霍尔效应

几 个 参 数 材 料 迁 移 率 μ 电 阻 率 ρ = 1 n q μ 霍 尔 电 压 U H = ? B I n q d = K H B I 霍 尔 系 数 ： R H = 1 n q 霍 尔 元 件 的 灵 敏 度 ： K H = ? R H d U H = ? b μ E B L 几个参数\\ 材料迁移率 μ\\ 电阻率ρ=\frac{1}{nqμ}\\ \\ 霍尔电压U_H=?\frac{BI}{nqd}=K_HBI\\ 霍尔系数：R_H=\frac{1}{nq}\\ 霍尔元件的灵敏度：K_H=?\frac{R_H}{d}\\ U_H=?\frac{bμEB}{L} 几个参数材料迁移率μ电阻率ρ=1nqμ霍尔电压UH=? BI​nqd=KH​BI 霍尔系数：RH​=nq1​霍尔元件的灵敏度：KH​= − RH​​dUH​ = − b μEB​L   提高灵敏度系数，霍尔元件通常都做成很薄的薄片。霍尔元件并不是越薄越好，太薄会导致输入输出电阻增加.

半导体电子迁移率一般大于空穴的迁移率，所以霍尔元件多采用N型半导体。

五、霍尔元件的测量误差和补偿

2.不等位电势及其补偿

当控制电流I流过元件时，即使磁场强度B等于零，在霍尔电极上仍有电势存在，该电势就称为不等位电势。

电桥补偿原理：在阻值较大的桥臂上并联电阻

3. 温度误差及补偿

（1）利用输入回路串联电阻进行补偿

（2）利用输出回路的负载进行补偿

（3）利用热敏电阻进行补偿

联电阻进行补偿

（2）利用输出回路的负载进行补偿

（3）利用热敏电阻进行补偿

(4) 利用补偿电桥进行补偿