齐纳二极管是电子电路的基本构建模块，在达到特定反向电压（通常称为齐纳电压）时允许大量电流反向流动。在达到或超过反向击穿电压后，齐纳二极管以恒定基准电压运行。齐纳二极管常用于产生稳定电压，可广泛应用于各种需要钳制或保持在一定限值以下的应用。齐纳二极管的另一个重要应用领域是钳制不必要的过电压以保护 MOSFET。
齐纳效应和雪崩效应
电压不超过 5 V 在反向偏置结的耗尽区，电子从价带进入导电带，形成电子贯穿，产生电击穿。自由电荷载流子一旦电场强度足够高，反向电流就会急剧增加。克拉伦斯有这种效果·梅尔文·齐纳（Clarence Melvin Zener）于 1934 第一次发现这种二极管是以他的名字命名的。锐单商城在售二极管三极管MOSFET，品牌授权正品现货。
若电压超过 5 V，另一种效果会变得更加显著。PN 结的电场会使过渡区中的电子加速，产生电子空穴对。这些空穴向负极移动，填充电子，而自由电子向正极移动。通过释放相邻的束缚电子，不断移动的空穴和电子可以产生更多携带高场强的电荷载流子。大量电荷载流子产生的过程迅速发展成雪崩，因此如果超过特定的反向电压，就会有大量的电流开始流动。
△齐纳二极管I-V特性
电压容差
Nexperia(安世半导体)针对 1.8 V 到 75 V 齐纳二极管由各种不同的电压制成，并在规定的反向电流下测试了保证容差。标准容差为 B-selection ±2% 和 C-selection ±5% 左右。为满足更高精度的要求，Nexperia(安世半导体)最近推出 A-selection 齐纳二极管产品组合广泛，容差为 ±1%。
更多关于齐纳二极管的信息，您可以下载并阅读应用笔记：《AN90031 齐纳二极管 - 物理基础知识、参数及应用示例。
众所周知，电机驱动是IGBT主要应用领域之一。有些学生可能会有这样的困惑：
“IGBT本来是驱动电机，为什么还需要驱动？IGBT驱动到底是做什么的？
正如《极简电力电子学》所说，这个问题很简单：IGBT本质上是电子开关，就像你家墙上的开关一样。按下，开关关闭，电灯亮起；再次按下，电灯熄灭。
当然，操作IGBT，不再是手，而是电子脉冲。当高电平到来时，设备将打开；当低电平到来时，设备将关闭。手动操作开关每秒一两次，而我们的电子开关可能每秒开关数万次或数十万次。
然后问题来了:控制IGBT电子脉冲从何而来？
有些学生想举手：我知道我知道！脉冲控制可以从MCU来！
很棒！你会回答的！
MCU就像我们的大脑一样，它控制着我们身体的一举一动。但它发出的神经元信号非常弱，根本无法按下开关。因此，大脑需要将信号传输给手，通过手部肌肉运动产生一定的力量，并按下开关。IGBT驱动是控制IGBT灵巧有力的手。
然后，信号从MCU到IGBT驱动芯片中间经历了什么？
MCU输出电流是mA级别，而IGBT驱动电流可能达到多少安培。IGBT驱动的首要任务是作为放大器放大电流。
首先MCU输出电流是mA级别，而IGBT驱动电流可能达到多少安培。IGBT驱动的首要任务是作为放大器放大电流。
其次MCU输出电平一般为3.3V，而IGBT一般驱动电压应达到15V。IGBT驱动需要把3.3V信号转成15V信号。而且这个15V，不是一般的15V。IGBT桥式电路一般工作。桥式电路承受母线电压。当电路不开关时，桥式电路的中点承受母线电压的一半；当上管打开时，中点电位与母线电压相同。
这时上管IGBT驱动的工作是在几百伏或几千伏的母线电压的基础上生成一个15V电压信号来了。就像说说。MCU在地上生长的小树苗，IGBT驱动的工作不仅是把小树苗变成大树，还要把它移植到山上。听起来棒吗！
最后MCU 在低压侧，其供电电压一般为5V。IGBT母线电压在高压侧可达几千伏。由于低压侧会有人机接口，高压侧的高压不能流向低压侧，对人体造成伤害！有的时候，IGBT驱动器需要具有一定的电气隔离能力，作为低压侧与高压侧之间的屏障，防止副侧高压对原侧操作的人体造成伤害。如果IGBT如果驱动器没有绝缘能力，则应添加绝缘屏障MCU人机接口之间。
我们称之为紧凑型驱动，可以完成上述功能。例如，英飞凌1ED X3 compact系列：
在某些应用场景中，驱动器应提供丰富的保护功能。首先，驱动器要长出一双眼睛(故障检测)，观察电灯(负载)或开关（IGBT）正常运行。如果负载异常，故障检测将立即向大脑发送信号MCU，MCU发指令给IGBT驱动，IGBT驱动关闭功率器件，避免爆炸。我们具有保护功能IGBT驱动IC称为增强驱动。现货购买元器件上唯一的商场，超多元器件供您选择。