详细讲解
MOSFET
管驱动电路
在使用
MOS
当管道设计开关电源或电机驱动电路时，大多数人会考虑
MOS
的导
通电阻、最大电压、最大电流等，
也有很多人只考虑这些因素。这种电路可能是可以的
工作，但不优秀，不允许作为正式的产品设计。
下面是我对
MOSFET
及
MOSFET
总结一下驱动电路基础，
参考一些资料，
非全部原创
MOS
介绍管道、特性、驱动和应用电路。
1
，
MOS
管道类型和结构
MOSFET
管是
FET
一个(另一个)
JFET
)
，可制成增强型或耗尽型，
P
沟道或
N
沟道共
4
但实际应用只有增强型
N
沟道
MOS
管和增强型
P
沟道
MOS
管，
所以通常提到
NMOS
，或者
PMOS
指的是这两种。
至于为什么不使用耗尽型，
MOS
管道，不建议刨根问底。
对于这两种增强型
MOS
管，
比较常用的是
NMOS
。原因是导电阻小，容易制造。
一般用于开关电源和电机驱动的应用
NMOS
。
下面的介绍大多是
NMOS
为主。
MOS
管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生
的。
寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路时更加麻烦，
但是没有办法避免，
后边
再详细介绍。
在
MOS
从管道原理图可以看出，漏极和源极之间有寄生二极管。这叫体二极管，在
驱动感性负载(如电机)
，这个二极管很重要。对了，体二极管只有单个
MOS
管
它存在于集成电路芯片中。
2
，
MOS
管导通特性
导通是指作为开关，相当于开关关闭。
NMOS
的特性，
Vgs
如果超过一定值，则导通，适用于源极接地（低端驱动）
，只
达到栅极电压
4V
或
10V
就可以了。
PMOS
的特性，
Vgs
如果小于一定值，就会导通，适合源极接
VCC
情况(高端驱动)
。
但是，虽然
PMOS
它可以很容易地用作高端驱动，但由于导电阻大，价格昂贵，替代品种少
因此，它通常用于高端驱动
NMOS
。
3
，
MOS
开关管损失
不管是
NMOS
还是
PMOS
，导通后存在导通电阻，使电流在此电阻上消耗能量
这部分消耗的能量称为导通损耗。选择导通电阻小的
MOS
管道会减少导通损失。