AHS量子霍尔传感器，又称量子陷阱霍尔传感器，利用分子束外延技术 制造薄膜晶片和量子陷阱霍尔效应（QWHE）设计使量子霍尔传 该传感器具有其他霍尔传感器所不具备的优良特性。
AHS曼切斯特大学的创始人Mohamed Missous，皇家工程院院士、曼彻斯特大学教授孵化，专注于利用砷化镓中的量子陷阱霍尔效应磁传感技术。中国科学院最初研究了方形陷阱技术，发现量子陷阱二维平面捕捉电子的能力更强。
AHS量子霍尔传感器的优点：
1.量子陷阱技术
2.以砷化镓为基础，利用分子束外延技术制造薄膜复合技术和设备设计加工 大量的专业知识，综合产品加工，使传感器性能更好。二维电子气 (2-DEG)这种结构由薄膜组成 III-V 由民族化合物制成，具有比例coms硅、GaAs、InAs 或 InSb 霍尔效应器件和磁电阻器的特性更好。可以通过“带隙工作”控制原子的比例。
两个优势的结合，能让量子霍尔传感器相比SI基霍尔传感器工作温度较高，约2000℃；比InAs 或 InSb霍尔效应器件检测磁场范围较宽，约20nT-2T；适用于波动范围的磁场，DC-6MHZ。
二维电子气 (2-DEG)目前，技术只能作为我国的学术研究，其生产工艺复杂，理论知识深厚。