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10N65在TO-220F电压(VGS)为30V，是高速大电流MOS管。10N65的浪涌电流Ifsm为40A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，耐温范围为-55~150摄氏度。10N65的功耗(PD)是65W，静态泄漏导电阻(RDS(ON))为0.8Ω。10N65的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为650V，反向恢复时间(Trr)为320NS，有四条引线。
型号：10N65
封装：TO-220F
特点：高速大电流MOS管
电性参数：10A 650V
网极阈值电压(VGS)：30V
正向电流(Io)：10A
功耗(PD)：65W
静态泄漏导电阻(RDS(ON))：0.8Ω
浪涌电流Ifsm：40A
零栅极电压漏极电流(IDSS)：10uA
反向恢复时间(Trr)：320NS
工作温度：-55~ 150℃
引线数量：3
10N65场效应管封装系列。本体长度为15.87mm，引脚长度为28.8mm，宽度为10.16mm，高度为4.7mm，脚间距为2.54mm。
以上是关于10的N65-ASEMI场效应管10N65的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于：开关电源，LED照明、集成电路、移动通信、计算机、工业自动控制设备、汽车电子和液晶电视IoT、智能家居、医疗器械、 电磁炉等大小家电。