0.8V，锗二极管为0.2~0.3V。当电压小于Uon当电压大于时，没有电流通过Uon，二极管导通状态。
即使左半部反向，UBR当电压输入大于此值时，方向电流迅速增加，二极管将被反向击穿。
二极管的一个非常重要的特性：单向导电性。
比如我们上面提到的二极管常用电路图，一般称为整流二极管，输入AC信号，变成了DC信号。
利用二极管正压降的特性，大多数二极管可以限制范围，将信号输出限制在一定范围内；
在正电压的作用下，电阻非常小，导电状态相当于开关，在反向电压的作用下，电阻非常大，截止状态相当于断开开关；
利用二极管的反向击穿特性，二极管两端的电压保持不变，起到稳定电压的作用
也是一种发光二极管，由磷化镓、磷砷化镓等材料制成，正压后会驱动发光；
可以摘除高频中信号中的低频信号
：通常我们所说的即时变压抑制二极管TVS管道可快速过压保护电路。
最后，妮姐总结了一个必考知识点：
二极管的单向导电性，在使用过程中，注意二极管的伏安特性曲线，遵守这条曲线是对的！
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